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Quarzwafer

Quarzwafer

Produktdetails:

Place of Origin: China
Markenname: ZMSH
Model Number: Quartz Wafer

Zahlung und Versand AGB:

Minimum Order Quantity: 25
Preis: 20USD
Packaging Details: custom cartons
Delivery Time: 2-4 weeks
Payment Terms: T/T
Supply Ability: By case
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Detailinformationen

Diameter (inch): 3/4/6/8/12 Internal Transmittance: >99.9%
Refractive Index: 1.474698 Total Transmittance: >92%
TTV: <3 Flatness: <15

Produkt-Beschreibung

 

Einführung von Quarzwafern

Quarzwafer werden aus kristallinem Siliziumdioxid (SiO₂) hergestellt. Die einzigartigen Eigenschaften von Quarz machen ihn zu einem unverzichtbaren Material in verschiedenen High-Tech-Industrien.

Quarzwafer weisen hervorragende Eigenschaften auf, wie z. B. hohe Wärmebeständigkeit, überlegene Lichtdurchlässigkeit bei bestimmten Wellenlängen, chemische Inertheit und einen niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizienten. Diese Eigenschaften machen sie ideal für Anwendungen, die Stabilität unter extremen Temperaturen, Beständigkeit gegen aggressive Chemikalien und Transparenz in bestimmten Spektralbereichen erfordern.

In Industrien wie der Halbleiterherstellung, Optik und MEMS (Mikro-Elektro-Mechanische Systeme) werden Quarzwafer aufgrund ihrer Fähigkeit, hohen Temperaturen ohne Verformung oder Abbau standzuhalten, weit verbreitet eingesetzt. Sie dienen als Substrate für Dünnschichtabscheidung, Mikrostrukturätzen oder die Herstellung von Präzisionskomponenten, die hohe Maßgenauigkeit und thermische Stabilität erfordern.

 

 

Herstellungsprinzipvon Quarzwafern

  1. Kristallwachstum
    Quarzbarren werden unter Verwendung natürlicher oder synthetischer Impfkristalle durch Hydrothermal- oder Flammfusionsverfahren (Verneuil) gezüchtet.

  2. Ingot-Schneiden
    Zylindrische Ingots werden mit Diamantdrahtsägen in Wafer geschnitten, um eine gleichmäßige Dicke und minimalen Schnittverlust zu gewährleisten.

  3. Läppen und Polieren
    Wafer werden geläppt, geätzt und dann poliert, um eine spiegelglatte Oberfläche mit geringer Oberflächenrauheit (Ra < 1 nm für Wafer in optischer Qualität) zu erzielen.

  4. Reinigung & Inspektion
    Ultraschall- oder RCA-Reinigung entfernt Partikel und metallische Verunreinigungen. Jeder Wafer wird auf Maßhaltigkeit und Oberflächenebenheit geprüft.

Quarzwafer-Spezifikationen

Quarztyp 4 6 8 12
Größe        
Durchmesser (Zoll) 4 6 8 12
Dicke (mm) 0,05–2 0,25–5 0,3–5 0,4–5
Durchmessertoleranz (Zoll) ±0,1 ±0,1 ±0,1 ±0,1
Dicken-Toleranz (mm) Anpassbar Anpassbar Anpassbar Anpassbar
Optische Eigenschaften        
Brechungsindex @365 nm 1,474698 1,474698 1,474698 1,474698
Brechungsindex @546,1 nm 1,460243 1,460243 1,460243 1,460243
Brechungsindex @1014 nm 1,450423 1,450423 1,450423 1,450423
Interne Transmission (1250–1650 nm) >99,9% >99,9% >99,9% >99,9%
Gesamttransmission (1250–1650 nm) >92% >92% >92% >92%
Bearbeitungsqualität        
TTV (Gesamtdickenvariation, µm) <3 <3 <3 <3
Ebenheit (µm) ≤15 ≤15 ≤15 ≤15
Oberflächenrauheit (nm) ≤1 ≤1 ≤1 ≤1
Durchbiegung (µm) <5 <5 <5 <5
Physikalische Eigenschaften        
Dichte (g/cm³) 2,20 2,20 2,20 2,20
Youngscher Modul (GPa) 74,20 74,20 74,20 74,20
Mohs-Härte 6–7 6–7 6–7 6–7
Schermodul (GPa) 31,22 31,22 31,22 31,22
Poissonzahl 0,17 0,17 0,17 0,17
Druckfestigkeit (GPa) 1,13 1,13 1,13 1,13
Zugfestigkeit (MPa) 49 49 49 49
Dielektrizitätskonstante (1 MHz) 3,75 3,75 3,75 3,75
Thermische Eigenschaften        
Dehnungspunkt (10¹⁴.⁵ Pa·s) 1000°C 1000°C 1000°C 1000°C
Glühpunkt (10¹³ Pa·s) 1160°C 1160°C 1160°C 1160°C
Erweichungspunkt (10⁷.⁶ Pa·s) 1620°C 1620°C 1620°C 1620°C

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