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Detailinformationen |
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| Verbeugen: | < 10 mm, < 15 mm | TTV: | < 10 mm, < 15 mm |
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| Polstert: | ssp oder dsp | Orientierung: | Der Wert der Verbrennungsmenge wird in der Tabelle 1 angegeben. |
| Umlenkungspräzision: | ±0.5° | Flache hauptsächlichlänge: | 16 ± 2 mm, 22 ± 2 mm, 32,5 ± 2 mm |
| Flächige Länge: | 8±1 mm, 11±1 mm, 18±1 mm | Warpgeschwindigkeit: | < 15 mm |
| Größe: | 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll (eingerichtete Größen sind erhältlich) | Stärke: | 00,35 mm, 0,6 mm |
| Hervorheben: | 2 Zoll InP-Wafer,3 Zoll InP-Wafer,4 Zoll InP-Wafer |
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Produkt-Beschreibung
InP Wafer 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll VGF P Typ N Typ Depant Zn S Fe Undoped Prime Grade Testgrad
Beschreibung der InP Wafer:
Indiumphosphor-Wafer (InP-Wafer) werden aus Indiumphosphor hergestellt, einem binären Halbleiter.InP-WaferDiese überlegene Elektronengeschwindigkeit macht es zur nützlichsten Verbindung für optoelektronische Anwendungen.SchnelltransistorenDie am häufigsten verwendetenInP-Waferin Hochfrequenz- und Hochleistungsgeräten verwendet wird.InP-Waferist auch in der Hochgeschwindigkeits-Faseroptik-Kommunikation weit verbreitet, da Indiumphosphat Wellenlängen über 1000 nm emittiert und detektiert.InP-WaferDie Technologie wird auch als Substrat für Laser und Photodioden in Datacom- und Telekommunikationsanwendungen eingesetzt.InP-WaferDer Markt wird den Gipfel berühren.InP-WaferWir bieten eine 99,99% reineInP-WaferWir müssen uns nicht nur auf das, was wir tun, konzentrieren.
Der Charakter von InP Wafer:
1Bandbreite: InP hat eine enge Bandbreite von etwa 1,35 eV bei Raumtemperatur, was es für Anwendungen in der Optoelektronik wie Photodetektoren, Lasern und Solarzellen geeignet macht.
2. Hohe Elektronenmobilität: InP hat im Vergleich zu anderen Halbleitermaterialien eine hohe Elektronenmobilität,der für schnelle elektronische Geräte wie Hochfrequenztransistoren und integrierte Schaltungen von Vorteil ist.
3Hohe Wärmeleitfähigkeit: InP hat eine relativ hohe Wärmeleitfähigkeit, was eine effiziente Wärmeableitung in Hochleistungsgeräten ermöglicht.
4Optische Eigenschaften: InP-Wafer verfügen über ausgezeichnete optische Eigenschaften, einschließlich hoher Transparenz im Infrarotbereich, was sie ideal für optische Kommunikations- und Sensoranwendungen macht.
5. Geräuscharme Eigenschaften: InP weist geringe Geräuschcharakteristiken auf, die es für geräuscharme Verstärker und Empfänger in Kommunikationssystemen geeignet machen.
6Chemische Stabilität: InP ist chemisch stabil, was zu seiner Zuverlässigkeit in verschiedenen Umgebungen beiträgt.
7. Gitter mit InGaAs: InP ist mit Indium Gallium Arsenid (InGaAs) vernetzt, wodurch hochwertige Heterostrukturen für optoelektronische Geräte entstehen können.
8. Hohe Abbruchspannung: InP-Wafer haben eine hohe Abbruchspannung, was sie für Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen geeignet macht.
9. Hohe Elektronsättigungsgeschwindigkeit: InP weist eine hohe Elektronsättigungsgeschwindigkeit auf, was für schnelle elektronische Geräte von Vorteil ist.
10Doping: InP-Wafer können doppiert werden, um sowohl n- als auch p-Typ-Regionen zu erzeugen, was die Herstellung verschiedener Arten von elektronischen und optoelektronischen Geräten ermöglicht.
Die Form der InP-Wafer:
| Material | InP |
|---|---|
| Wachstumsmethode | LEC,VCZ/P-LEC, VGF, VB |
| Gitter (A) | a=5.869 |
| Struktur | M3 |
| Schmelzpunkt | 1600°C |
| Dichte ((g/cm3) | 40,79 g/cm3 |
| Dopingmaterial |
Nicht-S-Doped Zn-Doped Fe-Doped
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| Typ |
N N P N
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| Trägerkonzentration (cm-3) |
Das ist ein sehr schwieriges Problem.
(0,6-2) x 1018
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| Mobilität (cm2v-1s-1) |
(3.5-4) x 103 (2.2-2.4) x 103 (1.3-1.6) x 103
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| EPD (Durchschnitt) |
3 x 104. cm2 2 x 103/cm2. 2 x 104/cm2. 3 x 104/cm2
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Das physische Foto von InP Wafer:
Anwendung von InP Wafer:
1- Photonik:
Laser und Detektoren: InP ist mit seiner engen Bandbreite (~ 1,35 Elektronenvolt) für Geräte wie Laser und Detektoren in Photonik-Anwendungen geeignet.
Optische Kommunikation: InP-Wafer spielen eine entscheidende Rolle in optischen Kommunikationssystemen, die in Komponenten wie Lasern und Modulatoren für Glasfaser verwendet werden.
2. Halbleitergeräte:
Hochgeschwindigkeitstransistoren: Die hohe Elektronenmobilität von InP macht es zu einem idealen Material für die Herstellung von Hochgeschwindigkeitstransistoren.
Solarzellen: InP-Wafer weisen eine gute Leistung in Solarzellen auf und ermöglichen eine effiziente Photovoltaikumwandlung.
3Mikrowellen- und HF-Geräte:
Mikrowellen-Integrierte Schaltungen (MICs): InP-Wafer werden bei der Herstellung von Mikrowellen- und HF-Integrierten Schaltungen verwendet, die eine hohe Frequenz und Leistung bieten.
Geräuscharme Verstärker: InP-Wafer finden wichtige Anwendungen in geräuscharmen Verstärkern in Kommunikationssystemen.
4. Photovoltaikgeräte:
Photovoltaikzellen: InP-Wafer werden bei der Herstellung von hocheffizienten Photovoltaikzellen für Solaranlagen verwendet.
5Sensorik:
Optische Sensoren: InP-Wafer haben Potenzial für die Anwendung optischer Sensoren, die in verschiedenen Sensoriktechnologien und Bildgebungssystemen eingesetzt werden.
6. Integrierte Schaltungen:
Optoelektronische integrierte Schaltungen: InP-Wafer werden bei der Herstellung optoelektronischer integrierter Schaltungen für Anwendungen in der optischen Kommunikation und Sensorik eingesetzt.
7. Optische Geräte:
Glasfaserverstärker: InP-Wafer spielen in Glasfaserverstärkern eine entscheidende Rolle für die Signalverstärkung und -übertragung in der Glasfaserkommunikation.
Die Anwendungsbilder von InP Wafer:
Anpassung:
Hier sind einige Aspekte der InP-Wafer-Anpassung:
1Wafergröße: InP-Wafer können in Bezug auf Durchmesser (2-Zoll, 3-Zoll, 4-Zoll) und Dicke angepasst werden, um den spezifischen Anforderungen der Anwendung gerecht zu werden.
2Orientierung: Die Orientierung der Wafer ((100), (111) A, (111) B) kann anhand der gewünschten Kristallorientierung für die vorgesehene Anwendung festgelegt werden.
3Dopingprofil: Anpassungs-Dopingprofile können erstellt werden, indem die Konzentration und Verteilung von Dopingstoffen (Silizium,Schwefel) zur Erzielung spezifischer elektrischer Eigenschaften, die für die Herstellung von Geräten erforderlich sind.
4. Oberflächenqualität: Die Oberflächenqualität der Wafer kann angepasst werden, um die erforderlichen Raubhaftigkeitsspezifikationen zu erfüllen und somit eine optimale Leistung in Anwendungen wie Optoelektronik und Photonik zu gewährleisten.
5. Epitaxialschichten: InP-Wafer können mit epitaxialen Schichten anderer Materialien wie InGaAs, InAlGaAs oder InGaAsP angepasst werden, um Heterostrukturen für spezielle Geräte wie Laser zu erstellen,mit einer Breite von mehr als 20 mm, und Hochgeschwindigkeitstransistoren.
6Spezialisierte Beschichtungen: InP-Wafer können mit spezifischen Materialien oder Filmen beschichtet werden, um ihre Leistung in bestimmten Anwendungen zu verbessern, z. B. Antireflexionsbeschichtungen für optische Geräte.
Häufige Fragen:
1.F: Was ist ein InP-Halbleiter?
A: Indiumphosphid (InP) bezieht sich auf einen binären Halbleiter, der aus Indium (In) und Phosphor (P) besteht.InP wird unter eine Gruppe von Materialien eingestuft, die zu den Halbleitern III-V gehören.
2.F: Welchen Zweck hat Indiumphosphat?
A:Indiumphosphidsubstrate werden hauptsächlich für das Wachstum von ternären (InGaAs) und quaternären (InGaAsP) Legierungsstrukturen verwendet, die für die Herstellung von Langwellenlängen (1.3 und 1.4) verwendet werden.55 μm) Diodenlaser, LEDs und Photodetektoren.
3.F: Welche Vorteile hat InP?
A: Hohe Elektronenmobilität: InP weist eine fast zehnmal höhere Elektronenmobilität auf als Silizium, was es perfekt für Hochgeschwindigkeitstransistoren und Verstärker in Telekommunikations- und Radarsystemen macht.