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Detailinformationen |
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| Material: | Einzelkristall-Silizium-Wafer | Wachstums-Methode: | MCZ |
|---|---|---|---|
| Orientierung: | < 100> | Warpgeschwindigkeit: | 30 µm |
| - Ich weiß nicht.: | 30 µm | Typ/ Dopant: N/ Phosphor: | N/Phosphor |
| GBIR/TTV: | µm 5 | Einkerbung: | - Ja, das ist es. |
| Hervorheben: | 200 mm hochwertige Siliziumwafer,CZ-Siliziumwafer von erstklassiger Qualität,8 Zoll hochwertige Silizium-Wafer |
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Produkt-Beschreibung
8 Zoll Si-Wafer CZ 200 mm Prime Grade Silicon Wafer < 100>, SSP,DSP P-Typ,B-Dopant,für Halbleitermaterial
Produkteinführung: 8-Zoll- (200 mm) hochwertige Siliziumwafer
Silikonwafer bilden den Eckpfeiler der Halbleiterindustrie und erleichtern die Entwicklung moderner Innovationstechnologien.8 Zoll (200 mm) hochwertige Siliziumwaferist die Spitze der Material- und Fertigungsexzellenz, speziell für die Halbleiterherstellung und damit verbundene Anwendungen konzipiert.und makellose Oberflächenqualität, diese Wafer erfüllen die anspruchsvollen Bedürfnisse von Industriezweigen wie der Produktion von Mikrochips, der Herstellung von MEMS und der Photovoltaikanlage.
Hergestellt unter Verwendung vonCzochralski-Verfahren (CZ), dieses Wafer verfügt über eine<100> Kristallorientierung,P-Doping mit Bor, und Optionen für einseitig polierte (SSP) oder doppelseitig polierte (DSP) Oberflächen.und minimale Partikelkontamination machen es zu einer zuverlässigen Wahl für führende Halbleiterfabriken, Forschungsinstitutionen und Bildungseinrichtungen weltweit.
1.Schlüsselmerkmale
| Spezifikation | Wert |
|---|---|
| Durchmesser | 200 mm ± 0,2 mm |
| Wachstumsmethode | Czochralski (CZ) |
| Bogen | ≤ 30 μm |
| WARP | ≤ 30 μm |
| Gesamtdickenvariation (TTV) | ≤ 5 μm |
| Partikel | ≤ 50 (≥ 0,16 μm) |
| Sauerstoffkonzentration | ≤ 18 ppm |
| Kohlenstoffkonzentration | ≤ 1 ppm |
| Oberflächenrauheit (Ra) | ≤ 5 Å |
Diese Spezifikationen zeigen die außergewöhnliche Maßgenauigkeit, strukturelle Integrität und chemische Reinheit der Wafer, die für fortschrittliche Fertigungsprozesse unerlässlich sind.
2.Wesentliche Merkmale
2.1 Höchste Qualität
Unsere Siliziumwafer sind ausneues, reines monokristallines SiliziumDies gewährleistet eine optimale Leistung in allen Phasen der Halbleiterherstellung.
2.2 Epi-Ready-Oberfläche
Jede Wafer wird poliert, um eine hochwertige epi-fähige Oberfläche zu erhalten, die sie für die epitaxiale Ablagerung und andere kritische Prozesse geeignet macht.Die ultraglatte Oberfläche minimiert Defekte und erhöht den Ertrag der nachgelagerten Prozesse.
2.3 Überschreitet die Industriestandards
Unsere 8-Zoll-Silizium-Wafer treffen und oft übertreffenSEMI-Norm M1-0302Dies gewährleistet die Kompatibilität mit der weltweiten Halbleiterherstellungsanlage und -technik.
2.4 Umfassende Qualitätskontrolle
Jede Wafer wird sorgfältig untersucht und auf Parameter wie TTV, BOW, WARP, Partikeldichte und Widerstandsgleichheit getestet.Dieses strenge Qualitätssicherungsprozess gewährleistet fehlerfreie und zuverlässige Wafer für jede Anwendung.
2.5 Sichere Verpackung
Um Verunreinigungen und physische Schäden zu vermeiden, werden die Wafer inUltra-reine PP-Kassetten, versiegeltmit einer Breite von mehr als 20 mm,unterBedingungen für Reinräume der Klasse 100So wird sichergestellt, dass die Wafer in unberührtem Zustand ankommen und sofort verwendet werden können.
2.6 Kostenwirksame Lösungen
Unsere Wafer sind preislich konkurrenzfähig und bei Großbestellungen erhältlich, was sie sowohl für die industrielle Produktion als auch für Forschungsprojekte zu einer ausgezeichneten Wahl macht.
2.7 Konformitätsbescheinigung (COC)
Jede Lieferung enthält ein Konformitätszertifikat, das die Spezifikationen der Wafer und die Einhaltung der Industriestandards überprüft.Diese Dokumentation gibt den Kunden Sicherheit in Bezug auf die Qualität und Echtheit des Produkts.
3.Anwendungen
Die Vielseitigkeit und die hohe Leistung des 8-Zoll-Prime Grade Silicon Wafers machen es für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet:
3.1 Herstellung von Halbleitern
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Produktion von Mikrochips und IC-Fabrikation:
Die kristallene Ausrichtung und die hohe Reinheit der Wafer sind ideal für die Herstellung von integrierten Schaltungen, Prozessoren und Speicherchips geeignet, die Fortschritte in den Bereichen Computer und Telekommunikation unterstützen. -
Leistungshalbleitergeräte:
Seine stabilen elektrischen Eigenschaften und minimalen Defekte machen es zu einer zuverlässigen Wahl für die Herstellung von Isolier-Gate-Bipolartransistoren (IGBTs) und Metalloxid-Halbleitersfeldwirkungstransistoren (MOSFETs).
3.2 MEMS und Sensoren
Die außergewöhnliche Flachheit und präzise Dimension dieser Wafer sind für die Herstellung von MEMS-Geräten, einschließlich Beschleunigungsmessgeräten, Gyroskopen und Drucksensoren, von entscheidender Bedeutung.
3.3 Photonik und Optoelektronik
- LED-Beleuchtung und Laserdioden:
Die Wafer haben eine minimale Oberflächenrauheit und niedrige Verunreinigungswerte, die für eine effiziente Lichtemission und eine zuverlässige Leistung des Geräts von entscheidender Bedeutung sind. - Komponenten für optische Geräte:
Sie dienen als Substrat für die Herstellung hochpräziser Linsen und Spiegel in optischen Systemen.
3.4 Solarphotovoltaik-Anwendungen
Durch ihre überlegene Kristallqualität und ihre gleichbleibenden elektrischen Eigenschaften werden diese Wafer zur Herstellung hocheffizienter Photovoltaikzellen verwendet.
3.5 Forschung und Entwicklung
Ihre individualisierbaren Spezifikationen und die Verfügbarkeit in kleineren Mengen machen sie zu einer bevorzugten Wahl für F&E-Projekte an Universitäten, Pilotlinien und Innovationslabors.
4.Vorteile des 8-Zoll-Siliziumwafers
4.1 Außergewöhnliche Reinheit und Flachheit
Die Wafer weisen eine sehr geringe Sauerstoffbelastung (≤18 ppma) und eine hohe Kohlenstoffbelastung (≤1 ppma) auf, was eine verbesserte Leistung und Zuverlässigkeit des Geräts gewährleistet.und WARP werden innerhalb enger Toleranzen aufrechterhalten, um kritische Photolithographie- und Dünnschichtdepositionprozesse zu unterstützen.
4.2 Verbesserung der Oberflächenqualität
Die Oberflächenrauheit (Ra ≤ 5 Å) wird optimiert, um ein nahtloses epitaxielles Wachstum zu ermöglichen, um die Erträge zu verbessern und die Produktionskosten bei der Produktion in großen Mengen zu senken.
4.3 Globale Vertrauen und Kompatibilität
Diese Wafer werden weit verbreitetHalbleiterfabriken, FuE-Zentren und akademische EinrichtungenWeltweit dank ihrer Kompatibilität mit Standardverarbeitungsgeräten und internationalen Qualitätsstandards.
4.4 Vielseitige Anpassung
Von der Anpassung der Widerstandsfähigkeit bis zur Ablagerung der Oxidschicht können diese Wafer auf spezifische Kundenanforderungen zugeschnitten werden, um eine große Bandbreite an Anwendungen zu gewährleisten.
5.Herstellungsprozess
DieCzochralski-Verfahren (CZ)Diese fortschrittliche Technik sorgt für die Schaffung einer einheitlichen Kristallgitterstruktur mit minimalen Defekten.Die Waffeln sind geschnitten.Das Endprodukt ist ein Inbegriff von Präzisionstechnik und bietet eine außergewöhnliche Leistung für verschiedene Anwendungen.
6.Umweltverträglichkeit
Die Produktion der Wafer erfolgt in ISO-zertifizierten Anlagen.RoHSDiese Verpflichtung stellt sicher, dass unsere Produkte sowohl Leistungs- als auch Nachhaltigkeitsziele erfüllen.
7.Schlussfolgerung
Die8 Zoll (200 mm) hochwertige SiliziumwaferEs ist ein Beispiel für Exzellenz in der Materialwissenschaft und Halbleiterherstellung.und außergewöhnliche Oberflächen-Eigenschaften machen es zu einer wichtigen Komponente für die Entwicklung fortschrittlicher Technologien.
Mit seiner Vielseitigkeit, Zuverlässigkeit und Einhaltung von Industriestandards ist diese Wafer eine zuverlässige Wahl für Anwendungen von der Halbleiterproduktion bis hin zur F&E-Prototyping.Ob Sie die nächste Generation von Chips herstellen, die Erstellung von MEMS-Geräten oder die Erforschung neuer Horizonte in der Photonik, bieten diese Wafer die Grundlage für den Erfolg.
Indem Sie unsere 8-Zoll-Silizium-Wafer wählen, investieren Sie in ein Produkt, das technische Überlegenheit, globales Vertrauen,und wettbewerbsfähige Preise eine wirklich unschlagbare Kombination in der Halbleiterindustrie.