Markenbezeichnung:	ZMKJ
Modellnummer:	UTI-AlN-150
MOQ:	3pcs
Preis:	by case
Verpackungsdetails:	einzelner Oblatenbehälter im Reinigungsraum
Zahlungsbedingungen:	T/T, Western Union, Paypal

Ausführliche Information

Produkt-Beschreibung

Ausführliche Information

Herkunftsort:

China

Substrat:

Siliziumscheibe

Schicht:

AlN-Schablone

Schichtstärke:

200-1000nm

Leitfähigkeitsart:

N/P

Orientierung:

0001

Anwendung:

hohe Leistung/Hochfrequenzelektronische geräte

Anwendung 2:

Geräte 5G saw/BAW

Silikonstärke:

525um/625um/725um

Versorgungsmaterial-Fähigkeit:

50PCS/Month

Hervorheben:

AlN-Halbleiter-Substrat

30mm Durchmesser-aln Substrat

30mm aln sondern Kristall aus

Produkt-Beschreibung

Durchmesser 150mm Silikon-ansässiger AlN Film Schablonen 500nm AlN 8inch 4inch 6inch auf Silikonsubstrat

Anwendungen von AlN-Schablone

Silikon-ansässige Halbleitertechnik hat seine Grenzen erreicht und den Anforderungen von Zukunft nicht gerecht werden konnte

elektronische Geräte. Als typische Art Material des Halbleiters 3rd/4th-generation, hat Aluminium-Nitrid (AlN)

überlegene körperliche und chemische Eigenschaften wie große Bandlücke, hohe Wärmeleitfähigkeit, hoher Zusammenbruch archivierten,

hoher elektronischer Mobilitäts- und Korrosions-/Strahlungswiderstand und ist ein perfektes Substrat für optoelektronische Geräte,

Gerät-, starke/Hochfrequenzelektronische geräte der Hochfrequenz (Rf), ETC… besonders, AlN-Substrat ist

bester Kandidat für UV-LED, UVdetektoren, UVlaser, 5G-starke/Hochfrequenz-Rf-Geräte und 5G SAW/BAW

Geräte, die im Umweltschutz allgemein verwendet werden konnten, Elektronik, drahtlose Kommunikationen, Drucken,

des Gesundheitswesens, Militär- und anderen Felder der Biologie, wie UVreinigung/Sterilisation, UVkurieren, photocatalysis, coun?

terfeit Entdeckung, Lagerung mit hoher Dichte, medizinische Entdeckung, drahtloser und sicherer Kommunikation der Phototherapie, der Drogen,

Luftfahrt-/Tiefraumentdeckung und andere Felder.

wir haben Serien von eigenen Prozessen und von Technologien entwickelt, um zu fabrizieren

hochwertige AlN-Schablonen. Zur Zeit ist unser Soem die einzige Firma weltweit, wer Zoll AlN produzieren kann 2-6

Schablonen in der umfangreichen Fähigkeit der industriellen Industrieproduktion mit der Kapazität von 300.000 Stücken im Jahre 2020, explosives zu treffen

Marktnachfrage von der drahtlosen Kommunikation UVC-LED, 5G, von den UVdetektoren und von den Sensoren usw.

Wir versehen z.Z. Kunden mit standardisiertem Stickstoff 10x10mm/Φ10mm/Φ15mm/Φ20mm/Φ25.4mm/Φ30mm/Φ50.8mm hoher Qualität
Aluminium sondern Sie Kristallsubstratprodukte aus, und kann Kunden mit apolarem 10-20mm auch versehen
M-Flächenaluminium-nitrid-einzelnes Kristallsubstrat oder nichtstandardisierte 5mm-50.8mm zu den Kunden besonders anfertigen
Polieraluminium-nitrid-einzelnes Kristallsubstrat. Dieses Produkt ist als Spitzensubstratmaterial weitverbreitet
Verwendet in UVC-LED Chips, in den UVdetektoren, in den UVlasern und in der verschiedenen hohen Leistung
/High-Temperatur/Hochfrequenzfeld des elektronischen Geräts.

Spezifikation

Charakteristische Spezifikation

Modell UTI-AlN-030B-single Kristall
Durchmesser Dia30±0.5mm;
Substratstärke (µm) 400 ± 50
Orientierung C-Achse [0001] +/- 0.5°

Qualitäts-Grad S-Grad (Super) P-Grad (Produktion) R-Grad (Forschung)

Sprünge Kein Kein <3mm>

FWHM-2θXRD@ (0002)<150><300> 0
FWHM-HRXRD@ (10-12)<100><200> 0
Oberflächenrauigkeit [5×5µm] (Nanometer) Al-Gesicht <0>
Verwendbarer Bereich 90%
Absorption<50>

1. der Längenorientierung {10-10} ±5°;
TTV (µm) ≤30
Bogen (µm) ≤30
Verzerrung (µm) -30~30
Anmerkung: Diese Kennzeichnungsergebnisse schwanken möglicherweise etwas abhängig von den Ausrüstungen und/oder der Software, die eingesetzt werden

30mm Durchmesser AlN einzelner Crystal Semiconductor Substrate 1

30mm Durchmesser AlN einzelner Crystal Semiconductor Substrate 2

30mm Durchmesser AlN einzelner Crystal Semiconductor Substrate 3

30mm Durchmesser AlN einzelner Crystal Semiconductor Substrate 4

Verunreinigungselement F.E.C O Si-B Na-W.P.S Ti

PPMW 27 90 5,4 0,92 0,23 <0>

Kristallstruktur	Wurtzit
Gitterkonstante (Å)	a=3.112, c=4.982
Leitungsbandart	Direkte Bandlücke
Dichte (g/cm3)	3,23
Oberflächenmicrohardness (Knoop-Test)	800
Schmelzpunkt (℃)	2750 (Stange 10-100 im N2)
Wärmeleitfähigkeit (W/m·K)	320
Bandlückeenergie (eV)	6,28
Elektronenbeweglichkeit (V·s/cm2)	1100
Elektrisches Zusammenbruchfeld (MV/cm)	11,7

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