N-InP-Substratbandbreite 02:2.5G-Wellenlänge 1270 nm Epi-Wafer für FP-Laserdiode

N-InP-Substratbandbreite 02:2.5G-Wellenlänge 1270 nm Epi-Wafer für FP-Laserdiode

Übersicht über das N-InP-Substrat FP Epiwafer

Unser N-InP Substrate FP Epiwafer ist eine leistungsstarke epitaxiale Wafer für die Herstellung von Fabry-Pérot (FP) Laserdioden, speziell für optische Kommunikationsanwendungen optimiert.Dieser Epiwafer verfügt über ein N-Typ-Indium-Phosphid (N-InP) Substrat, ein Material, das für seine hervorragenden elektronischen und optoelektronischen Eigenschaften bekannt ist und somit ideal für Hochgeschwindigkeits- und Hochfrequenzgeräte geeignet ist.

Der Epiwafer ist für die Herstellung von Laserdioden mit einer Wellenlänge von 1270 nm ausgelegt.die eine kritische Wellenlänge für CWDM-Systeme in Glasfaserkommunikation darstelltDie präzise Steuerung der Zusammensetzung und Dicke der epitaxialen Schicht sorgt für eine optimale Leistung, wobei die FP-Laserdiode eine Betriebsbandbreite von bis zu 2,5 GHz erreichen kann.Diese Bandbreite macht das Gerät gut geeignet für die Hochgeschwindigkeitsdatenübertragung, die Anwendungen unterstützen, die eine schnelle und zuverlässige Kommunikation erfordern.

Die Fabry-Pérot-Hohlraumstruktur (FP) der Laserdiode, unterstützt durch die hochwertigen epitaxialen Schichten auf dem InP-Substrat,gewährleistet die Erzeugung eines kohärenten Lichts mit minimalem Lärm und hoher EffizienzDieser Epiwafer ist so konzipiert, dass er eine gleichbleibende, zuverlässige Leistung liefert, was ihn zu einer ausgezeichneten Wahl für Hersteller macht, die fortschrittliche Laserdioden für die Telekommunikation herstellen wollen.Datenzentren, und andere Hochgeschwindigkeitsnetzwerkumgebungen.

Zusammenfassend ist unser N-InP Substrat FP Epiwafer eine kritische Komponente für fortschrittliche optische Kommunikationssysteme, die ausgezeichnete Materialeigenschaften bietet, präzise Wellenlängen zielt,und hohe BetriebsbandbreiteEs bietet eine solide Grundlage für die Herstellung von FP-Laserdioden, die den hohen Anforderungen moderner Hochgeschwindigkeitskommunikationsnetze entsprechen.

Eigenschaften des N-InP-Substrats FP Epiwafer

The N-InP Substrate FP Epiwafer is characterized by a set of specialized properties that make it an ideal choice for the fabrication of Fabry-Pérot (FP) laser diodes used in high-performance optical communication systemsNachfolgend sind die wichtigsten Eigenschaften dieses Epiwafers aufgeführt:

1. Substratmaterial:

   • Typ: Indiumphosphat (N-InP) des Typs N
   • Eigenschaften: Hohe Elektronenmobilität, geringe Widerstandsfähigkeit und ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit, die es für Hochgeschwindigkeits-elektronische und optoelektronische Anwendungen geeignet machen.

1. Epitaxialschicht:

   • Wachstumstechnik: Auf dem N-InP-Substrat werden Epitaxialschichten mit Techniken wie der metallorganischen chemischen Dampfdeposition (MOCVD) oder der molekularen Strahl-Epitaxie (MBE) angebaut.
   • Schichtzusammensetzung: Präzise Kontrolle der Dopingkonzentration und der Materialzusammensetzung zur Erreichung der gewünschten elektronischen und optischen Eigenschaften.

2. Wellenlänge:

   • Zielwellenlänge: 1270 nm
   • Anwendung: Ideal für die Grobwellenlängendivision multiplexing (CWDM) in Glasfaserkommunikationssystemen.

3. Bandbreite:

   • Betriebsbandbreite: bis zu 2,5 GHz
   • Leistung: geeignet für die Hochgeschwindigkeits-Datenübertragung und gewährleistet eine zuverlässige Leistung in den Bereichen Telekommunikation und Datennetzwerke.

4. Fabry-Pérot-Hohlraum:

   • Struktur: Der Epiwafer unterstützt die Bildung einer Fabry-Pérot-Höhle, die für die Erzeugung kohärenten Lichts mit hoher Effizienz unerlässlich ist.
   • Laser-Eigenschaften: Erzeugt Laserdioden mit minimalem Lärm, stabiler Wellenlänge und hoher Ausgangsleistung.

5. Oberflächenqualität:

   • Polstern: Die Substratoberfläche ist stark poliert, um Defekte zu minimieren und eine hochwertige Epitaxialschicht mit minimalen Verwerfungen zu gewährleisten.

6. Thermische Eigenschaften:

   • Wärmeabbau: Die ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit des N-InP-Substrats unterstützt eine effektive Wärmeableitung, die für die Aufrechterhaltung der Leistungsfähigkeit und Langlebigkeit der Laserdiode entscheidend ist.

7. Anwendungsfähigkeit:

   • Zielgeräte: für FP-Laserdioden, die in optischen Kommunikationssystemen, Rechenzentren und anderen Hochgeschwindigkeitsnetzwerkumgebungen verwendet werden.

Diese Eigenschaften tragen zusammen zur Fähigkeit des Epiwafer® bei, die Herstellung von hochwertigen FP-Laserdioden zu unterstützen.die strengen Anforderungen moderner optischer Kommunikationstechnologien erfüllen.

Anwendungen von N-InP-Substrat FP Epiwafer

Der N-InP Substrat FP Epiwafer ist eine entscheidende Komponente bei der Entwicklung fortschrittlicher optoelektronischer Geräte, insbesondere Fabry-Pérot (FP) Laserdioden.Seine Eigenschaften machen es für eine Vielzahl von Anwendungen in der Hochgeschwindigkeitskommunikation und verwandten Bereichen geeignetHier sind die wichtigsten Anwendungen:

1. Optische Kommunikationssysteme:

   • Glasfaserübertragung: Der Epiwafer ist ideal für die Herstellung von FP-Laserdioden geeignet, die auf der Wellenlänge von 1270 nm arbeiten und häufig in Grobwellenlängendivision-Multiplexing (CWDM) -Systemen verwendet werden.Diese Systeme verwenden eine präzise Wellenlängenregelung, um mehrere Datenkanäle über eine einzige Faser zu übertragen, die Bandbreite ohne zusätzliche Fasern erhöht.
   • Hochgeschwindigkeitsdatenverbindungen: Die Wafer unterstützt Laserdioden mit einer Betriebsbandbreite von bis zu 2,5 GHz, was sie für Hochgeschwindigkeits-Datenübertragungsanwendungen geeignet macht.einschließlich Metropolnetze (MAN) und Fernoptiknetze.

2. Datenzentren:

   • Verbindungen: Aus diesem Epiwafer hergestellte FP-Laserdioden werden in optischen Verbindungen in Rechenzentren eingesetzt, in denen eine hohe Geschwindigkeit und geringe Latenzkommunikation von entscheidender Bedeutung sind.Diese Laser sorgen für eine effiziente Datenübertragung zwischen Servern., Speichersysteme und Netzwerkgeräte.
   • Infrastruktur für Cloud Computing: Da Cloud-Dienste immer höhere Datenraten verlangen, tragen FP-Laserdioden dazu bei, die Leistung und Zuverlässigkeit von Rechenzentrumsnetzwerken zu gewährleisten,verteilte Rechenumgebungen.

3. Telekommunikation:

   • 5G-Netzwerke: Der Epiwafer wird bei der Herstellung von Laserdioden für die 5G-Telekommunikationsinfrastruktur verwendet, wo hohe Datenraten und zuverlässige Verbindungen erforderlich sind.FP-Laserdioden liefern die für die Datenübertragung über das Backbone von 5G-Netzwerken erforderlichen optischen Signale.
   • FTTx (Faser bis zum x): Diese Technologie beinhaltet den Einsatz von Glasfasernetzen näher an den Endnutzern (Heimen, Unternehmen) und FP-Laserdioden sind Schlüsselkomponenten der in FTTx-Systemen verwendeten optischen Sender.

4. Prüf- und Messgeräte:

   • mit einer Leistung von mehr als 1000 W: Die aus diesem Epiwafer hergestellten FP-Laserdioden werden in optischen Spektrumanalysatoren eingesetzt, die wesentliche Werkzeuge für die Prüfung und Messung der Leistung optischer Kommunikationssysteme sind.
   • Optische Kohärenz-Tomographie (OCT): In der medizinischen Bildgebung, insbesondere in OCT-Systemen, bieten FP-Laserdioden die notwendige Lichtquelle für die hochauflösende Bildgebung biologischer Gewebe.

5. Messtechnik und Messtechnik:

   • Optische Sensoren: Die Präzision und Stabilität der FP-Laserdioden machen sie für den Einsatz in optischen Sensoren für Umweltüberwachung, industrielle Prozesssteuerung und biomedizinische Anwendungen geeignet.
   • Abstands- und Positionierungssysteme: FP-Laserdioden werden auch in Systemen eingesetzt, die eine präzise Entfernungsmessung erfordern, wie z. B. LIDAR (Light Detection and Ranging) und andere Positionierungstechnologien.

Die Vielseitigkeit und leistungsstarke Eigenschaften des N-InP Substrate FP Epiwafer® machen ihn zu einem Eckpfeiler für eine Vielzahl von Spitzentechnologien in der optischen Kommunikation, Rechenzentren,Telekommunikation, und darüber hinaus.

N-InP Substrat FP Epiwafer Fotos