Halbisolierende GaN-on-Silicon-Wafer-frei stehende Galliumnitrid-Substrate

Produkt-Beschreibung

Galliumnitrid Substrate GaN-Wafer GaN-On-Silicon frei stehendes Substrat Halbschädigendes

Wir bieten ein 2- bis 8-Zoll-Galliumnitrid (GaN) -Einkristall-Substrat oder eine Epitaxialfolie an, und 2 bis 8-Zoll-GaN-Epitaxialfolien auf Saphir-/Siliziumbasis sind erhältlich.

The rapid development of the first and second generation semiconductor materials represented by silicon (Si) and gallium arsenide (GaAs) has promoted the rapid development of microelectronics and optoelectronics technologyAufgrund der begrenzten Eigenschaften des Materials können die meisten Geräte aus diesen Halbleitermaterialien jedoch nur in einer Umgebung unter 200 °C arbeiten.mit einer Breite von nicht mehr als 20 mm,, Hochfrequenz-, Hochdruck- und Strahlenschutzgeräte.

Galliumnitrid (GaN) gehört wie Siliziumkarbid (SiC) zur dritten Generation der Halbleitermaterialien mit breiter Bandbreite, großer Bandbreite, hoher Wärmeleitfähigkeit,hohe Migrationsrate der Elektronsättigung, und hervorragende Eigenschaften eines hochfrequenten elektrischen Feldes. GaN-Geräte haben eine breite Palette von Anwendungsmöglichkeiten in der Hochfrequenz,Hochgeschwindigkeits- und Hochleistungsfelder wie LED-energiesparende Beleuchtung, Laserprojektionsdisplay, neue Energiefahrzeuge, intelligentes Netz, 5G-Kommunikation.

Die Halbleitermaterialien der dritten Generation umfassen hauptsächlich SiC, GaN, Diamant usw., da ihre Bandbreite (Eg) größer oder gleich 2,3 Elektronenvolt (eV) ist,auch als Breitband-Gap-Halbleitermaterialien bekanntIm Vergleich zu Halbleitermaterialien der ersten und zweiten Generation haben die Halbleitermaterialien der dritten Generation die Vorteile einer hohen Wärmeleitfähigkeit, eines hohen elektrischen Feldverfalls,hohe Migrationsrate gesättigter Elektronen, und eine hohe Bindungsenergie, die den neuen Anforderungen der modernen elektronischen Technologie für hohe Temperatur, hohe Leistung, hohen Druck entsprechen kann,hohe Frequenz- und Strahlungsbeständigkeit und andere harte BedingungenEs hat wichtige Anwendungsperspektiven in den Bereichen nationale Verteidigung, Luftfahrt, Luft- und Raumfahrt, Ölforschung, optische Speicherung usw.und kann Energieverluste in vielen strategischen Branchen wie Breitbandkommunikation um mehr als 50% reduzieren, Solarenergie, Automobilindustrie, Halbleiterbeleuchtung und intelligentes Netz, und kann das Ausrüstungsvolumen um mehr als 75% reduzieren,die für die Entwicklung der menschlichen Wissenschaft und Technologie von maßgeblicher Bedeutung ist.

*Kann nach Kundenanforderungen angepasst werden, unterschiedliche Struktur von Silizium, Saphir, SiC-basierte GaN-Epitaxialblatt

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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO., LTD. befindet sich in der Stadt Shanghai, die die beste Stadt Chinas ist, und unsere Fabrik wurde 2014 in der Stadt Wuxi gegründet.

Wir sind spezialisiert auf die Verarbeitung verschiedener Materialien zu Wafern, Substraten und optischen Glasteilen, die in der Elektronik, Optik, Optoelektronik und vielen anderen Bereichen weit verbreitet sind.Wir arbeiten auch eng mit vielen inländischen und ausländischen Universitäten zusammen., Forschungseinrichtungen und Unternehmen, bieten maßgeschneiderte Produkte und Dienstleistungen für ihre FuE-Projekte.

Es ist unsere Vision, durch unsere gute Reputation eine gute Zusammenarbeit mit allen unseren Kunden aufrechtzuerhalten.