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Silikonkarbid monokristalline Wachstumsöfen Widerstandsmethode 6 8 12 Zoll SiC Ingot Wachstumsöfen
Produktdetails:
| Herkunftsort: | aus China |
| Markenname: | ZMSH |
| Modellnummer: | SiC-Ingot-Wachstumsöfen |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 1 |
|---|---|
| Lieferzeit: | 5 bis 10 Monate |
| Zahlungsbedingungen: | T/T |
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Detailinformationen |
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| Zweck: | für 6 8 12 Zoll SiC Einzelkristall Wachstumsöfen | Abmessungen (L × W × H): | Abmessungen (L × W × H) |
|---|---|---|---|
| Druckbereich: | 1 ‰ 700 mbar | Temperaturbereich: | 900°C bis 3000°C |
| Maximale Ofentemperatur: | 2500°C | Durchmesser der Drehwelle: | 50 mm |
| Hervorheben: | 12 Zoll SiC-Ingot-Wachstumsöfen,SiC-Ingot-Wachstumsöfen |
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Produkt-Beschreibung
Silikonkarbid monokristalline Wachstumsöfen Widerstandsmethode 6 8 12 Zoll SiC Ingot Wachstumsöfen
ZMSH SiC Single Crystal Growth Furnace: Präzisionskonstruktion für hochwertige SiC-Wafer
ZMSH präsentiert seinen SiC-Einkristall-Wachstufel, eine fortschrittliche Lösung für die Herstellung von SiC-Wafer mit hoher Leistung.Unser Ofen produziert effizient SiC Einzelkristalle in 6 Zoll, 8-Zoll- und 12-Zoll-Größen, die den wachsenden Bedürfnissen von Branchen wie Elektrofahrzeugen (EVs), erneuerbaren Energien und Hochleistungselektronik gerecht werden.
Eigenschaften des SiC-Einkristallwachstöfen
- Advanced Resistance Heating Technology: Der Ofen verwendet modernste Widerstandsheiztechnologie, um eine gleichmäßige Temperaturverteilung und ein optimales Kristallwachstum zu gewährleisten.
- Temperaturkontrolle mit hoher Präzision: Temperaturregulation mit einer Toleranz von ± 1 °C während des gesamten Kristallwachstumsprozesses.
- Vielseitige Anwendungen: Fähig, SiC-Kristalle für Wafer bis zu 12 Zoll zu wachsen, was die Herstellung größerer Wafer für Stromgeräte der nächsten Generation ermöglicht.
- Vakuum- und Druckmanagement: Ausgestattet mit einem fortschrittlichen Vakuum- und Drucksystem zur Aufrechterhaltung idealer Wachstumsbedingungen, zur Verringerung von Defektraten und zur Verbesserung der Erträge.
Technische Spezifikation
| Spezifikation | Einzelheiten |
|---|---|
| Abmessungen (L × W × H) | 2500 × 2400 × 3456 mm oder individuell angepasst |
| Durchmesser des Schmelztiegels | 900 mm |
| Höchster Vakuumdruck | 6 × 10−4 Pa (nach 1,5 Stunden Vakuum) |
| Leckagequote | ≤ 5 Pa/12h (Ausbäckzeit) |
| Durchmesser der Drehwelle | 50 mm |
| Drehgeschwindigkeit | 0.5·5 U/min |
| Heizmethode | Elektrische Widerstandsheizung |
| Höchstwärme des Ofen | 2500 °C |
| Heizleistung | 40 kW × 2 × 20 kW |
| Temperaturmessung | Doppelfarbiges Infrarot-Pyrometer |
| Temperaturbereich | 900°C bis 3000°C |
| Temperaturgenauigkeit | ±1°C |
| Druckbereich | 1 ‰ 700 mbar |
| Genauigkeit der Druckregelung | 1·10 mbar: ±0,5% F.S.; 10 ̊100 mbar: ±0,5% F.S.; 100-700 mbar: ±0,5% F.S. |
| Betriebsart | Bodenbelastung, manuelle/automatische Sicherheitsoptionen |
| Zusätzliche Merkmale | Doppelte Temperaturmessung, mehrere Heizzonen |
Ergebnis: Vollkommenes Kristallwachstum
Die Kernstärke unseres SiC-Einkristall-Wachstufens liegt in seiner Fähigkeit, konstant hochwertige, defektfreie SiC-Kristalle zu produzieren.fortgeschrittenes VakuummanagementDiese Perfektion ist entscheidend für Halbleiteranwendungen.wenn selbst leichte Mängel die Leistung des Endgeräts erheblich beeinträchtigen können.
Erfüllung der Halbleiterstandards
Die SiC-Wafer, die in unserem Ofen angebaut werden, übertreffen die Industriestandards in Bezug auf Leistung und Zuverlässigkeit.und hohe elektrische LeitfähigkeitDiese Eigenschaften sind für Geräte der nächsten Generation, einschließlich der in Elektrofahrzeugen (EVs) verwendeten Geräte, unerlässlich.Systeme für erneuerbare Energien, und Telekommunikationsgeräte.
| Inspektionskategorie | Qualitätsparameter | Zulassungskriterien | Prüfmethode |
|---|---|---|---|
| 1. Kristallstruktur | Ausrutschdichte | ≤ 1 cm2 | Optische Mikroskopie / Röntgendiffraktion |
| Kristalline Vollkommenheit | Keine sichtbaren Defekte oder Risse | Sichtprüfung / AFM (Atomkraftmikroskopie) | |
| 2. Abmessungen | Durchmesser des Ingots | 6 Zoll, 8 Zoll oder 12 Zoll ± 0,5 mm | Messung des Kalibers |
| Länge des Ingots | ± 1 mm | Regler / Lasermessung | |
| 3. Oberflächenqualität | Oberflächenrauheit | Ra ≤ 0,5 μm | Oberflächenprofilometer |
| Oberflächenfehler | Kein Mikrokreck, keine Gruben oder Kratzer | Sichtprüfung / mikroskopische Untersuchung | |
| 4. Elektrische Eigenschaften | Widerstand | ≥ 103 Ω·cm (typisch für hochwertiges SiC) | Messung des Halleffekts |
| Mobilität der Träger | > 100 cm2/V·s (für hochleistungsfähiges SiC) | Messung der Flugzeit (TOF) | |
| 5. Thermische Eigenschaften | Wärmeleitfähigkeit | ≥ 4,9 W/cm·K | Laser-Blitzanalyse |
| 6Chemische Zusammensetzung | Kohlenstoffgehalt | ≤ 1% (für eine optimale Leistung) | ICP-OES (induktiv gekoppelte Plasma-optische Emissionsspektroskopie) |
| Sauerstoffverunreinigungen | ≤ 0,5% | Sekundäre Ionenmassenspektrometrie (SIMS) | |
| 7. Druckwiderstand | Mechanische Festigkeit | Muss Belastungstests ohne Fraktur bestanden haben. | Kompressionsprüfung / Biegungstest |
| 8. Einheitlichkeit | Einheitlichkeit der Kristallisation | ≤ 5% Variation über den Ingot | Röntgenkartierung / SEM (Scan-Elektronenmikroskopie) |
| 9. Ingot-Homogenität | Mikroporendichte | ≤ 1% pro Volumeneinheit | Mikroskopie / optisches Scannen |
ZMSH-Unterstützungsdienste
- Anpassungsfähige Lösungen: Unser SiC-Single-Crystal-Growth-Ofen kann an Ihre spezifischen Produktionsanforderungen angepasst werden, um SiC-Kristalle von hoher Qualität zu gewährleisten.
- Installation vor Ort: Unser Team verwaltet die Installation vor Ort und sorgt für eine reibungslose Integration in Ihre bestehenden Systeme für eine optimale Leistung.
- Umfassende Ausbildung: Wir bieten eine gründliche Kundenausbildung für den Betrieb, die Wartung und die Fehlerbehebung von Öfen an, um sicherzustellen, dass Ihr Team für ein effektives Kristallwachstum gerüstet ist.
- Wartung nach dem Verkauf: ZMSH bietet eine zuverlässige Unterstützung nach dem Verkauf, einschließlich Wartungs- und Reparaturdienstleistungen, um sicherzustellen, dass Ihr Ofen optimal funktioniert.
Fragen und Antworten
F: Was ist das Kristallwachstum von Siliziumcarbid?
A: Das Wachstum von SiC-Kristallen beinhaltet die Herstellung von hochwertigen SiC-Kristallen durch Prozesse wie Czochralski oder physikalischen Dampftransport (PVT), die für Leistungshalbleiter-Geräte unerlässlich sind.
Schlüsselwörter:
SiC Einkristall Wachstumsöfen SiC-KristalleHalbleitergeräteTechnologie für Kristallwachstum