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Detailinformationen |
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| PL Wavelength control: | Better than 3nm | PLWavelength uniformity: | Std, Dev better than inm @inner 42mm |
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| Thickness control: | Better than ±3% | Thickness uniformity: | Better than ±3% @inner 42mm |
| Doping control: | Better than ±10% | P-InP doping (cm-*): | Zn doped: 5e17 to 2e18 |
| N-InP doping (cm 3): | Si doped: 5e17 to 3e18 | AllnGaAs-Doping (cm3): | 1e17 bis 2e18 5e17 bis 1e19 |
| InGaA-Doping (cm·*): | 5e14 bis 4e19 | ||
| Hervorheben: | 1390nm InP DFB Epiwafer,6 Zoll InP Substrat |
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Produkt-Beschreibung
InP DFB Epiwafer Wellenlänge 1390nm InP Substrat 2 4 6 Zoll für 2,5 ~ 25G DFB Laserdiode
InP DFB Epiwafer InP-Substrat-Brief
InP DFB Epiwafers, die für Wellenlängen von 1390 nm entwickelt wurden, sind kritische Komponenten, die in Hochgeschwindigkeitsoptischen Kommunikationssystemen, insbesondere für 2.5 Gbps bis 25 Gbps DFB (Distributed Feedback) LaserdiodenDiese Wafer werden auf Indium-Phosphid (InP) Substraten angebaut, wobei fortschrittliche MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) -Techniken verwendet werden, um qualitativ hochwertige epitaxial Schichten zu erzielen.
Der aktive Bereich des DFB-Lasers wird typischerweise mit InGaAlAs oder InGaAsP-Quaternär-Mehrfach-Quantenbrunnen (MQWs) hergestellt, die als Spannungskompensatoren konzipiert sind.Dies gewährleistet optimale Leistung und Stabilität für die HochgeschwindigkeitsdatenübertragungDie Wafer sind in verschiedenen Substratgrößen erhältlich, darunter 2-Zoll-, 4-Zoll- und 6-Zoll-Wafer, um den unterschiedlichen Produktionsanforderungen gerecht zu werden.
Die Wellenlänge von 1390 nm ist ideal für optische Kommunikationssysteme geeignet, die eine präzise Ein-Modus-Ausgabe mit geringer Dispersion und geringem Verlust erfordern.besonders geeignet für Kommunikationsnetze mit mittlerer Reichweite und Anwendungen im Bereich der SensorikDie Kunden können entweder selbst mit der Formung des Gitters umgehen oder Epihaus-Dienstleistungen anfordern, einschließlich des Wiederaufbaus für weitere Anpassungen.
Diese Epiwafer sind speziell auf die Anforderungen moderner Telekommunikations- und Datenkommunikationssysteme ausgelegt.Hochleistungslösungen für optische Transceiver und Lasermodule in Hochgeschwindigkeitsnetzen.
InP DFB Epiwafer Struktur des InP-Substrats
InP DFB Epiwafer InP-Substrats PL-Mapping-Prüfresultat
InP DFB Epiwafer Ergebnis der XRD- und ECV-Prüfung des InP-Substrats
InP DFB Epiwafer InP Substrat echte Fotos
InP DFB Epiwafer Eigenschaften des InP-Substrats
Eigenschaften von InP DFB Epiwafer auf InP Substrat
Substratmaterial: Indiumphosphat (InP)
- Verknüpfungen mit Gitter: InP sorgt für eine ausgezeichnete Gitterverknüpfung mit epitaxialen Schichten wie InGaAsP oder InGaAlAs und sorgt für ein qualitativ hochwertiges epitaxielles Wachstum mit minimalen Belastungen und Defekten,die für die Leistung von DFB-Lasern entscheidend ist.
- Direktes Bandgap: InP verfügt über eine direkte Bandbreite von 1,344 eV, was es ideal für die Ausstrahlung von Licht im Infrarotspektrum, insbesondere bei Wellenlängen wie 1,3 μm und 1,55 μm, die häufig in der optischen Kommunikation verwendet werden, macht.
Epitaxialschichten
- Aktivregion: Die aktive Region besteht typischerweise aus InGaAsP- oder InGaAlAs-quaternären Quantenquellen (MQWs).Sicherstellung einer effizienten Elektronenlochrekombination und eines hohen optischen Gewinns.
- Verkleidungsschichten: Diese Schichten sorgen für eine optische Einschränkung und sorgen dafür, daß das Licht in der aktiven Region bleibt, wodurch die Wirksamkeit des Lasers erhöht wird.
- Gitterschicht: Die integrierte Gitterstruktur sorgt für eine Rückkopplung für den Einsatz in einem Modus und sorgt für eine stabile Emission in enger Leitungsbreite.Das Gitter kann entweder vom Kunden hergestellt oder vom Epiwaferlieferanten angeboten werden.
Betriebswellenlänge:
- 1390 nm: Der DFB-Laser ist für den Betrieb bei 1390 nm optimiert, was für Anwendungen in der optischen Kommunikation, einschließlich U-Bahn- und Fernnetzen, geeignet ist.
Hochgeschwindigkeitsmodulationsfähigkeit:
- Der Epiwafer ist für den Einsatz in DFB-Lasern konzipiert, die Datenübertragungsgeschwindigkeiten von 2,5 Gbps bis 25 Gbps unterstützen, was ihn ideal für Hochgeschwindigkeitsoptische Kommunikationssysteme macht.
Temperaturstabilität:
- InP-basierte DFB-Epiwafer bieten eine ausgezeichnete Temperaturstabilität, die eine gleichbleibende Wellenlänge und eine zuverlässige Leistung in unterschiedlichen Betriebsumgebungen gewährleistet.
Ein-Modus- und schmale Linienbreite:
- DFB-Laser bieten einen Ein-Modus-Betrieb mit enger Spektralliniebreite, reduzieren Signalstörungen und verbessern die Integrität der Datenübertragung, was für Hochgeschwindigkeitskommunikationsnetze unerlässlich ist.
Der InP DFB Epiwafer auf einem InP-Substrat bietet eine ausgezeichnete Gitterverknüpfung, eine hohe Modulationsgeschwindigkeit, Temperaturstabilität und einen präzisen Ein-Modus-Betrieb.Damit ist es eine Schlüsselkomponente in optischen Kommunikationssystemen, die bei 1390 nm für Datenraten von 2.5 Gbps bis 25 Gbps.
Datenblatt
Weitere Daten finden Sie in unserem PDF-Dokument. Bitte klicken Sie darauf.ZMSH DFB inp Epiwafer.pdf