Si Wafer 8 Zoll Dicke 675 μm bis 775 μmP Typ N Typ 111 Doppelseitig poliert / Einseitig poliert

8 Zoll Si Wafer Si Substrat 111 P Typ N Typ für Mikroelektromechanische Systeme (MEMS) oder Leistungshalbleitergeräte oder optische Komponenten und Sensoren

Beschreibung des Produkts: Die 8-Zoll-Siliziumwafer mit (111) Kristallorientierung ist ein hochwertiges, einkristallines Material, das in der Halbleiterherstellung weit verbreitet ist.Die (111) Kristallorientierung liefert spezifische elektrische und mechanische Eigenschaften, die für verschiedene Hochleistungsanwendungen von Vorteil sind..

Hauptmerkmale:

• Durchmesser:8 Zoll (200 mm).
• Kristallorientierung:(111), die einzigartige Oberflächen­eigenschaften bieten, die für bestimmte Halbleiterprozesse und Geräte­eigenschaften ideal sind.
• Hohe Reinheit:Hergestellt mit einem hohen Reinheitsgrad zur Gewährleistung von Einheitlichkeit und geringen Defektraten, entscheidend für Halbleiter- und Mikroelektronikanwendungen.
• Oberflächenqualität:üblicherweise poliert oder gereinigt, um strenge Oberflächenanforderungen für die Herstellung von Geräten zu erfüllen.

Anwendungen:

• Leistungshalbleiter:Die Ausrichtung (111) wird in bestimmten Leistungseinrichtungen aufgrund ihrer hohen Abbruchspannung und günstigen thermischen Eigenschaften bevorzugt.
• MEMS (mikroelektromechanische Systeme):Häufig für Sensoren, Aktoren und andere Geräte in Mikroskala verwendet, dank seiner gut definierten Kristallstruktur.
• Optoelektronische Geräte:Geeignet für Anwendungen in Lichtstrahlgeräten und Photodetektoren, bei denen eine hohe Kristallqualität wichtig ist.
• Solarzellen:(111) -orientiertes Silizium wird auch in hocheffizienten Photovoltaikzellen verwendet, die von einer verbesserten Lichtabsorption und Trägermobilität profitieren.

Anwendungsbild von Si-Wafer:

Anpassungen:

• Dicke und Widerstandsfähigkeit:Diese können entsprechend den Kundenspezifikationen angepasst werden, um spezifische Anwendungsanforderungen zu erfüllen.
• Dopingart:P- oder N-Typ-Doping ist zur Anpassung der elektrischen Eigenschaften der Wafer verfügbar.

Diese Siliziumwaferart ist für eine Vielzahl von Halbleiteranwendungen entscheidend, da sie eine ausgewogene mechanische Festigkeit, elektrische Leistung und Bearbeitungsfreundlichkeit bietet.