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Schablonen-Schicht-Wafer 2 Zoll-Sapphire Substrates AlN für Geräte 5G BAW
Produktdetails:
| Herkunftsort: | China |
| Markenname: | ZMKJ |
| Modellnummer: | AlN-Saphir 2inch |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 5pcs |
|---|---|
| Preis: | by case |
| Verpackung Informationen: | einzelner Oblatenbehälter im Reinigungsraum |
| Lieferzeit: | in 30days |
| Zahlungsbedingungen: | T/T, Western Union, Paypal |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 50PCS/Month |
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Detailinformationen |
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| Substrat: | Saphiroblate | Schicht: | AlN-Schablone |
|---|---|---|---|
| Schichtstärke: | 1-5um | Leitfähigkeitsart: | N/P |
| Orientierung: | 0001 | Anwendung: | hohe Leistung/Hochfrequenzelektronische geräte |
| Anwendung 2: | Geräte 5G saw/BAW | Silikonstärke: | 525um/625um/725um |
| Hervorheben: | 2 Zoll AlN-Schablone,AlN-Schablone Geräte 5G BAW,2-Zoll-Saphirsubstrat |
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Produkt-Beschreibung
Saphir 2inch 4iinch 6Inch basierte AlN-Schablonen AlN-Film auf Saphirsubstrat
2inch auf Saphirsubstrat AlN-Schablonen-Schicht Oblate für Geräte 5G BAW
Anwendungen von AlN-Schablone
Unser Soem hat Serien von eigenen Technologien und Wachstumsreaktoren und -anlagen D-Zustandvon-d art PVT zu entwickelt
fabrizieren Sie verschiedene Größen von hochwertigen Monokristall-AlN-Oblaten, AlN-temlpates. Wir sind eins von den wenigen Welt-führenden
High-Tech-Unternehmen die eigenes volles AlN-Herstellung capa? die bilities, zum von von hochwertigen Boules und Oblaten AlN zu produzieren und stellen zur Verfügung
profes? sional Services und schlüsselfertige Lösungen zu unseren Kunden, vereinbart vom Wachstum Reaktor- und hotzoneentwurf,
Modellieren und Simulation, Prozessentwurf und Optimierung, Kristallwachstum,
wafering und materielles characteriza? tion. Bis April 2019, haben sie mehr als 27 Patente angewendet (einschließlich PCT).
Spezifikation
Aracteristic
Spezifikation Ch
Spezifikation Ch
Andere relaterd 4INCH GaN Template Spezifikation
| GaN-/al ₂ O ₃ Substrate (4") 4inch | |||
| Einzelteil | UNO-lackiert | N-artig |
Hoch-lackiert N-artig |
| Größe (Millimeter) | Φ100.0±0.5 (4") | ||
| Substrat-Struktur | GaN auf Saphir (0001) | ||
| SurfaceFinished | (Standard: SSP-Wahl: DSP) | ||
| Stärke (μm) | 4.5±0.5; 20±2; Besonders angefertigt | ||
| Leitungs-Art | UNO-lackiert | N-artig | Hoch-lackiertes N-artiges |
| Widerstandskraft (Ω·cm) (300K) | ≤0.5 | ≤0.05 | ≤0.01 |
| GaN Thickness Uniformity |
≤±10% (4") | ||
| Versetzungsdichte (cm2) |
≤5×108 | ||
| Verwendbare Fläche | >90% | ||
| Paket | Verpackt in einer Reinraumumwelt der Klasse 100. | ||
| Kristallstruktur |
Wurtzit |
| Gitterkonstante (Å) | a=3.112, c=4.982 |
| Leitungsbandart | Direkte Bandlücke |
| Dichte (g/cm3) | 3,23 |
| Oberflächenmicrohardness (Knoop-Test) | 800 |
| Schmelzpunkt (℃) | 2750 (Stange 10-100 im N2) |
| Wärmeleitfähigkeit (W/m·K) | 320 |
| Bandlückeenergie (eV) | 6,28 |
| Elektronenbeweglichkeit (V·s/cm2) | 1100 |
| Elektrisches Zusammenbruchfeld (MV/cm) | 11,7 |
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