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Detailinformationen |
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| Materialien: | Silikon | Durchmesser: | 100 mm |
|---|---|---|---|
| Dotierstoff: | P/Boron oder N/As | Widerstand: | 0.001-0.005 Ω.CM |
| Orientierung: | 100 | Orientierung der Scheiben: | ±0.5° |
| Durchmesser-Toleranz: | 100 ± 0,3 mm | Primärer Flatstandort: | < 110> ± 1 |
| Flache hauptsächlichlänge: | 32.5±2,5 mm | Ausmaß der Abweichung: | 500 ± 20 μm |
| Hervorheben: | 4 Zoll Si-Wafer,CZ-Sioblate,Halbleiter-Si-Wafer |
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Produkt-Beschreibung
Si Wafer 4 Zoll Polster CZ Dopant Arsen (As) Bor (B) Phosphor (Ph) (100) Halbleiter
Beschreibung von Si Wafer:
Eine Siliziumwafer ist eine sehr dünne runde Scheibe, die aus hochreinem Silizium geschnitten wird.Dann ist es gereinigt.Siliziumwafer werden aus hochreinem Silizium hergestellt und sind das Material von Halbleitergeräten.Diese Wafer können auch mit einer SEMI-Einschnitte oder einer oder zwei SEMI-Flächen hergestellt werden.Wir sind spezialisiert auf die Herstellung von hochwertigen polierten Siliziumwafern für Halbleiter- und Elektronikanwendungen.Unsere 100 mm polierten Siliziumwafer bieten erstklassige Einkristall-Monokristall-Material mit streng kontrollierten elektrischen Widerstand und Dicke Variation SpezifikationenDieses Produkt besteht aus Siliziumwafers mit einem Durchmesser von 100 mm, die aus einem einzelnen Kristallingot geschnitten werden, der nach der Czochralski-Methode (CZ) angebaut wurde.Sie sind entweder einseitig oder doppelseitig poliert worden, um eine außergewöhnliche Dickeuniformität zu erreichen, Partikelleistung, Oberflächenmikrorohtheit und Flachheit.
Der Charakter von Si Wafer:
1. Höchste Qualität ️ Alle Siliziumwafer sind brandneue, unberührte Siliziumwafer ️ sie wurden nie verwendet oder wiederverwendet
2. Epi-Ready-Oberfläche ️ Unsere Prime-Grad-Silizium-Wafer haben erstklassige Epi-Ready-Oberflächen
3. Monokristallines Material Alle Wafer bestehen aus hochwertigem monokristallinem Siliziummaterial
4Übertreffen Sie die Industriestandards Unsere 100mm Siliziumwafer übertreffen die SEMI-Standard-Spezifikationen und die Industriestandards
5. Vielseitige Anwendungen Unsere 100mm-Siliziumwafer eignen sich für eine Vielzahl von Anwendungen, einschließlich Halbleiterherstellung, Forschung und Entwicklung und Bildungszwecke
6Unsere 100mm-Silizium-Wafer werden von führenden Halbleiterfabriken, F&E-Zentren, Universitäten und Pilotlinien auf der ganzen Welt eingesetzt
7- Qualitätskontrolle und -kontrolle - Jede Wafer wird einer umfassenden Qualitätskontrolle und -prüfung unterzogen
8. Secure Packaging – Wafers are packaged in dedicated ultra-clean PP cassettes and double-bagged in antistatic bags under class 100 cleanroom conditions to protect the surface from particulate contamination
9. wettbewerbsfähige Preise WaferPro bietet wettbewerbsfähige Preise mit verfügbaren Mengenrabatt
10. Konformitätsbescheinigung Eine COC ist bei jeder Bestellung mit den genauen Spezifikationen der Wafer enthalten.
Die Form der Si-Wafer:
| Produktbezeichnung | 4-Zoll-polierte Wafer |
| Material | Silizium |
| Durchmesser | 100 ± 0,2 mm |
| Stärke | 525±15um / nach Anforderung |
| Typ/Dopant: | P/Boron oder N/As |
| Widerstand | auf Anfrage |
| Orientierung | < 100> |
| Zulassung | Primär/Prüfungsklasse/Prüfungsklasse |
| Wachstum | CZ |
| Primärer Flatstandort | < 110> ± 1 |
| Primärflächige Länge | 32.5±2,5 mm |
| Ausmaß der Abweichung | 500 ± 20 μm |
| TTV | < 10 μm |
| TIR | < 10m |
| Warpgeschwindigkeit | < 30 μm |
| Verbeugen | < 30 μm |
| Vorderfläche | Polstern |
| Rückenoberfläche | Schleifen |
| Oxidation | Feuchte Oxidation |
DieKörperliche Fotografie aus Si-Wafer:
DieAnwendungaus Si-Wafer:
1. Produktion von Mikrochips und Fertigung von integrierten Schaltungen
2. MEMS und mikroelektromechanische Systeme
3. Herstellung von Halbleitern und Sensoren
4. LED-Beleuchtung und Laserdioden
5. Solarzellen/Photovoltaikzellen und Wafer
6. Komponenten optischer Geräte
7Isolierte Sandwichplatten
8. FuE Prototypenbau und -prüfung
DieAnwendungsbilderaus Si-Wafer:
Anpassung:
Wir sind spezialisiert auf die Verarbeitung und Lieferung verschiedener Arten von hochwertigen Siliziumwafern.
Wachstumsmethoden für Einzelkristall-Silizium-Wafer: CZ (Czochralski), MCZ und andere.
Größen: 2", 4", 5", 6", 8" sowie kundenspezifische Durchmesser und nicht standardförmige Siliziumwafer.
Oberflächenbearbeitung: Einseitig poliert, doppelseitig poliert, geschliffen usw.
Leitfähigkeitstypen: N-Typ, P-Typ, intrinsische Halbleiter.
Spezifikationen: Auf eine Vielzahl von Anwendungen zugeschnitten.
Lieferkapazität: Umfangreiche Bestände mit verschiedenen Arten auf Lager.
Flexibilität der Verarbeitung: Individuelle Verarbeitung verschiedener Spezifikationen, die auf die Anforderungen der Kunden mit kurzen Lieferzeiten zugeschnitten ist.
Häufige Fragen:
1F: Welche Oberflächenveredelungen können wir liefern?
A: Wir bieten Wafer mit doppelseitigem Polieren (DSP), einseitigem Polieren (SSP) oder mit geätzten Oberflächen an. Bitte kontaktieren Sie uns für Ihre bevorzugten Spezifikationen.
2F: Welche Anpassungen sind verfügbar?
A: Unsere Fähigkeiten umfassen Lasermarkierung, Waferkennzeichnung und verschiedene Kantenmodifikationen wie Schnitte oder Kerben nach Ihren genauen Anforderungen.
3: F: Welche Größen bieten Sie an?
A: Zusätzlich zu unseren 4 Zoll (100 mm) großen Siliziumwafern liefern wir auch Größen mit einem Durchmesser von 2 ′′, 3 ′′, 150 ′′, 200 ′′ und 300 ′′. Andere kundenspezifische Größen können auf Anfrage erhältlich sein.
Produktempfehlung:
1.Einzelkristall Si Wafer Elektronische Geräte Substrat Photolithographie Schicht 2"3"4"6"8"
2.Silikonwafer CZ-Orientierung111 Widerstand: 1-10 (ohm. cm) Einseitige oder doppelseitige Polierung