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SiC-Ofen SiC-Ingot-Wachstumsofen 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll PVT Lely TSSG LPE-Methode hohe Wachstumsrate
Produktdetails:
| Herkunftsort: | China |
| Markenname: | ZMSH |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 1 |
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| Lieferzeit: | 6 bis 8 Mütze |
| Zahlungsbedingungen: | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 5set/month |
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Detailinformationen |
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| Heating Method: | Graphite Resistance Heating | Input Power: | Three-phase, five-wire AC 380V ± 10% 50Hz~60Hz |
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| Maximale Heiztemperatur: | 2300°C | Rated Heating Power: | 80kW |
| Heater Power Range: | 35kW ~ 40kW | Energieverbrauch pro Zyklus: | 3500 kW·h ~ 4500 kW·h |
| Crystal Growth Cycle: | 5D ~ 7D | Main Machine Size: | 2150mm x 1600mm x 2850mm (Length x Width x Height) |
| Hervorheben: | 8 Zoll SiC Ingot Wachstumsöfen,6 Zoll SiC Ingot Wachstumsöfen,4 Zoll SiC Ingot Wachstumsöfen |
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Produkt-Beschreibung
SiC-Ofen SiC-Ingot-Wachstums-Ofen, 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll, PVT Lely TSSG LPE-Methode
SiC Ingot Growth Furnace's Zusammenfassung
Der SiC Ingot Growth Furnace ist für ein effizientes Wachstum von Siliziumkarbidkristallen mit Graphit-Widerstandsheizung ausgelegt.Es arbeitet mit einer maximalen Heiztemperatur von 2300 °C und einer Nennleistung von 80 kWDer Ofen hat einen Energieverbrauch zwischen 3500 kW·h und 4500 kW·h pro Zyklus, wobei der Wachstumszyklus der Kristalle zwischen 5D und 7D liegt.und hat einen Kühlwasserdurchfluss von 6 m3/hDer Ofen arbeitet in einer Vakuumumumgebung mit Argon und Stickstoff als atmosphärischen Gasen und sorgt so für eine qualitativ hochwertige Ingotsproduktion.
Foto von SiC Ingot Growth Furnace
Unsere SiC-Ingot-Wachstufengröße ist spezieller Kristalltyp.
SiC hat mehr als 250 Kristallstrukturen, aber nur der 4HC-Typ kann für SiC-Stromgeräte verwendet werden.ZMSH hat Kunden bereits mehrmals erfolgreich bei der Züchtung dieses spezifischen Kristalltyps unterstützt..
Unser SiC Ingot Growth Furnace ist für ein hocheffizientes Siliziumkarbid (SiC) -Kristallwachstum konzipiert, das in der Lage ist, 4-Zoll-, 6-Zoll- und 8-Zoll-SiC-Wafer zu verarbeiten.Mit fortschrittlichen Techniken wie PVT (Physical Vapor Transport), Lely, TSSG (Temperaturgradientenmethode) und LPE (Liquid Phase Epitaxy), unterstützt unser Ofen hohe Wachstumsraten und gewährleistet gleichzeitig eine optimale Kristallqualität.
Der Ofen ist darauf ausgelegt, verschiedene SiC-Kristallstrukturen zu wachsen, einschließlich der leitfähigen 4H, der halbisolierenden 4H und anderer Kristalltypen wie 6H, 2H und 3C.Diese Strukturen sind entscheidend für die Herstellung von SiC-Leistungseinrichtungen und Halbleitern, die für Anwendungen in der Leistungselektronik, energieeffizienten Systemen und Hochspannungsgeräten unerlässlich sind.
Unser SiC-Ofen gewährleistet eine präzise Temperaturkontrolle und einheitliche Wachstumsbedingungen für Kristalle, wodurch hochwertige SiC-Blöcke und -Wafer für fortschrittliche Halbleiteranwendungen hergestellt werden können.
UnsereSiC-IngotDer Vorteil von Growth Furnace
1-Einzigartiges thermisches Felddesign
- Der axiale Temperaturgradient ist steuerbar, der radiale Temperaturgradient ist einstellbar und das Temperaturprofil ist glatt, was zu einer nahezu flachen Kristallwachstumsoberfläche führt.Auf diese Weise erhöht sich die Kristallnutzungstärke.
- Reduzierter Rohstoffverbrauch: Das innere Wärmefeld ist gleichmäßig verteilt und sorgt so für eine gleichmäßige Temperaturverteilung innerhalb des Rohstoffs.erhebliche Verbesserung der Pulverververwertung und Verringerung der Abfälle.
- Es besteht keine starke Kopplung zwischen den axialen und radialen Temperaturen, wodurch sowohl die axialen als auch die radialen Temperaturgradienten präzise gesteuert werden können.Dies ist der Schlüssel zur Lösung der Kristallbelastung und zur Verringerung der Kristallverlagerungsdichte.
2- Hohe Steuergenauigkeit
Der SiC-Ingot-Wachstöfen ist speziell für die Herstellung hochwertiger Siliziumkarbid-Kristalle (SiC-Kristalle) entwickelt, die für Halbleiteranwendungen, einschließlich Leistungselektronik, von entscheidender Bedeutung sind.OptoelektronikSiC ist ein wichtiges Material für die Herstellung von Bauteilen, die eine hohe Wärmeleitfähigkeit, elektrische Effizienz und Langlebigkeit erfordern.Unser Ofen ist mit fortschrittlichen Steuerungssystemen ausgestattet, um eine konstante, optimale Leistung und Kristallqualität.
Die Ausrüstung bietet eine außergewöhnliche Präzision mit einer Stromversorgungsgenauigkeit von 0,0005%, einer Gasdurchflussgenauigkeit von ±0,05 L/h, einer Temperaturregelungsgenauigkeit von ±0,5 °C,und Kammerdruckregelungsgenauigkeit von ±10 PaDiese präzisen Parameter schaffen eine stabile, einheitliche Wachstumsumgebung für Kristalle, die für die Herstellung von hochreinen SiC-Ingots und -Wafern mit minimalen Defekten unerlässlich ist.
Die wichtigsten Komponenten des Systems wie das Proportionsventil, die mechanische Pumpe, die Vakuumkammer, der Gasdurchflussmesser und die molekulare Pumpe arbeiten zusammen, um eine zuverlässige Leistung zu gewährleisten.Verbesserung der MaterialnutzungDiese Elemente tragen dazu bei, dass der Ofen hochwertige SiC-Kristalle herstellen kann, die den hohen Anforderungen der Halbleiterindustrie entsprechen.
Die Technologie von ZMSH® integriert die neuesten Fortschritte in Kristallwachstumsprozessen und gewährleistet die höchsten Standards der SiC-Kristallproduktion.Mit der ständig wachsenden Nachfrage nach leistungsfähigen SiC-basierten Komponenten, unsere Ausrüstung ist so konzipiert, dass sie Industrien wie Leistungselektronik, erneuerbare Energien und die Entwicklung fortschrittlicher Technologien unterstützt,Förderung von Innovationen in energieeffizienten Lösungen und nachhaltigen Anwendungen.
3- Automatisierte Bedienung
Automatische ReaktionSignalüberwachung, Signalrückkopplung
Automatischer AlarmÜberschreitungswarnung, dynamische Sicherheit
Automatische SteuerungEchtzeitüberwachung und Speicherung von Produktionsparametern, Fernzugriff und Steuerung.
Aktive AnforderungExpertensystem, Mensch-Maschine-Interaktion
Der SiC-Ofen von ZMSH ist mit fortgeschrittener Automatisierung für einen effizienten Betrieb ausgestattet.automatische Antwortmit Signalüberwachung und Feedback,automatische Alarmebei Überschreitungsgrenzbedingungen undautomatische SteuerungDas System umfasst auch die Bereitstellung von Daten für die Echtzeitüberwachung von Parametern mit Fernzugriff.Aktive Aufforderungfür Expertenunterstützung und nahtlose Mensch-Maschine-Interaktion.
Diese Eigenschaften reduzieren die Abhängigkeit vom Menschen, verbessern die Prozesskontrolle und sorgen für eine hochwertige SiC-Ingot-Produktion, die die Produktion in großem Maßstab effizienter macht.
Das Datenblatt unserer SiC Ingot Growth Furnace
| 6 Zentimeter hoher Silikon | 8 Zoll Silikon | ||
| Projekt | Parameter | Projekt | Parameter |
| Heizmethode | Graphitwiderstandsheizung | Heizmethode | Graphitwiderstandsheizung |
| Eingangsleistung | Drei-Phasen-Fünf-Draht-Wechselstrom 380V ± 10% 50Hz~60Hz | Eingangsleistung | Drei-Phasen-Fünf-Draht-Wechselstrom 380V ± 10% 50Hz~60Hz |
| Maximale Heiztemperatur | 2300°C | Maximale Heiztemperatur | 2300°C |
| Nennheizleistung | 80 kW | Nennheizleistung | 80 kW |
| Leistungsbereich der Heizung | 35 kW bis 40 kW | Leistungsbereich der Heizung | 35 kW bis 40 kW |
| Energieverbrauch pro Zyklus | 3500 kW·h ~ 4500 kW·h | Energieverbrauch pro Zyklus | 3500 kW·h ~ 4500 kW·h |
| Kristallwachstumszyklus | 5D ~ 7D | Kristallwachstumszyklus | 5D ~ 7D |
| Größe der Hauptmaschine | 2150 mm x 1600 mm x 2850 mm (Länge x Breite x Höhe) | Größe der Hauptmaschine | 2150 mm x 1600 mm x 2850 mm (Länge x Breite x Höhe) |
| Hauptmaschinengewicht | ≈ 2000 kg | Hauptmaschinengewicht | ≈ 2000 kg |
| Kühlwasserfluss | 6 m3/h | Kühlwasserfluss | 6 m3/h |
| Grenzvakuum des Kaltöfen | 5 × 10−4 Pa | Grenzvakuum des Kaltöfen | 5 × 10−4 Pa |
| Atmosphäre des Ofen | Argon (5N), Stickstoff (5N) | Atmosphäre des Ofen | Argon (5N), Stickstoff (5N) |
| Rohstoffe | Silikonkarbidpartikel | Rohstoffe | Silikonkarbidpartikel |
| Produktkristalltyp | 4H | Produktkristalltyp | 4H |
| Produktkristalldicke | 18 mm bis 30 mm | Produktkristalldicke | ≥ 15 mm |
| Effektiver Kristalldurchmesser | ≥ 150 mm | Effektiver Kristalldurchmesser | ≥ 200 mm |
Unser Dienst
Maßgeschneiderte Lösungen
Wir bieten maßgeschneiderte Lösungen für Siliziumkarbid (SiC) -Öfen, einschließlich PVT-, Lely- und TSSG/LPE-Technologien, die auf Ihre spezifischen Bedürfnisse zugeschnitten sind.Wir stellen sicher, dass unsere Systeme Ihren Produktionszielen entsprechen..
Ausbildung der Kunden
Wir bieten umfassende Schulungen an, um sicherzustellen, dass Ihr Team vollständig versteht, wie unsere Öfen betrieben und gewartet werden.
Installation vor Ort und Inbetriebnahme
Unser Team installiert und stellt die SiC-Öfen an Ihrem Standort persönlich in Betrieb. Wir sorgen für eine reibungslose Einrichtung und führen eine gründliche Überprüfung durch, um zu gewährleisten, dass das System voll funktionsfähig ist.
Unterstützung nach dem Verkauf
Unser Team ist bereit, bei Reparaturen und Fehlerbehebungen vor Ort zu helfen, um Ausfallzeiten zu minimieren und Ihre Geräte reibungslos zu betreiben.
Wir sind bestrebt, hochwertige Öfen und kontinuierliche Unterstützung anzubieten, um Ihren Erfolg beim Wachstum von SiC-Kristallen zu gewährleisten.