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Detailinformationen |
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| Heating Method: | Graphite Resistance Heating | Eingangsleistung: | Drei-Phasen-Fünf-Draht-Wechselstrom 380V ± 10% 50Hz~60Hz |
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| Maximale Heiztemperatur: | 2300°C | Nennheizleistung: | 80kW |
| Leistungsbereich der Heizung: | 35 kW bis 40 kW | Energieverbrauch pro Zyklus: | 3500 kW·h ~ 4500 kW·h |
| Crystal Growth Cycle: | 5D ~ 7D | Hauptmaschinen-Größe: | 2150 mm x 1600 mm x 2850 mm (Länge x Breite x Höhe) |
| Hervorheben: | 8 Zoll SiC Ingot Wachstumsöfen,6 Zoll SiC Ingot Wachstumsöfen,PVT SiC Ingot Wachstumsöfen |
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Produkt-Beschreibung
Hocheffizienter SiC-Ingot-Wachstufel für 4-Zoll-, 6-Zoll- und 8-Zoll-Kristalle mit PVT-, Lely- und TSSG-Methoden
Zusammenfassung des SiC-Ingot-Wachstufens
Der SiC Ingot Growth Furnace nutzt Graphit-Widerstandsheizung für ein effizientes Siliziumkarbid-Kristallwachstum.Der Ofen verbraucht pro Zyklus zwischen 3500 und 4500 kW·h, mit einer Wachstumsdauer von 5 bis 7 Tagen. Es misst 2150 mm x 1600 mm x 2850 mm und hat einen Kühlwasserdurchfluss von 6 m3/h.Betrieb in Vakuum mit Argon- und Stickstoffgasen, dieser Ofen sorgt für die Herstellung hochwertiger SiC-Ingots mit gleichbleibender Leistung und zuverlässiger Leistung.
Das Foto von SiC Ingot Growth Furnace
Der spezielle Kristalltyp unseres SiC-Ingot-Wachstufens
SiC hat mehr als 250 Kristallstrukturen, aber nur der 4HC-Typ kann für SiC-Stromgeräte verwendet werden.ZMSH hat Kunden bereits mehrmals erfolgreich bei der Züchtung dieses spezifischen Kristalltyps unterstützt..
Unser SiC Ingot Growth Furnace ist für ein hocheffizientes Siliziumkarbid (SiC) -Kristallwachstum konzipiert, das in der Lage ist, 4-Zoll-, 6-Zoll- und 8-Zoll-SiC-Wafer zu verarbeiten.Mit fortschrittlichen Techniken wie PVT (Physical Vapor Transport), Lely, TSSG (Temperaturgradientenmethode) und LPE (Liquid Phase Epitaxy), unterstützt unser Ofen hohe Wachstumsraten und gewährleistet gleichzeitig eine optimale Kristallqualität.
Der Ofen ist darauf ausgelegt, verschiedene SiC-Kristallstrukturen zu wachsen, einschließlich der leitfähigen 4H, der halbisolierenden 4H und anderer Kristalltypen wie 6H, 2H und 3C.Diese Strukturen sind entscheidend für die Herstellung von SiC-Leistungseinrichtungen und Halbleitern, die für Anwendungen in der Leistungselektronik, energieeffizienten Systemen und Hochspannungsgeräten unerlässlich sind.
Unser SiC-Ofen gewährleistet eine präzise Temperaturkontrolle und einheitliche Wachstumsbedingungen für Kristalle, wodurch hochwertige SiC-Blöcke und -Wafer für fortschrittliche Halbleiteranwendungen hergestellt werden können.
Der Vorteil unseres SiC Ingot Growth Furnace
1Einzigartiges thermisches Felddesign
Die axialen und radialen Temperaturgradienten können präzise gesteuert werden, wobei das Temperaturprofil glatt und gleichmäßig ist.Maximierung der Nutzung der Kristalldicke.
Verbesserte Rohstoffeffizienz: Das Wärmefeld ist gleichmäßig im gesamten System verteilt und sorgt so für eine gleichmäßige Temperatur innerhalb des Rohmaterials.Dies erhöht die Pulverververwertung erheblich., die Materialverschwendung reduzieren.
Die Unabhängigkeit zwischen axialen und radialen Temperaturen ermöglicht eine hochpräzise Steuerung beider Gradienten, was für die Bewältigung von Kristallbelastungen und die Minimierung der Verwerfungsdichte von entscheidender Bedeutung ist.
2.Hohe Steuergenauigkeit
Der SiC Ingot Growth Furnace wurde sorgfältig entwickelt, um hochwertige SiC-Kristalle zu produzieren, die für eine Vielzahl von Halbleiteranwendungen, wie Leistungselektronik,OptoelektronikSiC ist ein kritisches Material bei der Herstellung von Bauteilen, die eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit, elektrische Leistung und langlebige Haltbarkeit erfordern.Unser Ofen verfügt über fortschrittliche Steuerungssysteme, die für eine gleichbleibende Leistung und eine überlegene Kristallqualität während des gesamten Wachstumsprozesses sorgen..
Der SiC Ingot Growth Furnace bietet eine außergewöhnliche Genauigkeit, mit einer Stromversorgungsgenauigkeit von 0,0005%, einer Genauigkeit der Gasflussregelung von ±0,05 L/h, einer Temperaturregelungsgenauigkeit von ±0,5 °C,und Kammerdruckstabilität von ±10 PaDiese fein abgestimmten Parameter sorgen für eine stabile, homogene Umgebung für das Kristallwachstum, was für die Herstellung von hochreinen SiC-Ingots und -Wafern mit minimalen Defekten von entscheidender Bedeutung ist.
Die wichtigsten Komponenten des SiC-Ingot-Wachstöfen, einschließlich des Proportionsventils, der mechanischen Pumpe, der Vakuumkammer, des Gasdurchflussmessers und der molekularen Pumpe,Funktionieren nahtlos zusammen, um einen zuverlässigen Betrieb zu gewährleistenDiese Eigenschaften ermöglichen es dem Ofen, SiC-Kristalle zu produzieren, die den strengen Anforderungen der Halbleiterindustrie entsprechen.
Die Technologie von ZMSH® beinhaltet modernste Kristallwachstumstechniken, die die höchste Qualität bei der SiC-Kristallproduktion gewährleisten.Unsere Ausrüstung ist optimiert, um Branchen wie Leistungselektronik zu bedienen, erneuerbare Energien und fortschrittliche Technologien, die den Fortschritt bei energieeffizienten Lösungen und nachhaltigen Innovationen vorantreiben.
3. Automatisierter Betrieb
EineUtomatische Reaktion:Signalüberwachung, Signalrückkopplung
- Ich weiß.Automatischer Alarm:Überschreitungswarnung, dynamische Sicherheit
Automatische Steuerung:Echtzeitüberwachung und Speicherung von Produktionsparametern, Fernzugriff und Steuerung.
Aktive Anforderung:Expertensystem, Mensch-Maschine-Interaktion
Der SiC-Ofen von ZMSH integriert eine fortschrittliche Automatisierung für eine optimale Betriebseffizienz.und Echtzeitparametersteuerung mit FernüberwachungsfunktionenDas System bietet zudem proaktive Benachrichtigungen für Expertenhilfe und ermöglicht eine reibungslose Interaktion zwischen Bediener und Maschine.
Diese Merkmale minimieren menschliches Eingreifen, verbessern die Prozesskontrolle und sorgen für eine gleichbleibende Produktion von hochwertigen SiC-Ingots und fördern die Effizienz bei groß angelegten Fertigungsvorgängen.
Das Datenblatt unserer SiC Ingot Growth Furnace
| 6 Zentimeter hoher Silikon | 8 Zoll Silikon | ||
| Projekt | Parameter | Projekt | Parameter |
| Heizmethode | Graphitwiderstandsheizung | Heizmethode | Graphitwiderstandsheizung |
| Eingangsleistung | Drei-Phasen-Fünf-Draht-Wechselstrom 380V ± 10% 50Hz~60Hz | Eingangsleistung | Drei-Phasen-Fünf-Draht-Wechselstrom 380V ± 10% 50Hz~60Hz |
| Maximale Heiztemperatur | 2300°C | Maximale Heiztemperatur | 2300°C |
| Nennheizleistung | 80 kW | Nennheizleistung | 80 kW |
| Leistungsbereich der Heizung | 35 kW bis 40 kW | Leistungsbereich der Heizung | 35 kW bis 40 kW |
| Energieverbrauch pro Zyklus | 3500 kW·h ~ 4500 kW·h | Energieverbrauch pro Zyklus | 3500 kW·h ~ 4500 kW·h |
| Kristallwachstumszyklus | 5D ~ 7D | Kristallwachstumszyklus | 5D ~ 7D |
| Größe der Hauptmaschine | 2150 mm x 1600 mm x 2850 mm (Länge x Breite x Höhe) | Größe der Hauptmaschine | 2150 mm x 1600 mm x 2850 mm (Länge x Breite x Höhe) |
| Hauptmaschinengewicht | ≈ 2000 kg | Hauptmaschinengewicht | ≈ 2000 kg |
| Kühlwasserfluss | 6 m3/h | Kühlwasserfluss | 6 m3/h |
| Grenzvakuum des Kaltöfen | 5 × 10−4 Pa | Grenzvakuum des Kaltöfen | 5 × 10−4 Pa |
| Atmosphäre des Ofen | Argon (5N), Stickstoff (5N) | Atmosphäre des Ofen | Argon (5N), Stickstoff (5N) |
| Rohstoffe | Silikonkarbidpartikel | Rohstoffe | Silikonkarbidpartikel |
| Produktkristalltyp | 4H | Produktkristalltyp | 4H |
| Produktkristalldicke | 18 mm bis 30 mm | Produktkristalldicke | ≥ 15 mm |
| Effektiver Kristalldurchmesser | ≥ 150 mm | Effektiver Kristalldurchmesser | ≥ 200 mm |
Unser Dienst
Maßgeschneiderte Lösungen
Wir bieten maßgeschneiderte Lösungen für Siliziumkarbid (SiC) -Öfen, einschließlich PVT-, Lely- und TSSG/LPE-Technologien, die auf Ihre spezifischen Bedürfnisse zugeschnitten sind.Wir stellen sicher, dass unsere Systeme Ihren Produktionszielen entsprechen..
Ausbildung der Kunden
Wir bieten umfassende Schulungen an, um sicherzustellen, dass Ihr Team vollständig versteht, wie unsere Öfen betrieben und gewartet werden.
Installation vor Ort und Inbetriebnahme
Unser Team installiert und stellt die SiC-Öfen an Ihrem Standort persönlich in Betrieb. Wir sorgen für eine reibungslose Einrichtung und führen eine gründliche Überprüfung durch, um zu gewährleisten, dass das System voll funktionsfähig ist.
Unterstützung nach dem Verkauf
Unser Team ist bereit, bei Reparaturen und Fehlerbehebungen vor Ort zu helfen, um Ausfallzeiten zu minimieren und Ihre Geräte reibungslos zu betreiben.
Wir sind bestrebt, hochwertige Öfen und kontinuierliche Unterstützung anzubieten, um Ihren Erfolg beim Wachstum von SiC-Kristallen zu gewährleisten.