Produktübersicht

Ti/Cu-metallbeschichtete Siliziumwafer werden durch Abscheidung einer Titan (Ti)-Haftschicht gefolgt von einer Kupfer (Cu)-Leitschicht auf hochwertigen Substraten unter Verwendung von Standard-Magnetronsputtern hergestellt. Die Ti-Schicht verbessert die Filmadhäsion und die Grenzflächenstabilität, während die Cu-Schicht eine ausgezeichnete elektrische Leitfähigkeit bietet. Mehrere Wafergrößen, Leitfähigkeitstypen, Orientierungen, Widerstandsbereiche und Filmstärken sind verfügbar, wobei die volle Anpassung für Forschung und industrielle Prototypen unterstützt wird.

Struktur & Prozess

• Filmaufbau: Substrat + Haftschicht (Ti) + Beschichtungsschicht (Cu)

• Abscheidungsprozess: Standard-Magnetronsputtern (optional: thermische Verdampfung / Galvanisierung auf Anfrage)

• Hauptmerkmale: Starke Haftung, Oberfläche mit niedrigem Widerstand, geeignet für nachfolgende Lithographie, galvanische Aufbauprozesse oder Geräteherstellung.

Spezifikationen (Anpassbar)

Anwendungen

• Ohmsche Kontakte & Elektroden: leitfähige Substrate, Kontaktflächen, elektrische Tests

• Keimschicht für die Galvanisierung: RDL, Mikrostrukturen, MEMS-Galvanisierungsprozesse

• Nanomaterialien & Dünnschichtforschung: Sol-Gel-Substrate, Wachstum und Charakterisierung von Nanomaterialien

• Mikroskopie & Sondenmesstechnik: SEM, AFM und andere Raster-Sondenmikroskopie-Anwendungen

• Bio-/chemische Plattformen: Zellkultur, Protein-/DNA-Mikroarrays, Reflektometrie-Substrate, Sensorplattformen

Vorteile

• Hervorragende Haftung durch Ti-Zwischenschicht ermöglicht

• Hohe Leitfähigkeit und gleichmäßige Cu-Oberfläche

• Große Auswahl an Wafergrößen, Widerstandsbereichen und Orientierungen

• Flexible Anpassung für Größe, Substrat, Schichtaufbau und Dicke

• Stabiler, wiederholbarer Prozess unter Verwendung ausgereifter Sputtertechnologie

FAQ (Ti/Cu-metallbeschichtete Siliziumwafer)

Q1: Warum wird eine Ti-Schicht unter der Cu-Beschichtung verwendet?
A: Titan fungiert als Haftschicht, wodurch die Anhaftung von Kupfer an das Substrat verbessert und die Grenzflächenstabilität erhöht wird, was dazu beiträgt, Ablösungen oder Delaminationen während der Handhabung und Verarbeitung zu reduzieren.

Q2: Wie ist die typische Ti/Cu-Dickenkonfiguration?
A: Häufige Kombinationen umfassen Ti: Zehn nm (z. B. 10–50 nm) und Cu: 50–300 nm für gesputterte Filme. Dickere Cu-Schichten (µm-Bereich) werden oft durch Galvanisierung auf einer gesputterten Cu-Keimschicht erreicht, abhängig von Ihrer Anwendung.

Q3: Können Sie beide Seiten des Wafers beschichten?
A: Ja. Einseitige oder beidseitige Beschichtung ist auf Anfrage erhältlich. Bitte geben Sie Ihre Anforderung bei der Bestellung an.