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Detailinformationen |
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| Cavity mode Tolerance: | Within ± 3% | Cavity mode Uniformity: | <= 1% |
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| Doping level tolerance: | Within ± 30% | Doping level Uniformity: | <= 10% |
| PL Wellenlängen-Einheitlichkeit: | Std. Dev besser als 2nm @inner 140mm | Gleichmäßigkeit der Dicke: | Besser als ± 3% @innere 140 mm |
| Mole fraction x tolerance: | Within ±0.03 | Mole fraction x Uniformity: | <= 0.03 |
| Hervorheben: | 350um VCSEL N-GaAs-Substrat,350um N-GaAs-Substrat,6 Zoll N-GaAs-Substrat |
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Produkt-Beschreibung
N-GaAs-Substrat 6 Zoll 350um Dicke für VCSEL Verwendung OptiWave VCSEL EpiWafer
Abstrakt des VCSEL-EpiWafer-N-GaAs-Substrats
DieVCSEL-EpiWafer auf N-GaAs-Substratfür Hochleistungsoptikanwendungen, insbesondere fürGigabit-EthernetundKommunikation über digitale DatenverbindungenEs ist auf einem 6-Zoll-Wafer gebaut und verfügt über eineLaser-Array mit hoher Einheitlichkeitund unterstützt zentrale optische Wellenlängen von850 nmund940 nmDie Struktur ist in beidenmit Oxid eingeschränktoderProtonimplantat VCSELDer Wafer ist für Anwendungen optimiert, die eine hohe Leistungsfähigkeit erfordern.geringe Abhängigkeit von elektrischen und optischen Eigenschaften gegenüber der Temperatur, so dass es ideal für den Einsatz inLasermäuse,optische Kommunikation, und andere temperaturempfindliche Umgebungen.
Struktur des VCSEL-EpiWafer-N-GaAs-Substrats
Foto des VCSEL-EpiWafer-N-GaAs-Substrats
Datenblatt des VCSEL-EpiWafer-N-GaAs-SubstratsZMSH VCSEL EPIWAFER.pdf
Eigenschaften des VCSEL-EpiWafer-N-GaAs-Substrats
DieVCSEL-EpiWafer auf N-GaAs-Substrathat mehrere wesentliche Eigenschaften, die es für Hochleistungsoptik geeignet machen:
N-GaAs-Substrat:
- Sie bietet hervorragendeelektrische Leitfähigkeitund dient als stabile Basis für das epitaxiale Wachstum von VCSEL-Strukturen.
- Angebotegeringe Defektdichte, was für einen leistungsfähigen und zuverlässigen Betrieb des Geräts von entscheidender Bedeutung ist.
Wellenlänge-Tunable:
- Unterstützt850 nmund940 nmSie ist daher ideal für Anwendungen inoptische Kommunikationund3D-Sensing.
Laser-Array mit hoher Einheitlichkeit:
- Sicherstellt eine gleichbleibende Leistung über die Wafer, entscheidend für Array-basierte Geräte inDatenzentrenundGlasfasernetzwerke.
Oxid- oder Protonimplantate:
- Erhältlich in:mit Oxid eingeschränktoderProtonimplantatVCSEL-Strukturen, die Flexibilität im Design bieten, um die Leistung für spezifische Anwendungen zu optimieren.
Wärmestabilität:
- für die Ausstellung bestimmtgeringe Abhängigkeit von elektrischen und optischen Eigenschaften über einen breiten Temperaturbereich, der einen stabilen Betrieb in temperaturempfindlichen Umgebungen gewährleistet.
Hochleistung und Geschwindigkeit:
- Die Struktur der Wafer unterstütztHochgeschwindigkeitsdatenübertragungundHochleistungsbetrieb, so dass es fürGigabit-Ethernet,Datenkommunikation, undLIDARSysteme.
Ausweitung:
- Das 6-Zoll-Waferformat ermöglichtkostengünstige Produktion, unterstützt die groß angelegte Herstellung und Integration in verschiedene optische Systeme.
Diese Eigenschaften machen den VCSEL epiWafer auf N-GaAs-Substrat ideal für Anwendungen, die hohe Effizienz, Temperaturstabilität und zuverlässige Leistung erfordern.