|
Detailinformationen |
|||
| Orientierung: | < 100> oder < 111> | Widerstand: | 1-10 Ohm-cm (oder wie angegeben) |
|---|---|---|---|
| TTV: | ≤ 2 μm | Verbeugen: | ≤ 40 μm |
| Warpgeschwindigkeit: | ≤ 40 μm | Partikelzahl: | ≤ 50 @ ≥ 0,12 μm |
| LTV: | ≤ 1 μm (in einem Bereich von 20 mm x 20 mm) | Flachheit (GBIR): | ≤ 0,5 μm (globaler Idealbereich für die Rückseite) |
| Hervorheben: | mit einer Breite von nicht mehr als 20 mm,12 Zoll Silikon-Wafer,P-Art Siliziumscheibe |
||
Produkt-Beschreibung
2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll 12 Zoll Si-Wafer Silizium-Wafer Polieren Undoped P-Typ N-Typ Halbleiter
Beschreibung der Si-Wafer:
Siliziumwafer ist ein Material, das zur Herstellung von Halbleitern verwendet wird, die in allen Arten von elektronischen Geräten zu finden sind, die das Leben der Menschen verbessern.Silizium ist das zweithäufigste Element im Universum.Die meisten Menschen haben in ihrem Leben die Gelegenheit gehabt, auf eine echte Siliziumwafer zu stoßen.Diese superflache Scheibe wird zu einer spiegelähnlichen Oberfläche verfeinertDarüber hinaus besteht es aus subtilen Oberflächenunregelmäßigkeiten, die es zum flachsten Objekt der Welt machen.Eigenschaften, die wesentlich sind, um es zum perfekten Substrat für moderne Halbleiter zu machen.
Der Charakter von Si Wafer:
Young's Modulus: ca. 130-185 GPa, was auf die Steifheit der 300 mm großen Siliziumwafer hinweist
Silikon hat eine geringe Bruchfestigkeit, was bedeutet, dass es unter Belastung anfällig für Risse ist.
Wärmeleitfähigkeit: ca. 149 W/m·K bei 300 K, was relativ hoch ist und für die Ableitung von Wärme in elektronischen Geräten von Vorteil ist.
Thermischer Expansionskoeffizient: ca. 2,6 x 10^-6 /K, was anzeigt, wie stark sich die Wafer mit Temperaturänderungen ausdehnt.
Band Gap: Silizium hat eine indirekte Bandlücke von etwa 1,1 eV bei Raumtemperatur, was für die Herstellung elektronischer Geräte wie Transistoren geeignet ist.
Widerstandsfähigkeit: Abhängig vom Doping; intrinsisches Silizium hat einen hohen Widerstand (~10^3 Ω·cm), während doptiertes Silizium Widerstände von 10^-3 bis 10^3 Ω·cm haben kann.
Dielektrische Konstante: etwa 11,7 bei 1 MHz, was sich auf die Kapazität von aus Silizium hergestellten Geräten auswirkt.
Chemische Stabilität: Silizium ist chemisch stabil und resistent gegen die meisten Säuren und Alkalien bei Raumtemperatur, mit Ausnahme von Fluorwassersäure (HF).
Oxidation: Bei hoher Temperaturen bildet Silizium eine natürliche Oxidschicht (SiO2), die bei der Herstellung von Halbleitergeräten zur Isolierung und zum Schutz von Schichten verwendet wird.
Form von SiWafer:
| Parameter/Eigenschaft | Beschreibung/Spezifikation |
| Art des Materials | Einkristallisches Silizium |
| Reinheit | 990,9999% (6N) oder mehr |
| Durchmesser | 2 Zoll, 3 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll, 8 Zoll, 12 Zoll, usw. |
| Stärke | Standarddicke oder nach Kundenanforderungen angepasst |
| Kristallorientierung | Die Daten werden in der Tabelle 1 aufgeführt. |
| Orientierung | Genauigkeit ± 0,5° oder mehr |
| Ausmaß der Abweichung | mit einer Präzision von ± 5 μm oder mehr |
| Flachheit | ≤ 1 μm oder besser |
| Oberflächenrauheit | < 0,5 nm RMS oder weniger |
Physische Fotos von Si Wafer:
Anwendung von Si-Wafer:
1. Produktion von Mikrochips und Fertigung von integrierten Schaltungen
2. MEMS und mikroelektromechanische Systeme
3. Herstellung von Halbleitern und Sensoren
4. LED-Beleuchtung und Laserdioden
5. Solarzellen/Photovoltaikzellen und Wafer
6. Komponenten optischer Geräte
7. FuE Prototypenbau und -prüfung
Anwendungsbilder von Si-Wafer:
Verpackungsbild von SiWafer:
Anpassung:
Wir können die Größe, Dicke und Form anpassen, einschließlich der folgenden Aspekte:
Kristallorientierung: Zu den gängigen Orientierungen für 300mm-Siliziumwafer gehören <100>, <110> und <111>, von denen jede unterschiedliche elektronische Eigenschaften und Vorteile für verschiedene Anwendungen bietet.
Dopantien: 300 mm Siliziumwafer können mit Elementen wie Phosphor (N-Typ), Bor (P-Typ), Arsen und Antimon doppiert werden, um ihre elektrischen Eigenschaften zu verändern.
Dopingkonzentration: kann je nach Anwendung stark variieren,von sehr niedrigen Konzentrationen (~10^13 Atome/cm^3) für Wafer mit hoher Widerstandskraft bis zu sehr hohen Konzentrationen (~10^20 Atome/cm^3) für Wafer mit geringer Widerstandskraft.
Häufige Fragen:
1.F: Wofür wird ein Siliziumwafer verwendet?
A:In der Elektronik ist ein Wafer (auch als Scheib oder Substrat bezeichnet) ein dünnes Scheibchen Halbleiter, z. B. kristallines Silizium (c-Si, Silizium), das zur Herstellung von integrierten Schaltungen verwendet wird undin der Photovoltaik, zur Herstellung von Solarzellen.
2.F: Was ist der Unterschied zwischen einer Siliziumwafer und einem Chip?
A: Während Chips und Wafer in der Elektronik typischerweise austauschbar verwendet werden, gibt es einige bemerkenswerte Unterschiede zwischen den beiden.Einer der Hauptunterschiede besteht darin, daß ein Chip oder eine integrierte Schaltung eine Zusammenstellung von Elektronik ist, während ein Wafer ein dünnes Stück Silizium ist, das zur Bildung von integrierten Schaltungen verwendet wird.
Produktempfehlung:
1.6 Zoll N-Typ Polster-Silizium-Wafer mit hochreiner PVD- / CVD-Beschichtung
2.8 Zoll GaN-on-Si Epitaxy Si Substrat 110 111 110 für MOCVD-Reaktoren oder RF-Energieanwendungen