SOI Wafer Silizium auf Isolator 100mm 150mm P Typ Dopant B Gerät 220 Widerstand: 8,5-11,5 Ohm-cm

SOI Wafer Silizium-On-Isolator 100 mm 150 mm P-Typ Dopant B Gerät: 220 Widerstand: 8,5-11,5 Ohm-cm

Produktdetailseite für SOI-Wafer (Silizium-on-Isolator)

Produktübersicht

Wir präsentieren unsere hochleistungsfähigen Silicon-On-Isolator (SOI) Wafer, die in 100 mm und 150 mm Durchmesser erhältlich sind.mit einer überlegenen elektrischen IsolierungIdeal für Hochleistungsrechner, HF-Kommunikation, MEMS-Geräte und Leistungselektronik.Unsere SOI-Wafer sorgen für erstklassige Leistung und Zuverlässigkeit.

Spezifikationen

Wafergrößen:

• Durchmesseroptionen: 100 mm (4 Zoll) und 150 mm (6 Zoll)

Geräteschicht:

• Material: Silizium
• Stärke: 220 Nanometer
• Typ des Dopings: P-Typ
• Dopingmittel: Bor (B)
• Widerstand: 8,5 bis 11,5 Ohm-cm

Vergrabene Oxid-Schicht (BOX):

• Material: Siliziumdioxid (SiO2)
• Stärke: Anpassbar je nach Anwendungsbedarf (normalerweise zwischen 200 nm und 2 μm)

Händel Wafer:

• Material: Silizium
• Typ: P-Typ (Bor-doped)
• Stärke: Standarddicke 500-700 μm, robuste mechanische Unterstützung

Wesentliche Merkmale

1. Überlegene elektrische Isolierung:

   • Die BOX-Schicht sorgt für eine hervorragende elektrische Isolierung zwischen der Geräteschicht und dem Griffwafer und reduziert damit die parasitäre Kapazität und das Querverhalten erheblich.

2. Hochwertige Geräteschicht:

   • Die mit Bor doppierte, 220 nm dicke Siliziumschicht bietet optimale elektrische Eigenschaften für eine Vielzahl von Halbleiteranwendungen, die eine hohe Leistung und Zuverlässigkeit gewährleisten.

3. Optimaler Widerstand:

   • Die Geräteschichtwiderstandsfähigkeit von 8,5-11,5 Ohm-cm ist ideal für Hochgeschwindigkeits- und Niedrigleistungsanwendungen, Ausgleichsleitfähigkeit und Leckegüter.

4. Verbessertes thermisches Management:

   • Die SOI-Struktur ermöglicht eine bessere Wärmeableitung, die für die Aufrechterhaltung der Leistung und Langlebigkeit des Geräts unter hohen Leistungs- oder Hochfrequenzbedingungen von entscheidender Bedeutung ist.

5. Mechanische Stabilität:

   • Der dicke Griff bietet eine robuste mechanische Unterstützung, die die Stabilität der Wafer während des Herstellungsprozesses und in Betriebsumgebungen gewährleistet.

6. Anpassungsmöglichkeiten:

   • Wir bieten die Anpassung der BOX-Schichtdicke und anderer Parameter an, um spezifische Anwendungsanforderungen zu erfüllen und bieten Flexibilität für verschiedene Halbleiterbedürfnisse.

Anwendungen

1. Hochleistungsrechner

   • Ideal für CPUs, GPUs und andere schnelle digitale Logik-Schaltungen, die eine verbesserte Geschwindigkeit und einen geringeren Stromverbrauch bieten.

2. 5G- und HF-Kommunikation:

   • Perfekt für HF-Komponenten und Hochfrequenz-Signalverarbeitung, profitiert von der ausgezeichneten Isolierung und thermischen Eigenschaften.

3. MEMS-Geräte:

   • geeignet für die Herstellung von MEMS-Geräten wie Beschleunigungsmessern, Gyroskopen und anderen Sensoren, die die erforderliche mechanische Stabilität und Präzision bieten;

4. Leistungselektronik:

   • Verwendet in Anwendungen für das Strommanagement, einschließlich Stromschalter und -umwandler, bei denen thermisches Management und Effizienz entscheidend sind.

5. Analog- und Mischsignalkreise:

   • Verbessert die Leistung analoger Schaltungen durch Reduzierung von Lärm und Crosstalk, wodurch es für die Audioverarbeitung und Signalkonditionierung geeignet ist.

Qualität und Zuverlässigkeit

• Herstellungsnormen:

  • Unsere SOI-Wafer werden nach den höchsten Industriestandards hergestellt und gewährleisten eine gleichbleibende Qualität und Leistung.

• Qualitätskontrolle:

  • Es gibt strenge Qualitätskontrollverfahren, um sicherzustellen, dass jede Wafer die angegebenen elektrischen, mechanischen und thermischen Eigenschaften erfüllt.

• Zertifizierungen:

  • Er entspricht den internationalen Normen für die Herstellung von Halbleitern und gewährleistet die Kompatibilität mit globalen Herstellungsprozessen.

Bestellinformationen

• Verfügbarkeit:

  • 100 mm und 150 mm SOI-Wafer sind für den sofortigen Versand erhältlich.

• Verpackung:

  • Die Wafer werden sicher in antistatischen, reinraumkompatiblen Behältern verpackt, um Kontamination und Beschädigung während des Transports zu vermeiden.

Verbessern Sie Ihre Halbleiteranwendungen mit unseren fortschrittlichen SOI-Wafern, die für Exzellenz und Zuverlässigkeit entwickelt wurden.