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Halb isolierendes Undoped Galliumarsenid-Oblaten-Substrat für LED, die 2inch 3inch 4inch beleuchtet
Produktdetails:
| Herkunftsort: | China |
| Markenname: | zmkj |
| Modellnummer: | 2inch HALB |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 5pcs |
|---|---|
| Preis: | by case |
| Verpackung Informationen: | einzelne Oblate verpackt in 6" Plastikkasten unter N2 |
| Lieferzeit: | 2-4weeks |
| Zahlungsbedingungen: | T/T, Western Union, MoneyGram |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 500pcs pro Monat |
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Detailinformationen |
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| Material: | Einzelner Kristall GaAs | Größe: | 4Inch |
|---|---|---|---|
| Stärke: | 625um oder customzied | VON DER ART: | Von der Ebene |
| Orientierung: | (100) 2°off | Oberfläche: | DSP |
| Wachstumsmethode: | VFG | ||
| Markieren: | 4 Zoll-Undoped Galliumarsenid-Wafer,Halb isolierendes GaAs-Substrat,LED |
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Produkt-Beschreibung
Art Halbisolierungs/Si-doped-Galliumarsenid GaAs-Oblate 2inch/3inch /4inch /6inch S-C-N
Produkt-Beschreibung
Unser 2' ‚bis 6" ‚Halbleiter- u. halb-isolierender GaAs-Kristall u. -oblate werden wild in der Anwendungs- u. LED-Allgemeinbeleuchtungsanwendung der Halbleiterintegrierten schaltung verwendet.
| Eigenschaft | Einsatzbereich |
|---|---|
| Hohe Elektronenbeweglichkeit | Lichtemittierende Dioden |
| Hochfrequenz | Laserdioden |
| Hohe Umwandlungs-Leistungsfähigkeit | Foto-voltaische Geräte |
| Leistungsaufnahme der geringen Energie | Hoher Elektronenbeweglichkeits-Transistor |
| Direkte Bandlücke | Heterojunctions-bipolar Transistor |
Spezifikationen von Halbleitergaas-Oblate
Wachstums-Methode | VGF | |||
Dopant | p-artig: Zn | n-artig: Si | ||
Oblaten-Form | Runde (Durchmesser: 2", 3", 4", 6") | |||
Oberflächenorientierung * | (100) ±0.5° | |||
* andere Orientierungen möglicherweise verfügbar auf Anfrage | ||||
Dopant | Si (n-artig) | Zn (p-artig) | ||
Ladungsträgerdichte (cm-3) | (0.8-4) × 1018 | (0.5-5) × 1019 | ||
Mobilität (cm2/V.S.) | (1-2.5) × 103 | 50-120 | ||
Ätzungs-Neigungs-Dichte (cm2) | 100-5000 | 3,000-5,000 | ||
Oblaten-Durchmesser (Millimeter) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 | |
Stärke (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 | |
TTV [P/P] (µm) | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 | |
TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | |
VERZERRUNG (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | |
VON (Millimeter) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 | |
VON/, WENN (Millimeter) | 7±1 | 12±1 | 18±1 | |
Polish* | E/E, | E/E, | E/E, | |
Spezifikationen des halb-Isolierens von GaAs-Oblate
Wachstums-Methode | VGF | |||
Dopant | SI Art: Kohlenstoff | |||
Oblaten-Form | Runde (Durchmesser: 2", 3", 4", 6") | |||
Oberflächenorientierung * | (100) ±0.5° | |||
* andere Orientierungen möglicherweise verfügbar auf Anfrage | ||||
Widerstandskraft (Ω.cm) | ≥ 1 × 107 | ≥ 1 × 108 | ||
Mobilität (cm2/V.S) | ≥ 5.000 | ≥ 4.000 | ||
Ätzungs-Neigungs-Dichte (cm2) | 1,500-5,000 | 1,500-5,000 | ||
Oblaten-Durchmesser (Millimeter) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 | 150±0.3 |
Stärke (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 | 675±25 |
TTV [P/P] (µm) | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 |
TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 |
VERZERRUNG (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 15 |
VON (Millimeter) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 | KERBE |
VON/, WENN (Millimeter) | 7±1 | 12±1 | 18±1 | N/A |
Polish* | E/E, | E/E, | E/E, | E/E, |
FAQ –
Q: Was können Sie Logistik und Kosten liefern?
(1) nehmen wir DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF und etc. an.
(2) wenn Sie Ihre eigene Eilzahl haben, ist sie groß.
Wenn nicht, könnten wir Sie unterstützen, um zu liefern. Freight=USD25.0 (das erste Gewicht) + USD12.0/kg
Q: Wie man zahlt?
T/T, Paypal, Westverband, MoneyGram, sichere Zahlung und Geschäftsversicherung auf Alibaba und ETC….
Q: Was ist das MOQ?
(1) für Inventar, ist das MOQ 5pcs.
(2) für kundengebundene Produkte, ist das MOQ 5pcs-20pcs.
Es hängt von der Quantität und von den Techniken ab
Q: Haben Sie Abnahmeprüfprotokoll für Material?
Wir können Detailbericht für unsere Produkte liefern.
Verpacken – Logistcs
wir betreffen jedes Details des Pakets, die Reinigung, antistatisch, Schocktherapie. Entsprechend der Quantität und der Form des Produktes,
wir nehmen einen anderen Verpackenprozeß!