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Detailinformationen |
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| Schmelzpunkt: | ~1650 ∼1700 °C | Farbe: | Transparent bis hellgelb |
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| Mohs-Härte: | 6 ¢6.5 | Typische Kristallorientierung: | (001), (100), (110) |
| Hervorheben: | angepasste LSAO-Substrate,Epitaxy LSAO Substrat,SrLaAlO4 LSAO Substrat |
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Produkt-Beschreibung
SrLaAlO4 /LaSrAlO4 LSAO10x10x0,5mmt5x5x1mmt Substrat für Epitaxy maßgeschneidert
Zusammenfassung von SrLaAlO4 / LaSrAlO4/LASO
SrLaAlO4, auch geschriebenLaSrAlO4ist je nach Elementarrangement ein komplexer Oxidkristall, der aus Strontium (Sr), Lanthan (La), Aluminium (Al) und Sauerstoff (O) besteht.in der Materialwissenschaft aufgrund seiner günstigen StrukturDas Material ist vor allem für seine Verwendung als Substrat für das epitaxiale Wachstum von hochtemperaturüberleitenden (HTS) Filmen bekannt.
Attributtabelle vonSrLaAlO4 /LaSrAlO4/LASO
| Eigentum | Wert / Beschreibung |
| Chemische Formel | SrLaAlO4 oder LaSrAlO4 |
| Kristallstruktur | Tetragonal |
| Raumfahrtgruppe | I4/mmm |
| Gitterkonstanten | a = 3,754 Å, c = 12,63 Å (typisch) |
| Dichte | ~ 6,56 g/cm3 |
| Schmelzpunkt | ~1650 ∼1700 °C |
| Koeffizient der thermischen Ausdehnung | ~ 7,4 × 10−6 /K |
| Brechungsindex | ~1,84 (bei einer Wellenlänge von 633 nm) |
| Farbe | Transparent bis hellgelb |
| Mohs-Härte | 6 ¢6.5 |
| Typische Kristallorientierung | (001), (100), (110) |
| Hauptanwendungen | Substrat für das epitaxiale Wachstum von Hoch-Tc-Supraleitern wie YBCO |
| Gittervergleich | Gute Übereinstimmung mit YBa2Cu3O7 (YBCO), La2CuO4 und ähnlichen Oxiden |
| Wachstumsmethode | Czochralski-Methode (CZ) |
| Kristallform | Einzelkristall |
| Oberflächenbearbeitung | SSP (einseitig poliert), DSP (zweiseitig poliert) |
Das physische Bild derSrLaAlO4 /LaSrAlO4/ LASOAnzeige
Vorteile derSrLaAlO4 /LaSrAlO4/ LASOals Substrat
Gittervergleich:Die Gitterkonstanten von SrLaAlO4 entsprechen denen von YBCO und La2CuO4, was zu geringen Spannungen und hochwertigen epitaxialen Schnittstellen führt.
Thermische Stabilität:Es kann bei hohen Temperaturen (bis zu ~ 1000 °C) ohne signifikante Abbauabläufe abgelagert werden.
Chemische Stabilität:Inert gegen die meisten Ablagerungsatmosphären, einschließlich sauerstoffreicher Umgebungen, die bei Oxid-MBE und PLD verwendet werden.
Oberflächenqualität:Eine hochwertige Polierung erzeugt flache, fehlerfreie Oberflächen mit einer Rauheit von < 1 nm RMS, die für die Einheitlichkeit der Dünnschicht unerlässlich ist.
Gemeinsame Anwendungen von DieSrLaAlO4 /LaSrAlO4/LASO
Epitaxialsubstrat für Hoch-Tc-Supraleiter
Die am weitesten verbreitete Verwendung von LaSrAlO4 ist als Substrat für YBCO (YBa2Cu3O7−x) und ähnliche HTS-Folien.für die Maximierung der kritischen Stromdichte (Jc) und der Übergangstemperatur (Tc) unerlässlich.
Oxidelektronik
LaSrAlO4 eignet sich für das Wachstum anderer Perovskit-Typ-Oxid-Filme, die in Ferroelektronik, Dielektronik und Spintronik verwendet werden..
Photonische und elektrooptische Geräte
Aufgrund seiner optischen Transparenz und seiner flachen, stabilen Oberfläche kann es auch als Host oder Basis für optische Beschichtungen, Wellenleitungen und nichtlineare optische Geräte im sichtbaren und nahen Infrarotbereich dienen.
Multiferoische Heterostrukturen
SrLaAlO4 wird auch bei der Erforschung von Multifero- und Magnetoelektrischen Geräten eingesetzt, bei denen hochwertige Schnittstellen zwischen Schichten unerlässlich sind.
Fragen und Antworten
- Was ist das?Warum ist SrLaAlO4 wichtig?
A:Die Bedeutung von SrLaAlO4 liegt in erster Linie in seiner kristallographischen Kompatibilität mit hoch-Tc-supraleitenden Filmen.Eine der größten Herausforderungen beim Anbau hochwertiger supraleitender dünner Filme ist die Gitterunterstimmung zwischen Film und Substrat. Selbst eine geringe Mismatch kann zu Misfit Dislocations führen, die die supraleitenden Eigenschaften degradieren. SrLaAlO4 bietet eine nahezu perfekte Gittermatch zu vielen Oxid Supraleitern und verwandten Materialien.
Darüber hinaus ist der thermische Expansionskoeffizient von SrLaAlO4 auch nahe dem dieser Filme, wodurch die thermische Belastung während des Temperaturzyklus (z. B.von der Ablagerung bei hoher Temperatur bis zur Kühlung für kryogene Messungen oder Anwendungen).
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