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Art GaAs-Halbleiter-Substrat VGF 6 Zoll-N für Epitaxie
Produktdetails:
| Herkunftsort: | KN |
| Markenname: | ZMSH |
| Zertifizierung: | ROHS |
| Modellnummer: | S-C-N |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 3pcs |
|---|---|
| Preis: | BY case |
| Verpackung Informationen: | einzelner Oblatenbehälter unter Reinigungsraum |
| Lieferzeit: | 2-6weeks |
| Zahlungsbedingungen: | T/T, Western Union |
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Detailinformationen |
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| Material: | GaAs-Kristall | Orientierung: | 100 2°off |
|---|---|---|---|
| Größe: | 6INCH | Wachstumsmethode: | VGF |
| Stärke: | 675±25um | EPD: | <500> |
| Dopant: | Si-lackiert | Form: | mit Kerbe |
| TTV: | 10 um | Bogen: | 10 um |
| Oberfläche: | SSP | ||
| Hervorheben: | GaAs-Halbleiter-Substrat,VGF-Halbleiter-Substrat,Art Substrat der Epitaxie n |
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Produkt-Beschreibung
GaAs-Oblate grad VGF 2inch 4inch 6inch n-artige Hauptfür Epitaxie
GaAs-Oblate (Galliumarsenid) ist eine günstige Alternative zum Silikon, das in der Halbleiterindustrie entwickelt hat. Weniger Leistungsaufnahme und mehr Leistungsfähigkeit, die durch dieser GaAs-Oblaten angeboten wird, zieht die Spekulanten an, um diese Oblaten anzunehmen, dadurch sie erhöht sie die Nachfrage für GaAs-Oblate. Im Allgemeinen wird diese Oblate benutzt, um Halbleiter, lichtemittierende Dioden, Thermometer, elektronische Schaltungen und Barometer herzustellen, außer dem Finden von Anwendung in der Herstellung von niedrigschmelzenden Legierungen. Als der Halbleiter und die elektronische Schaltung fahren Industrien fort, neue Spitzen zu berühren, der GaAs-Markt dröhnt. Galliumarsenid von GaAs-Oblate hat die Energie der Erzeugung von Laserlicht vom Strom. Besonders polykristalliner und einzelner Kristall sind die bedeutende Art zwei von GaAs-Oblaten, die in der Produktion der Mikroelektronik und der Optoelektronik verwendet werden, um LD, LED und Mikrowellenstromkreise zu schaffen. Deshalb schafft die umfangreiche Strecke GaAs-Anwendungen, besonders in der Optoelektronik und in der Mikroelektronikindustrie einen Nachfragezufluß im theGaAs Oblaten-Markt. Vorher wurden die optoelektronischen Geräte hauptsächlich auf einem breiten Spektrum in den optischen Kurzstreckennachrichtenübertragungen und in den Computerperipherie benutzt. Aber jetzt, sind sie nach einigen auftauchenden Anwendungen wie LiDAR, vergrößerter Wirklichkeit und Gesichtserkennung gefragt. LEC und VGF sind zwei populäre Methoden, die die Produktion von GaAs-Oblate mit hoher Einheitlichkeit von elektrischen Eigenschaften und von ausgezeichneter Oberflächenbeschaffenheit verbessern. Elektronenbeweglichkeit, einzelne Kreuzungsbandlücke, höhere Leistungsfähigkeit, Hitze und Feuchtigkeitsbeständigkeit und überlegene Flexibilität sind die fünf eindeutigen Vorteile von GaAs, die die Annahme von GaAs-Oblaten in der Halbleiterindustrie verbessern.
Was wir zur Verfügung stellen:
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Einzelteil
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Y/N
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Einzelteil
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Y/N
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Einzelteil
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Y/N
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GaAs-Kristall
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ja
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Elektronischer Grad
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ja
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N-Art
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ja
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GaAs-freier Raum
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ja
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Infrarotgrad
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ja
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P-Art
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ja
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GaAs-Substrat
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ja
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Zellgrad
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ja
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Undoped
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ja
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GaAs-epi Oblate
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ja
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| GaAs (Galliumarsenid) für LED-Anwendungen | ||
| Einzelteil | Spezifikationen | Anmerkungen |
| Leitungs-Art | SC/n-type | |
| Wachstums-Methode | VGF | |
| Dopant | Silikon | |
| Oblate Diamter | 2, 3 u. 4 Zoll | Barren oder wie-geschnittenes verfügbares |
| Crystal Orientation | (100) 2°/6°/15° weg von (110) | Anderes misorientation verfügbar |
| VON | EJ oder US | |
| Ladungsträgerdichte | (0.4~2.5) E18/cm3 | |
| Widerstandskraft an Funktelegrafie | (1.5~9) E-3 Ohm.cm | |
| Mobilität | 1500~3000 cm2/V.sec | |
| Ätzung Pit Density | <500> | |
| Laser-Markierung | auf Anfrage | |
| Oberflächenende | P/E oder P/P | |
| Stärke | 220~350um | |
| Epitaxie bereit | Ja | |
| Paket | Einzelner Oblatenbehälter oder -kassette | |
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GaAs (Galliumarsenid), Halb-isolierend für Mikroelektronik-Anwendungen
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Einzelteil
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Spezifikationen
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Anmerkungen
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Leitungs-Art
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Isolieren
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Wachstums-Methode
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VGF
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Dopant
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Undoped
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Oblate Diamter
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2, 3, 4 u. 6 Zoll
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Barren verfügbar
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Crystal Orientation
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(100) +/- 0.5°
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VON
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EJ, US oder Kerbe
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Ladungsträgerdichte
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n/a
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Widerstandskraft an Funktelegrafie
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>1E7 Ohm.cm
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Mobilität
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>5000 cm2/V.sec
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Ätzung Pit Density
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<8000>
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Laser-Markierung
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auf Anfrage
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Oberflächenende
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P/P
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Stärke
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350~675um
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Epitaxie bereit
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Ja
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Paket
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Einzelner Oblatenbehälter oder -kassette
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| Nein. | Einzelteil | Standardspezifikation | |||||
| 1 | Größe | 2" | 3" | 4" | 6" | ||
| 2 | Durchmesser | Millimeter | 50.8±0.2 | 76.2±0.2 | 100±0.2 | 150±0.5 | |
| 3 | Wachstums-Methode | VGF | |||||
| 4 | Lackiert | UNO-lackiert oder Si-lackiert oder Zn-lackiert | |||||
| 5 | Leiter Type | N/A oder SC/N oder SC/P | |||||
| 6 | Stärke | μm | (220-350) ±20 oder (350-675) ±25 | ||||
| 7 | Crystal Orientation | <100>±0.5 oder 2 weg | |||||
| OF-/IForientierungs-Wahl | EJ, US oder Kerbe | ||||||
| Orientierungs-Ebene (VON) | Millimeter | 16±1 | 22±1 | 32±1 | - | ||
| Identifizierungs-Ebene (WENN) | Millimeter | 8±1 | 11±1 | 18±1 | - | ||
| 8 | Widerstandskraft | (Nicht für Mechanisch Grad) |
Ω.cm | (1-30) ‚107oder (0.8-9) ‚10-3oder 1' 10-2-10-3 | |||
| Mobilität | cm2/v.s | ≥ 5.000 oder 1,500-3,000 | |||||
| Ladungsträgerdichte | cm-3 | (0.3-1.0) x1018oder (0.4-4.0) x1018, oder als HALB |
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| 9 | TTV | μm | ≤10 | ||||
| Bogen | μm | ≤10 | |||||
| Verzerrung | μm | ≤10 | |||||
| EPD | cm-2 | ≤ 8.000 oder ≤ 5.000 | |||||
| Front/hintere Oberfläche | P/E, P/P | ||||||
| Rand-Profil | Als HALB | ||||||
| Partikel-Zählung | <50>0,3 μm, Zählung/Oblate), oder ALS HALB |
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| 10 | Laser-Kennzeichen | Rückseite oder auf Anfrage | |||||
| 11 | Verpacken | Einzelner Oblatenbehälter oder -kassette | |||||
Paket-Detail:
