Wafer Bonder Geräte Raumtemperatur Bindung Hydrophilen Bindung für 4 6 8 12 Zoll SiC-Si SiC-SiC

Waferbinderausrüstung Raumtemperatur Bindung, Hydrophilen Bindung für 4 6 8 12 Zoll SiC-Si SiC-SiC

Abstract der Waferbinderausrüstung

Dieser Waferbinder ist für die hochpräzise Bindung von Siliziumcarbid (SiC) -Wafer entworfen und unterstützt sowohlRaumtemperaturverbindungundhydrophile BindungEs ist in der Lage, Wafer von4 Zoll, 6 Zoll, 8 Zoll und 12 ZollMit fortschrittlichen Ausrichtungssystemen und einer präzisen Temperatur- und DruckkontrolleDiese Ausrüstung gewährleistet einen hohen Ertrag und eine ausgezeichnete Einheitlichkeit für die Herstellung von Leistungshalbleitern und Forschungsanwendungen.

Eigentum der Waferbinderausrüstung

• Verbindungsarten: Bindung bei Raumtemperatur, Hydrophilbindung

• Wafergrößen unterstützt- Ich habe einen Schlüssel.

• Verbindungsmaterialien: SiC-Si, SiC-SiC

• Ausrichtungsgenauigkeit: ≤ ± 1 μm

• Bindungsdruck: 0 ̊5 MPa einstellbar

• Temperaturbereich: Raumtemperatur bis 400°C (für die Vor-/Nachbehandlung, falls erforderlich)

• Vakuumkammer: Hochvakuumumumgebung für partikelarme Bindungen

• Benutzeroberfläche: Touchscreen-Schnittstelle mit programmierbaren Rezepten

• AutomatisierungOptional automatisches Laden/Entladen von Wafern

• Sicherheitsmerkmale: geschlossene Kammer, Überhitzungsschutz, Notrufsperre

Die Waferbinder-Ausrüstung ist so konzipiert, dass sie hochpräzise Bindungsprozesse für fortgeschrittene Halbleitermaterialien, insbesondere für SiC-zu-SiC- und SiC-zu-Si-Bindungen, unterstützt.Es bietet Platz für Wafergrößen von bis zu 12 ZollDas System unterstützt Raumtemperatur und hydrophile Bindung, was es ideal für thermisch empfindliche Anwendungen macht.mit einem optischen Ausrichtungssystem mit hoher Genauigkeit und einer Präzision von unter einem MikronDie Ausrüstung umfasst eine programmierbare Steuerungsschnittstelle mit Rezeptverwaltung, die es den Benutzern ermöglicht, den Bindedruck, die Dauer, dieund optionale HeizprofileEine hochauflösende Raumkonstruktion minimiert die Partikelkontamination und verbessert die Bindungsqualität, während Sicherheitsmerkmale wie Übertemperaturschutz, Verriegelungen,und Notschalter sorgen für einen stabilen und sicheren BetriebDas modulare Design ermöglicht auch die Integration in automatisierte Wafer-Handling-Systeme für Produktionsumgebungen mit hohem Durchsatz.

Foto

Kompatible Materialien

Echtes Gehäuse -- 6 Zoll SiC-SiC

(Hauptprozessschritte für die Herstellung von 6-Zoll-SiC-zu-SiC-Wafer-Bindungen)

(Durchschnittliche hochauflösende Übertragungselektronenmikroskopie (HRTEM) der SiC-MOSFET-Kanalregion auf einem 6-Zoll-engineered Substrat mit Epitaxialschicht)

(IGSS-Verteilungskarten von Geräten, die auf einem 6-Zoll-Wafer hergestellt werden (Grün zeigt Pass; Ausbeute beträgt 90% in Abbildung a und 70% in Abbildung b))

Anwendung

• Verpackung von SiC-Antriebseinrichtungen

• Forschung und Entwicklung von Breitbandhalbleitern

• Elektrische Module für hohe Temperaturen und hohe Frequenzen

• MEMS- und Sensorwaferverpackungen

• Integration von Hybridwafer mit Si-, Saphir- oder Diamant-Substraten

Fragen und Antworten

F1: Was ist der Hauptvorteil der Bindung von SiC bei Raumtemperatur?
A:Es vermeidet thermische Belastungen und Materialverformungen, die für spröde oder unpassende thermische Expansionssubstrate wie SiC entscheidend sind.

F2: Kann diese Ausrüstung für die vorübergehende Verklebung verwendet werden?
A:Während sich diese Einheit auf dauerhafte Bindungen spezialisiert hat, ist eine Variante mit temporärer Bindungsfunktion auf Anfrage erhältlich.

F3: Wie stellen Sie die Ausrichtung für hochpräzise Wafer sicher?
A:Das System verwendet eine optische Ausrichtung mit Submikron-Auflösung und Autokorrektur-Algorithmen.