Detailinformationen |
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Durchmesser: | 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll | Dotierstoff: | 100 111 |
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Typ: | SIMOX, BESOI, Simbond, Smart-cut | Stärke (um): | 0.2 bis 150 |
Die Einheitlichkeit: | <5> | Box-Schicht: | Dicke (um) 0,4-3 |
Einheitlichkeit: | <2> | Widerstand: | 0.001-20000 Ohm-cm |
Hervorheben: | 100 111 SOI-Wafer,P BOX Schicht SOI Wafer,0.4-3 SOI-Wafer |
Produkt-Beschreibung
SOI Wafer Silizium auf Isolator Wafer Dopant P BOX Schicht 0,4-3 Substrat Orientierung 100 111
SOI-Wafer abstracts
SOI (Silicon-On-Insulator) -Wafer sind eine Art Halbleitermaterialtechnologie, die hauptsächlich in der Mikroelektronikindustrie verwendet wird.Diese Wafer entstehen durch Einfügen einer dünnen Schicht isolierendes MaterialDiese Konfiguration bietet verschiedene Vorteile gegenüber herkömmlichen Massenglühnen.
Foto der SOI-Wafer
Eigenschaften der SOI-Wafer
SOI (Silicon-On-Insulator) -Wafer weisen eine Reihe von ausgeprägten Eigenschaften auf, die sie in verschiedenen Hochleistungs- und spezialisierten mikroelektronischen Anwendungen besonders wertvoll machen.Hier sind einige der wichtigsten Eigenschaften von SOI-Wafern:
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Elektrische Isolierung: Die in SOI-Wafern vergrabene Oxidschicht (BOX) bietet eine hervorragende elektrische Isolierung zwischen der oberen Siliziumschicht, in der die Geräte eingebaut sind, und dem darunter liegenden Substrat.Diese Isolierung hilft bei der Verringerung der parasitären Kapazität, wodurch die Leistung von Hochgeschwindigkeitskreisen verbessert wird.
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Reduzierter Stromverbrauch: Aufgrund der reduzierten parasitären Kapazität und der durchlässigen Ströme verbrauchen Geräte, die auf SOI-Wafern gebaut sind, weniger Strom als Geräte, die auf Massivialisierungssilizium gebaut wurden.Diese Eigenschaft ist besonders für tragbare und batteriebetriebene Geräte von Vorteil.
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Hohe Leistung: Die dünne oberste Siliziumschicht kann vollständig erschöpft werden, was zu einer besseren Kontrolle des Kanals und reduzierten Kurzkanalleffekten in Transistoren führt.Dies führt zu Transistoren, die bei niedrigeren Schwellenspannungen mit höheren Antriebsströmen arbeiten können, was eine schnellere Schaltgeschwindigkeit und höhere Leistung ermöglicht.
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Wärmedämmung: Die Isolationsschicht sorgt auch für eine gewisse Wärmedämmung zwischen der aktiven Schicht und dem Substrat.Dies kann in Anwendungen von Vorteil sein, in denen die vom Gerät erzeugte Wärme auf die obere Schicht beschränkt werden muss, die eine effizientere Steuerung der thermischen Effekte ermöglichen.
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Immunität: Die SOI-Technologie bietet eine inhärente Immunität gegen Verriegelung, eine Art Kurzschluss, der in Massensiliziumgeräten auftreten kann.Dies ist auf das Fehlen einer p-n-Verbindung zwischen den n- und p-Typ-Regionen zurückzuführen, die sich bis in das Substrat erstrecken., was eine typische Ursache für Verschlüsse bei Massengeräten ist.
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Strahlungshärte: Die strukturelle Konfiguration von SOI-Wafern macht die auf ihnen errichteten Geräte widerstandsfähiger gegen Strahleneffekte wie die Gesamt ionisierende Dosis (TID) und die Einzelfallstörungen (SEU).Diese Eigenschaft ist für Raumfahrtanwendungen und andere Umgebungen, die hohen Strahlungswerten ausgesetzt sind, von entscheidender Bedeutung.
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Ausweitung: Die SOI-Technologie ist sehr skalierbar und ermöglicht die Herstellung von Geräten mit sehr geringen Merkmalgrößen.
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Kompatibilität mit herkömmlichen Herstellungsprozessen: Obwohl SOI-Wafer einzigartige Vorteile bieten, können sie nach wie vor mit vielen der gleichen Herstellungstechniken wie herkömmliches Silizium in großen Mengen verarbeitet werden.die die Integration in bestehende Produktionslinien erleichtert.
- Ich weiß.
Durchmesser | 4 ¢ | 5 ¢ | 6 ¢ | 8 ¢ | |
Geräteschicht |
Dopant | Bor, Phos, Arsen, Antimon, nicht doppiert | |||
Orientierung | Der Wert der Verbrennungsmenge wird in der Tabelle 1 angegeben. | ||||
Typ | SIMOX, BESOI, Simbond, Smart-cut | ||||
Widerstand | 0.001-20000 Ohm-cm | ||||
Stärke (um) | 0.2 bis 150 | ||||
Die Einheitlichkeit | < 5% | ||||
Box-Schicht |
Stärke (um) | 0.4-3 | |||
Einheitlichkeit | < 2,5% | ||||
Substrat |
Orientierung | Der Wert der Verbrennungsmenge wird in der Tabelle 1 angegeben. | |||
Typ/Dopant | P-Typ/Boron, N-Typ/Phos, N-Typ/As, N-Typ/Sb | ||||
Stärke (um) | 300 bis 725 | ||||
Widerstand | 0.001-20000 Ohm-cm | ||||
Oberfläche fertiggestellt | P/P, P/E | ||||
Partikel | < 10@.0.3m |
SOI (Silicon-On-Insulator) -Wafer sind eine Art Halbleitermaterialtechnologie, die hauptsächlich in der Mikroelektronikindustrie verwendet wird.Diese Wafer entstehen durch Einfügen einer dünnen Schicht isolierendes MaterialDiese Konfiguration bietet verschiedene Vorteile gegenüber herkömmlichen Massenglühnen.
Anwendungen von SOI-Wafern
SOI (Silicon-On-Insulator) -Wafer werden aufgrund ihrer einzigartigen Eigenschaften wie reduzierter parasitärer Kapazität, verbesserter Leistung bei hohen Frequenzen,geringerer StromverbrauchHier sind einige der wichtigsten Anwendungen von SOI-Wafern:
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Hochleistungs-Mikroprozessoren: Die SOI-Technologie wird in der Produktion von Mikroprozessoren für Computer und Server weit verbreitet.die für Hochleistungsrechneranwendungen von entscheidender Bedeutung ist.
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Radiofrequenz (RF) -Schaltkreise: SOI-Wafer sind aufgrund ihrer hervorragenden Isolierungseigenschaften besonders vorteilhaft für HF-Anwendungen, die das Cross-Talk reduzieren und die Leistung bei HF-Schaltungen und Signalverarbeitung verbessern.Dies macht sie ideal für den Einsatz in Mobiltelefonen, drahtlose Netze und andere Kommunikationsgeräte.
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Elektronik für die Automobilindustrie: Die erhöhte Haltbarkeit und Betriebsstabilität von SOI-basierten Geräten unter hohen Temperaturen und Strahlungsbedingungen machen sie für Anwendungen im Automobilbereich geeignet,einschließlich Motorsteuerungseinheiten, Automobilsensoren und Energiemanagementsysteme.
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Leistungsgeräte: Die SOI-Technologie ist für Leistungseinrichtungen von Vorteil, die für die Spannungsumwandlung und das Strommanagement in verschiedenen elektronischen Produkten verwendet werden.Diese Geräte profitieren von der Fähigkeit von SOI, hohe Spannungen und Leistungsdichten mit besserer Effizienz und geringerer Wärmeerzeugung zu bewältigen.
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MEMS (mikroelektromechanische Systeme): SOI-Wafer bieten eine solide Plattform für die Entwicklung von MEMS-Geräten wie Beschleunigungsmessern und Gyroskopen, die in Airbags, Smartphones und anderen Unterhaltungselektronikprodukten verwendet werden.Die in SOI-Wafern vergrabene Oxidschicht bietet eine hervorragende mechanische und elektrische Isolierung, was für MEMS-Geräte entscheidend ist.
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Photonik und Optoelektronik: Die Eigenschaften der SOI-Wafer erleichtern die Integration optischer Komponenten wie Wellenleitungen, Modulatoren und Detektoren in elektronische Schaltungen.Diese Integration ist für die Entwicklung fortschrittlicher optoelektronischer Systeme für die Datenübertragung von entscheidender Bedeutung., Telekommunikation und Sensorik.
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Quantenrechner: SOI-Wafer werden auch als Substrate für die Entwicklung von Quantenbits (Qubits) für den Quantenrechner untersucht,Dank ihrer Fähigkeit, bei kryogenen Temperaturen zu arbeiten und ihrer Kompatibilität mit bestehenden Halbleiterverfahren.
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Raumfahrt und militärische Anwendungen: Geräte, die auf SOI-Wafern gebaut sind, sind widerstandsfähiger gegen Strahleneffekte, was sie für Raumfahrtanwendungen und militärische Geräte geeignet macht, bei denen die Strahlenexposition ein Problem darstellt.
Die SOI-Technologie entwickelt sich ständig weiter, um immer komplexere Herausforderungen in diesen Anwendungen zu bewältigen, Fortschritte in der Elektronik voranzutreiben und neue Innovationen in zahlreichen Bereichen zu ermöglichen.
Fragen und Antworten
Was ist eine SOI-Siliziumwafer?
Eine SOI- (Silicon-On-Insulator) -Siliziumwafer ist eine Art Halbleitermaterial, das hauptsächlich in der Mikroelektronikindustrie verwendet wird.Es besteht aus einer dünnen Schicht Silizium, die durch eine Schicht Isoliermaterial von einem dickeren Siliziumsubstrat getrennt istDiese Struktur wird durch spezialisierte Herstellungsprozesse wie die Separation durch Implantation von Sauerstoff (SIMOX) oder die Smart Cut-Technik erreicht.
Der Hauptvorteil von SOI-Siliziumwafern gegenüber herkömmlichen Massenglühstoffwafern ist die Vorhandensein einer Isolationsschicht, die die parasitäre Kapazität erheblich reduziert.Erhöht die Leistung durch Minimierung von elektrischen LeckagenDies führt zu Verbesserungen der Geschwindigkeit, Energieeffizienz und der Gesamtleistung elektronischer Geräte.SOI-Wafer werden in verschiedenen Anwendungen weit verbreitet, einschließlich Hochleistungsmikroprozessoren, Funkfrequenz (RF) -Schaltungen, Leistungselektronik und MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems), unter anderem.Ihre Eigenschaften machen sie besonders geeignet für Umgebungen, in denen hohe Geschwindigkeiten, geringer Stromverbrauch und Widerstandsfähigkeit gegen raue Bedingungen sind unerlässlich.