Markenbezeichnung:	ZMKJ
Modellnummer:	AlN-Saphir 2inch
MOQ:	5pcs
Preis:	by case
Verpackungsdetails:	einzelner Oblatenbehälter im Reinigungsraum
Zahlungsbedingungen:	T/T, Western Union, Paypal

Ausführliche Information

Produkt-Beschreibung

Ausführliche Information

Herkunftsort:

China

Substrat:

Saphiroblate

Schicht:

AlN-Schablone

Schichtstärke:

1-5um

Leitfähigkeitsart:

N/P

Orientierung:

0001

Anwendung:

hohe Leistung/Hochfrequenzelektronische geräte

Anwendung 2:

Geräte 5G saw/BAW

Silikonstärke:

525um/625um/725um

Versorgungsmaterial-Fähigkeit:

50PCS/Month

Hervorheben:

2 Zoll AlN-Schablone

AlN-Schablone Geräte 5G BAW

2-Zoll-Saphirsubstrat

Produkt-Beschreibung

Saphir 2inch 4iinch 6Inch basierte AlN-Schablonen AlN-Film auf Saphirsubstrat

2inch auf Saphirsubstrat AlN-Schablonen-Schicht Oblate für Geräte 5G BAW

Anwendungen von AlN-Schablone

Unser Soem hat Serien von eigenen Technologien und Wachstumsreaktoren und -anlagen D-Zustandvon-d art PVT zu entwickelt

fabrizieren Sie verschiedene Größen von hochwertigen Monokristall-AlN-Oblaten, AlN-temlpates. Wir sind eins von den wenigen Welt-führenden

High-Tech-Unternehmen die eigenes volles AlN-Herstellung capa? die bilities, zum von von hochwertigen Boules und Oblaten AlN zu produzieren und stellen zur Verfügung

profes? sional Services und schlüsselfertige Lösungen zu unseren Kunden, vereinbart vom Wachstum Reaktor- und hotzoneentwurf,

Modellieren und Simulation, Prozessentwurf und Optimierung, Kristallwachstum,

wafering und materielles characteriza? tion. Bis April 2019, haben sie mehr als 27 Patente angewendet (einschließlich PCT).

Spezifikation

Aracteristic Schablonen-Schicht-Wafer 2 Zoll-Sapphire Substrates AlN für Geräte 5G BAW 0

Spezifikation Ch

Andere relaterd 4INCH GaN Template Spezifikation

	GaN-/al ₂ O ₃ Substrate (4") 4inch
Einzelteil	UNO-lackiert	N-artig	Hoch-lackiert N-artig
Größe (Millimeter)	Φ100.0±0.5 (4")
Substrat-Struktur	GaN auf Saphir (0001)
SurfaceFinished	(Standard: SSP-Wahl: DSP)
Stärke (μm)	4.5±0.5; 20±2; Besonders angefertigt
Leitungs-Art	UNO-lackiert	N-artig	Hoch-lackiertes N-artiges
Widerstandskraft (Ω·cm) (300K)	≤0.5	≤0.05	≤0.01
GaN Thickness Uniformity	≤±10% (4")
Versetzungsdichte (cm2)	≤5×108
Verwendbare Fläche	>90%
Paket	Verpackt in einer Reinraumumwelt der Klasse 100.

Schablonen-Schicht-Wafer 2 Zoll-Sapphire Substrates AlN für Geräte 5G BAW 1

Kristallstruktur	Wurtzit
Gitterkonstante (Å)	a=3.112, c=4.982
Leitungsbandart	Direkte Bandlücke
Dichte (g/cm3)	3,23
Oberflächenmicrohardness (Knoop-Test)	800
Schmelzpunkt (℃)	2750 (Stange 10-100 im N2)
Wärmeleitfähigkeit (W/m·K)	320
Bandlückeenergie (eV)	6,28
Elektronenbeweglichkeit (V·s/cm2)	1100
Elektrisches Zusammenbruchfeld (MV/cm)	11,7

Schablonen-Schicht-Wafer 2 Zoll-Sapphire Substrates AlN für Geräte 5G BAW 3

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