Markenbezeichnung:	ZMKJ
Modellnummer:	UTI-AlN-150
MOQ:	3pcs
Preis:	by case
Verpackungsdetails:	einzelner Oblatenbehälter im Reinigungsraum
Zahlungsbedingungen:	T/T, Western Union, Paypal

Ausführliche Information

Produkt-Beschreibung

Ausführliche Information

Herkunftsort:

China

Substrat:

Siliziumscheibe

Schicht:

AlN-Schablone

Schichtstärke:

200-1000nm

Leitfähigkeitsart:

N/P

Orientierung:

0001

Anwendung:

hohe Leistung/Hochfrequenzelektronische geräte

Anwendung 2:

Geräte 5G saw/BAW

Silikonstärke:

525um/625um/725um

Versorgungsmaterial-Fähigkeit:

50PCS/Month

Hervorheben:

AlN-Film auf Silikonsubstrat

Schablonen 500nm AlN

6" AlN-Schablonen

Produkt-Beschreibung

Durchmesser 150mm Silikon-ansässiger AlN Film Schablonen 500nm AlN 8inch 4inch 6inch auf Silikonsubstrat

Anwendungen von AlN-Schablone

Silikon-ansässige Halbleitertechnik hat seine Grenzen erreicht und den Anforderungen von Zukunft nicht gerecht werden konnte

elektronische Geräte. Als typische Art Material des Halbleiters 3rd/4th-generation, hat Aluminium-Nitrid (AlN)

überlegene körperliche und chemische Eigenschaften wie große Bandlücke, hohe Wärmeleitfähigkeit, hoher Zusammenbruch archivierten,

hoher elektronischer Mobilitäts- und Korrosions-/Strahlungswiderstand und ist ein perfektes Substrat für optoelektronische Geräte,

Gerät-, starke/Hochfrequenzelektronische geräte der Hochfrequenz (Rf), ETC… besonders, AlN-Substrat ist

bester Kandidat für UV-LED, UVdetektoren, UVlaser, 5G-starke/Hochfrequenz-Rf-Geräte und 5G SAW/BAW

Geräte, die im Umweltschutz allgemein verwendet werden konnten, Elektronik, drahtlose Kommunikationen, Drucken,

des Gesundheitswesens, Militär- und anderen Felder der Biologie, wie UVreinigung/Sterilisation, UVkurieren, photocatalysis, coun?

terfeit Entdeckung, Lagerung mit hoher Dichte, medizinische Entdeckung, drahtloser und sicherer Kommunikation der Phototherapie, der Drogen,

Luftfahrt-/Tiefraumentdeckung und andere Felder.

wir haben Serien von eigenen Prozessen und von Technologien entwickelt, um zu fabrizieren

hochwertige AlN-Schablonen. Zur Zeit ist unser Soem die einzige Firma weltweit, wer Zoll AlN produzieren kann 2-6

Schablonen in der umfangreichen Fähigkeit der industriellen Industrieproduktion mit der Kapazität von 300.000 Stücken im Jahre 2020, explosives zu treffen

Marktnachfrage von der drahtlosen Kommunikation UVC-LED, 5G, von den UVdetektoren und von den Sensoren usw.

Das factroy ist ein innovatives High-Tech-Unternehmen, das im Jahre 2016 von den bekannten chinesischen Überseefachleuten vom semicon gegründet wird? ductor Industrie.

sie richten sein Hauptgeschäft auf Entwicklung und Kommerzialisierung von 3rd/4th-genera? tion ultra-weite Bandlückehalbleiter AlN-Substrate,

AlN-Schablonen, vollautomatische PVT-Wachstumsreaktoren und verwandte Produkte und Services für verschiedene High-Tech-Industrien.

es ist als globaler Führer auf diesem Gebiet erkannt worden. Unsere Kernprodukte sind die Schlüsselstrategiematerialien, die in „gemacht in China“ aufgelistet werden.

sie haben Serien von eigenen Technologien und Wachstumsreaktoren und -anlagen D-Zustandvon-d art PVT zu entwickelt

fabrizieren Sie verschiedene Größen von hochwertigen Monokristall-AlN-Oblaten, AlN-temlpates. Wir sind eins von den wenigen Welt-führenden

High-Tech-Unternehmen die eigenes volles AlN-Herstellung capa?

die bilities, zum von von hochwertigen Boules und Oblaten AlN zu produzieren und liefern profes? sional Services und schlüsselfertige Lösungen zu unseren Kunden,

vereinbart vom Wachstum Reaktor- und hotzoneentwurf, vom Modellieren und von der Simulation, vom Prozessentwurf und von der Optimierung, Kristallwachstum,

wafering und materielles characteriza? tion. Bis April 2019, haben sie mehr als 27 Patente angewendet (einschließlich PCT).

Spezifikation

Charakteristische Spezifikation

Modell UTI-AlN-150S
Leitfähigkeits-Art C-Fläche der einzelnen Kristallscheibe des Si
Widerstandskraft (Ω) >5000
AlN-Struktur Wurtzit
Durchmesser (Zoll) 6inch

Substratstärke (µm) 625 ± 15
AlN-Dicke (µm) 500nm

Orientierung C-Achse [0001] +/- 0.2°
Verwendbarer Bereich ≥95%
Sprünge Kein
FWHM-2θXRD@ (0002) ≤0.22°
FWHM-HRXRD@ (0002) ≤1.5°
Oberflächenrauigkeit [5×5µm] (Nanometer) RMS≤6.0
TTV (µm) ≤7
Bogen (µm) ≤40
Verzerrung (µm) -30~30
Anmerkung: Diese Kennzeichnungsergebnisse schwanken möglicherweise etwas abhängig von den Ausrüstungen und/oder der Software, die eingesetzt werden

6" Silikon basierte Film AlN-Schablonen-500nm AlN auf Silikon-Substrat 1

6" Silikon basierte Film AlN-Schablonen-500nm AlN auf Silikon-Substrat 2

Kristallstruktur	Wurtzit
Gitterkonstante (Å)	a=3.112, c=4.982
Leitungsbandart	Direkte Bandlücke
Dichte (g/cm3)	3,23
Oberflächenmicrohardness (Knoop-Test)	800
Schmelzpunkt (℃)	2750 (Stange 10-100 im N2)
Wärmeleitfähigkeit (W/m·K)	320
Bandlückeenergie (eV)	6,28
Elektronenbeweglichkeit (V·s/cm2)	1100
Elektrisches Zusammenbruchfeld (MV/cm)	11,7

6" Silikon basierte Film AlN-Schablonen-500nm AlN auf Silikon-Substrat 4

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