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Detailinformationen |
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| Substratmaterial: | Siliziumkarbid auf Siliziumverbundwafer | Vorderfläche: | CMP poliert, Ra < 0,5 Nm (einseitig poliert, SSP) |
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| Flache zweitenslänge: | 18.0 +/- 2,0 mm | Typ: | Halbmaschinen |
| Flache hauptsächlichlänge: | 32.5 +/- 2,5 mm | Durchmesser: | 100 mm +/- 0,5 mm |
| Kohlenstoffgehalt: | 0.5 Ppm | Sekundäre flache Ausrichtung:: | 90° von der Grundfläche |
| Hervorheben: | LEDs SiC auf Si-Verbundsubstraten,SiC auf Si-Verbundsubstraten |
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Produkt-Beschreibung
Halbisolierende SiC auf Si-Verbundsubstraten 4H-LED mit hoher Widerstandskraft
Produktbeschreibung von SiC On Si-Verbundsubstraten:
Ein halbisoliertes Siliziumcarbid (SiC) auf Siliziumverbundwafer ist eine spezielle Waferart, die die Eigenschaften von Siliziumcarbid und Siliziummaterialien kombiniert.Die Wafer besteht aus einer Schicht aus halbisolierendem Siliziumcarbid auf einem SiliziumsubstratDer Begriff "halbisolierend" bedeutet, daß das Material elektrische Eigenschaften besitzt, die weder rein leitfähig noch rein isolierend sind, sondern irgendwo dazwischen liegen.
Charakter von SiC auf Si-Verbundsubstraten:
1Hohe Widerstandsfähigkeit: Halbisolierendes SiC auf Si-Wafer weist hohen Widerstand auf, was bedeutet, dass es im Vergleich zu normalen leitfähigen Materialien eine geringe elektrische Leitfähigkeit aufweist.
2. Niedrige Leckage: Aufgrund ihrer halbisolierenden Eigenschaft haben diese Wafer einen geringen Leckstrom, was sie für Anwendungen geeignet macht, die minimale elektrische Leckagen erfordern.
3. Hohe Abbruchspannung: Sie haben in der Regel eine hohe Abbruchspannung, so dass sie hohen elektrischen Feldern ohne Abbruch standhalten können.
Parameterliste von SiC-On-Si-Verbundsubstraten:
| Artikel 1 | Spezifikation |
| Durchmesser | 150 ± 0,2 mm |
| SiC-Polytyp | 4H |
| SiC-Widerstand | ≥1E8 Ω·cm |
| Übertragung SiC-Schicht Dicke | ≥ 0,1 μm |
| Nichtig | ≤ 5 ea/Wafer (2 mm > D > 0,5 mm) |
| Roughness der Vorderseite | Ra ≤ 0,2 nm (5 μm × 5 μm) |
| Si Orientierung | Der Wert der Verbrennungsmenge wird in der Tabelle 1 angegeben. |
| Si-Typ | Verbrauch |
| Flach/Notch | Flach/Notch |
| Randsplitter, Kratzer, Risse (sichtliche Prüfung) | Keine |
| TTV | ≤ 5 μm |
| Stärke | 500/625/675 ± 25 μm |
Anwendung von SiC auf Si-Verbundsubstraten:
1. Hochfrequenzgeräte: Halbisolierendes SiC auf Si-Verbundwafern wird häufig in Hochfrequenzgeräten wie HF-Transistoren, Verstärkern und Mikrowellensystemen verwendet.
2. Power Electronics: Sie finden Anwendungen in Leistungselektronikgeräten, bei denen eine hohe Ausfallspannung und geringe elektrische Verluste für eine effiziente Energieumwandlung entscheidend sind.
3. Sensoren: Diese Wafer werden in Sensortechnologien eingesetzt, bei denen hohe Widerstandsfähigkeit und geringe Leckage-Eigenschaften für eine genaue Sensorik und Messung erforderlich sind.
4. Optoelektronik: In optoelektronischen Geräten wie Photodetektoren und LEDs kann SiC auf Si-Wafern aufgrund ihrer einzigartigen elektrischen Eigenschaften verbessert werden.
Anwendungsbild von SiC auf Si-Verbundsubstraten:
Häufige Fragen:
A: The use of silicon carbide composite (SiC/SiC) components within fusion reactors has the potential to double the electricity generated from every gigawatt of thermal energy produced compared with advanced steel designs