SiC Einzelkristallwiderstandsheizung Kristallwachstumsofen für die Herstellung von SiC-Wafern

SiC Einzelkristallwiderstandsheizung Kristallwachstumsofen für die Herstellung von SiC-Wafern

Abstrakt des SiC-Einkristall-Wachstumsöfen

ZMSH ist stolz darauf, den SiC-Einkristall-Wachstufenofen anzubieten, eine hochmoderne Lösung für die Herstellung hochwertiger SiC-Wafer.Unser Ofen ist so konzipiert, dass wir SiC-Kristalle in einer Größe von 15 cm effizient anbauen können., 8 Zoll und 12 Zoll, die den wachsenden Anforderungen in Branchen wie Elektrofahrzeugen (EV), erneuerbarer Energie und Hochleistungselektronik gerecht werden.

Eigenschaften des SiC-Einkristall-Wachstumsöfen

• Advanced Resistance Heating Technology: Der SiC Einzelkristall Wachstumsöfen nutzt modernste Widerstandsheizungstechnologie,Gewährleistung einer einheitlichen Temperaturverteilung und eines hochwertigen Kristallwachstums.
• Temperaturregelungsgenauigkeit: Erreicht eine präzise Temperaturregelung mit einer Toleranz von ± 1 °C während des gesamten Kristallwachstums.
• Vielseitige Anwendungen: Fähig, SiC-Kristalle für Wafer bis zu 12 Zoll zu wachsen, was die Herstellung größerer, leistungsstarker Wafer für Stromgeräte der nächsten Generation ermöglicht.
• Vakuum- und Druckmanagement: Der Ofen ist mit einem fortschrittlichen Vakuum- und Drucksteuerungssystem ausgestattet, das optimale Bedingungen für das Kristallwachstum gewährleistet, die Fehlerrate reduziert,und Verbesserung des Ertrags.
  
   

  - Nein. Ich weiß nicht.	Spezifikation	Einzelheiten
  1	Modell	Die Prüfungen werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 durchgeführt.
  2	Abmessungen (L × W × H)	2500 × 2400 × 3456 mm
  3	Durchmesser des Schmelztiegels	900 mm
  4	Höchster Vakuumdruck	6 × 10−4 Pa (nach 1,5 Stunden Vakuum)
  5	Leckagequote	≤ 5 Pa/12h (Ausbäckzeit)
  6	Durchmesser der Drehwelle	50 mm
  7	Drehgeschwindigkeit	0.5·5 U/min
  8	Heizmethode	Elektrische Widerstandsheizung
  9	Höchstwärme des Ofen	2500 °C
  10	Heizleistung	40 kW × 2 × 20 kW
  11	Temperaturmessung	Doppelfarbiges Infrarot-Pyrometer
  12	Temperaturbereich	900°C bis 3000°C
  13	Temperaturgenauigkeit	±1°C
  14	Druckbereich	1 ‰ 700 mbar
  15	Genauigkeit der Druckregelung	1·10 mbar: ±0,5% F.S.; 10 ̊100 mbar: ±0,5% F.S.; 100-700 mbar: ±0,5% F.S.
  16	Betriebsart	Bodenbelastung, manuelle/automatische Sicherheitsoptionen
  17	Zusätzliche Merkmale	Doppelte Temperaturmessung, mehrere Heizzonen

Ergebnis des SiC-Einkristall-Wachstumsöfen

Vollkommenes Kristallwachstum

Die Kernstärke unseres SiC-Einkristall-Wachstufens liegt in seiner Fähigkeit, hochwertige, defektfreie SiC-Kristalle zu produzieren.und modernste Widerstandsheiztechnik, stellen wir sicher, dass jeder wachsende Kristall makellos ist, mit einer minimalen Defektdichte.Diese Perfektion ist unerlässlich, um den hohen Anforderungen der Halbleiteranwendungen gerecht zu werden, wo selbst die geringste Unvollkommenheit die Leistung des Endgeräts beeinträchtigen kann..

Erfüllung der Halbleiterstandards

Die SiC-Wafer, die in unserem Ofen angebaut werden, übertreffen die Industriestandards in Bezug auf Leistung und Zuverlässigkeit.mit niedriger Verlagerungsdichte und hoher elektrischer LeitfähigkeitDiese Eigenschaften sind für die Antriebseinrichtungen der nächsten Generation, einschließlich der in Elektrofahrzeugen (EVs) verwendeten, von entscheidender Bedeutung.Systeme für erneuerbare Energien, und Telekommunikationsgeräte.

ZMSH-Service

ZMSH: Anpassungsfähiger SiC-Einkristall-Wachstumsöfen mit voller Unterstützung

Bei ZMSH bieten wir fortschrittliche SiC-Einkristall-Wachstumsöfen, die auf Ihre spezifischen Bedürfnisse zugeschnitten sind.,Ihnen helfen, hochwertige SiC-Kristalle zu erhalten.

Installation und Einrichtung vor Ort

Unser Team übernimmt die Installation vor Ort, um sicherzustellen, dass der Ofen in Ihrer Anlage integriert und effizient läuft.Wir setzen eine reibungslose Einrichtung an, um Ausfallzeiten zu minimieren und Ihren Produktionsprozess zu optimieren..

Umfassende Kundenausbildung

Wir bieten eine gründliche Kundenausbildung an, die den Betrieb, die Wartung und die Fehlerbehebung der Öfen abdeckt.Unser Ziel ist es, Ihr Team mit dem Wissen auszustatten, um den Ofen effektiv zu bedienen und ein optimales Kristallwachstum zu erreichen.

Wartung nach dem Verkauf

ZMSH bietet eine zuverlässige Kundendienstleistung, einschließlich Wartungs- und Reparaturdienstleistungen, um sicherzustellen, dass Ihr Ofen in Top-Zustand bleibt.Unser Team ist immer verfügbar, um Ausfallzeiten zu minimieren und Ihren weiteren Erfolg zu unterstützen.

Fragen und Antworten

F;Wie ist das Kristallwachstum von Siliziumcarbid?

A:Das Wachstum von SiC-Kristallen beinhaltet die Herstellung von hochwertigen SiC-Kristallen durch Methoden wie Czochralski oder Physical Vapor Transport (PVT),für Leistungshalbleitervorrichtungen unerlässlich.


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