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Detailinformationen |
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| Substrate: | InP Laser Epitaxial Wafe | Polishing: | DSP SSP |
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| PL Wavelength Control:: | Better Than 3nm | PL Wavelength Uniformity:: | Std. Dev Better Than 1nm @inner 42mm |
| P-InP Doping (cm-3):: | Zn Doped; 5e17 To 2e18 | N-InP Doping (cm-3):: | Si Doped; 5e17 To 3e18 |
| Hervorheben: | 2 Zoll InP Laser Epitaxial Wafer,Ein 3-Zoll-Laser-Epitaxial-Wafer.,Halbleiter-InP-Laser-Epitaxialwafer |
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Produkt-Beschreibung
2 Zoll 3 Zoll InP Laser Epitaxial Wafer Indium Phosphid Epi Wafer Halbleiter Anpassen FP Laserdiode
Beschreibung der InP Laser-Epitaxialwafer:
Indium-Phosphid (InP) ist ein wichtiges Halbleitermaterial, mit dem optische Systeme die Leistung liefern können, die für Rechenzentren, mobile Backhaul, U-Bahn und Fernanwendungen erforderlich ist.Auf inP-Epitaxialwafern hergestellte Photodioden und Wellenleitungen arbeiten am optimalen Übertragungsfenster der Glasfaser, die eine effiziente Glasfaserkommunikation ermöglichen.
InP-Laser-Epitaxialwafer ist ein spezialisiertes Halbleiter-Substrat, das aus mehreren Schichten verschiedener Materialien besteht, die auf einer Indiumphosphidwafer (InP) durch epitaxiale Wachstumstechniken angebaut werden.Diese zusätzlichen Schichten werden sorgfältig konstruiert, um Strukturen zu schaffen, die für Laseranwendungen geeignet sind.
InP-Laser-Epitaxialwafer sind entscheidende Komponenten bei der Herstellung von Halbleiterlasern, einschließlich Rand-Emissionslasern und vertikal-Hohlraum-Oberflächen-Emissionslasern (VCSELs).Die epitaxialen Schichten sind mit spezifischen optischen und elektrischen Eigenschaften ausgelegt, um eine effiziente Lichtemission und -verstärkung zu ermöglichen, so dass sie in verschiedenen optoelektronischen Geräten für Telekommunikation, Sensorik und andere Anwendungen, die Lasertechnologie erfordern, unerlässlich sind.
Die Eigenschaften der InP Laser Epitaxial Wafer:
Optische Eigenschaften:
Emissionswellenlänge: Abstimmbare Emissionswellenlänge im Infrarotspektrum.
Hohe Quantenwirksamkeit: Effiziente Lichtemissions- und Verstärkungseigenschaften.
Niedriger Absorptionskoeffizient: Ermöglicht geringe optische Verluste im Material.
Strukturelle Eigenschaften:
Schichtartige Epitaxialstruktur: besteht aus mehreren Schichten verschiedener Halbleitermaterialien, die auf einem InP-Substrat angebaut werden.
Glatte Oberfläche: Eine einheitliche und fehlerfreie Oberfläche ist entscheidend für die Leistung des Lasers.
Kontrollierte Dicke: Die Dicke jeder Schicht wird für spezifische optische und elektrische Eigenschaften genau kontrolliert.
Elektrische Eigenschaften:
Trägermobilität: Hohe Trägermobilität für einen effizienten Ladungstransport.
Niedrige Defektdichte: Wenige Kristallfehler für eine verbesserte elektronische Leistung.
P-N-Verbindungsbildung: Fähigkeit zur Bildung von p-n-Verbindungen für den Laserbetrieb.
Thermische Eigenschaften:
Hohe Wärmeleitfähigkeit: Effiziente Ableitung der Wärme, die beim Laserbetrieb erzeugt wird.
Wärmestabilität: Erhält die Strukturintegrität unter unterschiedlichen Betriebsbedingungen.
Herstellbarkeit:
Kompatibilität: Kompatibel mit Standardprozessen der Halbleiterherstellung.
Einheitlichkeit: Konsistente Eigenschaften über die Wafer für die Massenproduktion.
Anpassbarkeit: Maßgeschneiderte epitaxiale Designs für spezifische Laseranwendungen.
Form der InP Laser-Epitaxialwafer:
| Produktparameter | DFB-Epitaxialwafer | Hochleistungs-DFB-Epitaxialwafer | Silicon Photonics Epitaxial Wafer |
| Zinssatz | 10G/25G/50G | / | / |
| Wellenlänge | 1310 nm | ||
| Größe | 2/3 Zoll | ||
| Produktmerkmale | CWDM 4/PAM 4 | BH-Technik | PQ /AlQ DFB |
| PL Wellenlängenregelung | Besser als 3nm | ||
| LPL-Wellenlänge-Einheitlichkeit | Std.Dev besser als 1nm @inner | ||
| Dickenkontrolle | 42mmBesser als +3% | ||
| Einheitlichkeit der Dicke | Besser als +3% @inner 42mm | ||
| Dopingkontrolle | Besser als +10% | ||
| P-lnP-Doping (cm-3) | Zn-Doped; 5e17 bis 2e18 | ||
| N-InP-Doping (cm-3) | Si doppiert; 5e17 bis 3e18 | ||
Physikalisches Foto von InP Laser Epitaxial Wafer:
EPl-Schicht-Standardstruktur der InP-Laser-Epitaxialwelle:
Anwendung von InP Laser Epitaxial Wafer:
Laserdioden: geeignet für Randlaser und VCSELs.
Telekommunikation: Wichtig für optische Kommunikationssysteme.
Sensing und Bildgebung: In optischen Sensoren und Bildgebungsanwendungen verwendet.
Medizinische Geräte: In medizinischen Lasersystemen verwendet.
Anwendungsbild von InP Laser Epitaxial Wafer:
Häufige Fragen:
1.F: Was ist ein Epitaxialwafer?
A:Ein epitaxialer Wafer (auch Epi-Wafer, Epi-Wafer oder Epiwafer genannt) ist ein Wafer aus Halbleitermaterial, der durch epitaxielles Wachstum (Epitaxie) für die Photonik, Mikroelektronik, Spintronik,oder Photovoltaik.
2.F: Was sind die Vorteile von InP?
A:Die besonderen Vorteile, die InP-Wafer bieten:Hohe Elektronenmobilität: InP weist eine fast zehnmal höhere Elektronenmobilität auf als Silizium,so dass es perfekt für Hochgeschwindigkeitstransistoren und Verstärker in Telekommunikations- und Radarsystemen geeignet ist.
Produktempfehlung:
1.8 Zoll GaN-on-Si Epitaxy Si Substrat 110 111 110 für MOCVD-Reaktoren oder RF-Energieanwendungen
2.InP Wafer 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll VGF P Typ N Typ Depant Zn S Fe Undoped Prime Grade Testgrad
Schlüsselwort: InP Laser Epitaxial Wafe;InP