300 - 900nm Lithium-Niobat-hauchdünne Filme des LN-Auf-Silikon-LiNbO3 überlagern auf Silikon-Substrat
Produktdetails:
Herkunftsort: | China |
Markenname: | ZMKJ |
Zertifizierung: | ROHS |
Modellnummer: | JZ-4INCH-LNOI |
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: | 2pcs |
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Preis: | by case |
Verpackung Informationen: | einzelner Oblatenbehälter im Reinigungsraum |
Lieferzeit: | 4 Wochen |
Zahlungsbedingungen: | T/T, Western Union, Paypal |
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 10pcs/month |
Detailinformationen |
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Material: | Schicht LiNbO3 auf Silikonsubstrat | Schicht-Stärke: | 300-1000nm |
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Orientierung: | X-CUT | Anwendung 2: | Geräte 5G saw/BAW |
Ra: | 0.5nm | Isolierungs-Schicht: | Sio2 |
Substrat: | 525um | Größe: | 4inch 6inch 8inch |
Hervorheben: | Substrat des LN-Auf-Silikon-900nm,Dünnfilm-Lithium-Niobat-Oblate,Oblate des Lithium-Niobat-6inch |
Produkt-Beschreibung
300-900nm Lithium-Niobat-hauchdünne Filme des LN-Auf-Silikon-LiNbO3 überlagern auf Silikon-Substrat
Kristall des Lithium-Niobates (LiNbO3) ist ein wichtiges photoelektrisches Material, und ist auf integrierter Optik, nichtlinearer Optik, optoelektronischen Komponenten und anderen Gebieten, eins der wichtigsten Substratmaterialien weitverbreitet. Zur Zeit sind Lithium-Niobat-Kristalle in der akustischen Oberflächenwelle, in der elektrooptischen Modulation, in Laser-Q-Schaltung, im optischen Kreiselkompaß, in der optischen parametrischen Oszillation, in der optischen parametrischen Verstärkung, in der optischen ganz eigenhändig geschrieben Lagerung und in anderen Geräten weitverbreitet, die eine wichtige Rolle in den Handys, im Fernsehen, in der optischen Nachrichtenübertragung, im Detektor Erstreckungs, elektrischen Feldes Lasers und in anderen Geräten spielen.
Unsere Produktion des einzelnen Kristalldünnfilms des Lithium-Niobates hat eine einzelne Kristallgitterstruktur und behält die physikalischen Eigenschaften des Massenmaterials, mit einem Durchmesser von 3 Zoll bei, ist die Stärke des einzelnen Kristalldünnfilms des oberen Lithium-Niobates 0.3-0.7 Mikrometer, ist die mittlere Schicht das 1-Mikrometer-starke Silikon (SiO2), und die untere Schicht ist 0,5-Millimeter-starkes Lithium-Niobat-Wafersubstrat.
Charakteristische Spezifikation
300-900 Nanometer-Lithium-Niobat-Dünnfilme (LNOI) | ||||
Spitzenfunktionsschicht | ||||
Durchmesser | 3, 4, (6) Zoll | Orientierung | X, Z, Y etc. | |
Material | LiNbO3 | Stärke | 300-900 Nanometer | |
Lackiert (optional) | MgO | |||
Isolierungs-Schicht | ||||
Material | SiO2 | Stärke | 1000-4000 Nanometer | |
Substrat | ||||
Material | Si, LN, Quarz, fixiertes Silikon etc. | |||
Stärke | 400-500 μm | |||
Optionale Elektroden-Schicht | ||||
Material | Pint, Au, Cr | Stärke | 100-400 Nanometer | |
Struktur | Über oder unter Schicht der Isolierungs-SiO2 |
In Verbindung stehende kundengebundene Dünnfilme
Kundengebundene Lithium-Niobat u. Lithium Tantalate-Dünnfilme | ||||||||
Spitzenschicht-Details | Substrat-Details | Oberschicht-Dünnfilm-Details | ||||||
Multi Schicht-Struktur | Kopierte Elektrode u. Wellenleiter | Unterschiedliches materielles (SiO2/Si, Si, Saphir, Quarz etc.) | PPLN | Sondergröße | Elektrode (Au, Pint, Cr, Al etc.) | Orientierung (selbe als Massenoblaten) | Lackiert (MgO, F.E., äh, TM etc.) | |
100-1000 Nanometer LiNbO3 | √ | √ | √ | √ | √ | √ | √ | √ |
100-1500 Nanometer LiTaO3 | √ | √ | √ | √ | √ | √ | √ | |
5-50 um LiNbO3 |
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5-50 um LiTaO3 |
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Anwendung des LN-Auf-Silikons
1, Kommunikation aus optischen Fasern, wie Wellenleitermodulator, etc. verglichen mit traditionellen Produkten, kann das Volumen von den Geräten, die produziert werden, indem man dieses Dünnfilmmaterial verwendet, bis zum mehr als eine Millionmal verringert werden, wird die Integration erheblich verbessert, ist- die Wartebandbreite breit, ist die Leistungsaufnahme niedrig, ist die Leistung stabiler, und die Herstellungskosten werden verringert.
2, elektronische Geräte, wie Filter der hohen Qualität, Verzögerungsstrecken, etc.
3, Informationsspeicherung und können mit hoher Dichte, eine 3-Zoll-FilmInformationsspeicherungskapazität verwirklichen Informationsspeicherung von 70 t (CD 100000)
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