Silikonkarbid monokristalline Wachstumsöfen Widerstandsmethode 6 8 12 Zoll SiC Ingot Wachstumsöfen

Silikonkarbid monokristalline Wachstumsöfen Widerstandsmethode 6 8 12 Zoll SiC Ingot Wachstumsöfen

ZMSH SiC Single Crystal Growth Furnace: Präzisionskonstruktion für hochwertige SiC-Wafer

ZMSH präsentiert seinen SiC-Einkristall-Wachstufel, eine fortschrittliche Lösung für die Herstellung von SiC-Wafer mit hoher Leistung.Unser Ofen produziert effizient SiC Einzelkristalle in 6 Zoll, 8-Zoll- und 12-Zoll-Größen, die den wachsenden Bedürfnissen von Branchen wie Elektrofahrzeugen (EVs), erneuerbaren Energien und Hochleistungselektronik gerecht werden.

Eigenschaften des SiC-Einkristallwachstöfen

• Advanced Resistance Heating Technology: Der Ofen verwendet modernste Widerstandsheiztechnologie, um eine gleichmäßige Temperaturverteilung und ein optimales Kristallwachstum zu gewährleisten.
• Temperaturkontrolle mit hoher Präzision: Temperaturregulation mit einer Toleranz von ± 1 °C während des gesamten Kristallwachstumsprozesses.
• Vielseitige Anwendungen: Fähig, SiC-Kristalle für Wafer bis zu 12 Zoll zu wachsen, was die Herstellung größerer Wafer für Stromgeräte der nächsten Generation ermöglicht.
• Vakuum- und Druckmanagement: Ausgestattet mit einem fortschrittlichen Vakuum- und Drucksystem zur Aufrechterhaltung idealer Wachstumsbedingungen, zur Verringerung von Defektraten und zur Verbesserung der Erträge.
  
   

Technische Spezifikation
 

Ergebnis: Vollkommenes Kristallwachstum

Die Kernstärke unseres SiC-Einkristall-Wachstufens liegt in seiner Fähigkeit, konstant hochwertige, defektfreie SiC-Kristalle zu produzieren.fortgeschrittenes VakuummanagementDiese Perfektion ist entscheidend für Halbleiteranwendungen.wenn selbst leichte Mängel die Leistung des Endgeräts erheblich beeinträchtigen können.

Erfüllung der Halbleiterstandards
 

Die SiC-Wafer, die in unserem Ofen angebaut werden, übertreffen die Industriestandards in Bezug auf Leistung und Zuverlässigkeit.und hohe elektrische LeitfähigkeitDiese Eigenschaften sind für Geräte der nächsten Generation, einschließlich der in Elektrofahrzeugen (EVs) verwendeten Geräte, unerlässlich.Systeme für erneuerbare Energien, und Telekommunikationsgeräte.
 

ZMSH-Unterstützungsdienste
 

• Anpassungsfähige Lösungen: Unser SiC-Single-Crystal-Growth-Ofen kann an Ihre spezifischen Produktionsanforderungen angepasst werden, um SiC-Kristalle von hoher Qualität zu gewährleisten.
   
• Installation vor Ort: Unser Team verwaltet die Installation vor Ort und sorgt für eine reibungslose Integration in Ihre bestehenden Systeme für eine optimale Leistung.
   
• Umfassende Ausbildung: Wir bieten eine gründliche Kundenausbildung für den Betrieb, die Wartung und die Fehlerbehebung von Öfen an, um sicherzustellen, dass Ihr Team für ein effektives Kristallwachstum gerüstet ist.
   
• Wartung nach dem Verkauf: ZMSH bietet eine zuverlässige Unterstützung nach dem Verkauf, einschließlich Wartungs- und Reparaturdienstleistungen, um sicherzustellen, dass Ihr Ofen optimal funktioniert.
  
   

Fragen und Antworten
 

F: Was ist das Kristallwachstum von Siliziumcarbid?

A: Das Wachstum von SiC-Kristallen beinhaltet die Herstellung von hochwertigen SiC-Kristallen durch Prozesse wie Czochralski oder physikalischen Dampftransport (PVT), die für Leistungshalbleiter-Geräte unerlässlich sind.

Schlüsselwörter:

SiC Einkristall Wachstumsöfen SiC-KristalleHalbleitergeräteTechnologie für Kristallwachstum