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SOI-Wafer P Typ N Typ 6 Zoll 8 Zoll 12 Zoll Oberflächenpolier SSP/DSP
Produktdetails:
| Herkunftsort: | China |
| Markenname: | ZMSH |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 25 |
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| Preis: | undetermined |
| Verpackung Informationen: | Schaumstoff+karton |
| Lieferzeit: | 2-4weeks |
| Zahlungsbedingungen: | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 1000 PCS/Woche |
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Detailinformationen |
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| Oberste Silikonschichtdicke: | 0.1 - 20 μm | Dicke der vergrabenen Oxidschicht: | 0.1 - 3 μm |
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| Substrat-Art: | Silikon (Si), hochresistives Silikon (HR-Si) oder andere | Geräteschichtwiderstand: | 1 - 10.000Ω·cm |
| Oxidschichtwiderstand: | 1 × 106 bis 108Ω·cm | Wärmeleitfähigkeit: | 1.5 - 3,0 W/m·K |
| Hervorheben: | 8 Zoll SOI Wafer,12 Zoll SOI-Wafer,6 Zoll SOI-Wafer |
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Produkt-Beschreibung
SOI-Wafer P Typ N Typ 6 Zoll 8 Zoll 12 Zoll Oberflächenpolier SSP/DSP
Zusammenfassung von SOI-Wafer
Silicon on Insulator (SOI) ist eine fortgeschrittene Halbleitertechnologie, bei der eine dünne Isolationsschicht, typischerweise Siliziumdioxid (SiO2),wird zwischen dem Siliziumsubstrat und der aktiven Siliziumschicht eingefügtDiese Struktur reduziert die parasitäre Kapazität erheblich, verbessert die Schaltgeschwindigkeit, senkt den Stromverbrauch und erhöht die Strahlungsbeständigkeit im Vergleich zur traditionellen Massensilikontechnologie.
SOI steht für Silicon-on-Isolator, oder Silicon On a Substrate, das eine Schicht von vergrabenem Oxid zwischen der oberen Schicht von Silizium und dem zugrunde liegenden Substrat einführt.
Spezifikation der SOI
| Wärmeleitfähigkeit | Relativ hohe Wärmeleitfähigkeit |
| Aktive Schichtdicke | Typischerweise reicht es von wenigen bis mehreren Zehnern Nanometer (nm) |
| Waferdurchmesser | 6 Zoll, 8 Zoll, 12 Zoll |
| Prozessvorteile | Höhere Leistung des Geräts und geringerer Stromverbrauch |
| Leistungsvorteile | Ausgezeichnete elektrische Eigenschaften, reduzierte Größe des Geräts, minimale Überspannung zwischen elektronischen Komponenten |
| Widerstand | Typischerweise reicht es von mehreren hundert bis zu Tausenden von Ohm-cm |
| Eigenschaften des Stromverbrauchs | Niedriger Stromverbrauch |
| Konzentration der Unreinheit | Niedrige Verunreinigungskonzentration |
| Siliziumunterstützung auf Isolatorwafer | SOI Siliziumwafer 4-Zoll, CMOS Drei-Schicht-Struktur |
Struktur der SOI
SOI-Wafer bestehen typischerweise aus drei Hauptschichten:
1.Oberste Siliziumschicht (Geräteschicht): Die dünne Siliziumschicht, in der Halbleitergeräte hergestellt werden.
2.Begrabene Oxid-Schicht (BOX): Eine dünne Schicht aus Siliziumdioxid (SiO2), die eine elektrische Isolierung bietet.
3.Handle Wafer (Substrat): Eine mechanische Trägerschicht, üblicherweise aus Silizium oder anderen Hochleistungsmaterialien.
Die Dicke sowohl der oberen Silizium- als auch der vergrabenen Oxidschichten kann angepasst werden, um die Leistung für bestimmte Anwendungen zu optimieren.
Herstellungsprozesse von SOI
SOI-Wafer werden mit drei Hauptmethoden hergestellt:
1.SIMOX (Trennung durch implantierten Sauerstoff)
Dazu gehört, Sauerstoff-Ionen in eine Silizium-Wafer zu implantieren und sie bei hohen Temperaturen zu oxidieren, um eine vergrabene Oxidschicht zu bilden.
Produziert hochwertige SOI-Wafer, ist aber relativ teuer.
2.Smart CutTM (entwickelt von Soitec, Frankreich)
Verwendet Wasserstoff-Ionen-Implantation und Waferbindung, um SOI-Strukturen zu erzeugen.
Die am weitesten verbreitete Methode bei der kommerziellen Herstellung von SOI.
3.Waferbindung und Rückgratung
Es geht darum, zwei Siliziumwafer zu verbinden und eine auf die gewünschte Dicke zu gravieren.
Verwendet bei dicken SOI und speziellen Anwendungen.
Anwendungen von SOI
Aufgrund seiner einzigartigen Leistungsvorteile wird die SOI-Technologie in verschiedenen Branchen weit verbreitet:
1.Hochleistungsrechner (HPC)
Unternehmen wie IBM und AMD verwenden SOI in High-End-Server-CPUs, um die Verarbeitungsgeschwindigkeit zu steigern und den Stromverbrauch zu reduzieren.
SOI wird in Supercomputern und KI-Prozessoren weit verbreitet.
2.Mobilgeräte und Geräte mit geringer Leistung
Die FD-SOI-Technologie wird in Smartphones, Wearables und IoT-Geräten verwendet, um Leistung und Energieeffizienz auszugleichen.
Chiphersteller wie STMicroelectronics und GlobalFoundries produzieren FD-SOI-Chips für Anwendungen mit geringem Stromverbrauch.
3.RF und drahtlose Kommunikation (RF SOI)
RF SOI wird in der 5G, Wi-Fi 6E und Millimeterwellenkommunikation weit verbreitet.
Wird in HF-Switches, Geräuschschutzverstärkern (LNA) und HF-Front-End-Modulen (RF FEM) verwendet.
4.Automotive Elektronik
Power SOI wird in den Bereichen Elektrofahrzeuge (EV) und fortschrittliche Fahrerassistenzsysteme (ADAS) eingesetzt.
Sie ermöglicht den Betrieb bei hohen Temperaturen und hohen Spannungen und gewährleistet damit die Zuverlässigkeit unter rauen Bedingungen.
5.Silicon Photonics und optische Anwendungen
SOI-Substrate werden in Siliziumphotonik-Chips für die Hochgeschwindigkeitsoptische Kommunikation verwendet.
Dazu gehören Rechenzentren, Hochgeschwindigkeitsoptische Verbindungen und LiDAR (Light Detection and Ranging).
Vorteile von SOI-Wafer
1.Verringerte parasitäre Kapazität und erhöhte BetriebsgeschwindigkeitIm Vergleich zu großen Siliziummaterialien erzielen SOI-Geräte eine Verbesserung der Geschwindigkeit um 20-35%.
2.Geringerer StromverbrauchAufgrund der reduzierten parasitären Kapazität und des minimierten Leckstroms können SOI-Geräte den Stromverbrauch um 35 bis 70% senken.
3.Beseitigung der SperrwirkungenDie SOI-Technologie verhindert das Verriegeln und verbessert so die Zuverlässigkeit des Geräts.
4- Unterdrückung von Substratlärm und Verringerung von Weichfehlern SOI verringert wirksam die Störungen durch Pulsstrom aus dem Substrat und verringert so das Auftreten von weichen Fehlern.
5.Kompatibilität mit bestehenden SiliziumverfahrenDie SOI-Technologie lässt sich gut mit der herkömmlichen Siliziumfertigung kombinieren und reduziert die Verarbeitungsschritte um 13-20%.
Tag: #SOI-Wafer # P-Typ # N-Typ # 6 Zoll # 8 Zoll # 12 Zoll # Oberflächenpolier SSP / DSP