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Einzelheiten zu den Produkten

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Halbleiter-Substrat
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Halb isolierendes Undoped Galliumarsenid-Oblaten-Substrat für LED, die 2inch 3inch 4inch beleuchtet

Halb isolierendes Undoped Galliumarsenid-Oblaten-Substrat für LED, die 2inch 3inch 4inch beleuchtet

Markenbezeichnung: zmkj
Modellnummer: 2inch HALB
MOQ: 5pcs
Preis: by case
Verpackungsdetails: einzelne Oblate verpackt in 6" Plastikkasten unter N2
Zahlungsbedingungen: T/T, Western Union, MoneyGram
Ausführliche Information
Herkunftsort:
China
Material:
Einzelner Kristall GaAs
Größe:
4Inch
Stärke:
625um oder customzied
VON DER ART:
Von der Ebene
Orientierung:
(100) 2°off
Oberfläche:
DSP
Wachstumsmethode:
VFG
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:
500pcs pro Monat
Hervorheben:

4 Zoll-Undoped Galliumarsenid-Wafer

,

Halb isolierendes GaAs-Substrat

,

LED

Produkt-Beschreibung

Art Halbisolierungs/Si-doped-Galliumarsenid GaAs-Oblate 2inch/3inch /4inch /6inch S-C-N

Produkt-Beschreibung

Unser 2' ‚bis 6" ‚Halbleiter- u. halb-isolierender GaAs-Kristall u. -oblate werden wild in der Anwendungs- u. LED-Allgemeinbeleuchtungsanwendung der Halbleiterintegrierten schaltung verwendet.

GaAs-Oblaten-Eigenschaft und Anwendung
EigenschaftEinsatzbereich
Hohe ElektronenbeweglichkeitLichtemittierende Dioden
HochfrequenzLaserdioden
Hohe Umwandlungs-LeistungsfähigkeitFoto-voltaische Geräte
Leistungsaufnahme der geringen EnergieHoher Elektronenbeweglichkeits-Transistor
Direkte BandlückeHeterojunctions-bipolar Transistor

Halb isolierendes Undoped Galliumarsenid-Oblaten-Substrat für LED, die 2inch 3inch 4inch beleuchtet 0

Halb isolierendes Undoped Galliumarsenid-Oblaten-Substrat für LED, die 2inch 3inch 4inch beleuchtet 1
PRODUKT-BESCHREIBUNG
 

Spezifikationen von Halbleitergaas-Oblate

     

 Wachstums-Methode

VGF

Dopant

p-artig: Zn

n-artig: Si

Oblaten-Form

Runde (Durchmesser: 2", 3", 4", 6")

Oberflächenorientierung *

(100) ±0.5°

* andere Orientierungen möglicherweise verfügbar auf Anfrage

Dopant

Si (n-artig)

Zn (p-artig)

Ladungsträgerdichte (cm-3)

(0.8-4) × 1018

(0.5-5) × 1019

Mobilität (cm2/V.S.)

(1-2.5) × 103

50-120

Ätzungs-Neigungs-Dichte (cm2)

100-5000

3,000-5,000

Oblaten-Durchmesser (Millimeter)

50.8±0.3

76.2±0.3

100±0.3

Stärke (µm)

350±25

625±25

625±25

TTV [P/P] (µm)

≤ 4

≤ 4

≤ 4

TTV [P/E] (µm)

≤ 10

≤ 10

≤ 10

VERZERRUNG (µm)

≤ 10

≤ 10

≤ 10

VON (Millimeter)

17±1

22±1

32.5±1

VON/, WENN (Millimeter)

7±1

12±1

18±1

Polish*

E/E,
P/E,
P/P

E/E,
P/E,
P/P

E/E,
P/E,
P/P

Spezifikationen des halb-Isolierens von GaAs-Oblate

Wachstums-Methode

VGF

Dopant

SI Art: Kohlenstoff

Oblaten-Form

Runde (Durchmesser: 2", 3", 4", 6")

Oberflächenorientierung *

(100) ±0.5°

* andere Orientierungen möglicherweise verfügbar auf Anfrage

Widerstandskraft (Ω.cm)

≥ 1 × 107

≥ 1 × 108

Mobilität (cm2/V.S)

≥ 5.000

≥ 4.000

Ätzungs-Neigungs-Dichte (cm2)

1,500-5,000

1,500-5,000

Oblaten-Durchmesser (Millimeter)

50.8±0.3

76.2±0.3

100±0.3

150±0.3

Stärke (µm)

350±25

625±25

625±25

675±25

TTV [P/P] (µm)

≤ 4

≤ 4

≤ 4

≤ 4

TTV [P/E] (µm)

≤ 10

≤ 10

≤ 10

≤ 10

VERZERRUNG (µm)

≤ 10

≤ 10

≤ 10

≤ 15

VON (Millimeter)

17±1

22±1

32.5±1

KERBE

VON/, WENN (Millimeter)

7±1

12±1

18±1

N/A

Polish*

E/E,
P/E,
P/P

E/E,
P/E,
P/P

E/E,
P/E,
P/P

E/E,
P/E,
P/P

 
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FAQ –
Q: Was können Sie Logistik und Kosten liefern?
(1) nehmen wir DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF und etc. an.
(2) wenn Sie Ihre eigene Eilzahl haben, ist sie groß.
Wenn nicht, könnten wir Sie unterstützen, um zu liefern. Freight=USD25.0 (das erste Gewicht) + USD12.0/kg
Q: Wie man zahlt?
T/T, Paypal, Westverband, MoneyGram, sichere Zahlung und Geschäftsversicherung auf Alibaba und ETC….
Q: Was ist das MOQ?
(1) für Inventar, ist das MOQ 5pcs.
(2) für kundengebundene Produkte, ist das MOQ 5pcs-20pcs.
Es hängt von der Quantität und von den Techniken ab
Q: Haben Sie Abnahmeprüfprotokoll für Material?
Wir können Detailbericht für unsere Produkte liefern.
 
Verpacken – Logistcs
wir betreffen jedes Details des Pakets, die Reinigung, antistatisch, Schocktherapie. Entsprechend der Quantität und der Form des Produktes,
wir nehmen einen anderen Verpackenprozeß!