III - Nitrid 2 INCH frei stehende GaN-Wafer

1. III-Nitrid ((GaN,AlN,InN)

Galliumnitrid ist eine Art von breitläufigen Verbindungen Halbleiter.

Ein hochwertiges Einzelkristall-Substrat, das mit der ursprünglichen HVPE-Methode und Waferverarbeitungstechnologie hergestellt wird, die ursprünglich seit mehr als 10 Jahren in China entwickelt wurde.Die Merkmale sind hochkristalline., gute Gleichförmigkeit und überlegene Oberflächenqualität. GaN-Substrate werden für viele Arten von Anwendungen verwendet, für weiße LED und LD ((violett, blau und grün)Die Entwicklung von Anwendungen für Leistungs- und Hochfrequenz-elektronische Geräte hat Fortschritte gemacht..

Die verbotene Bandbreite (Lichtemission und -absorption) umfasst ultraviolettes, sichtbares und Infrarotlicht.

Vorteile dieser Spezifikation

Anwendung:

GaN kann in vielen Bereichen eingesetzt werden, wie beispielsweise bei LED-Displays, hochenergetischer Detektion und Bildgebung,
Laserprojektionsbildschirm, Stromgerät usw.

• Hochfrequente Mikrowellengeräte Hochenergie-Erkennung und Vorstellung
• Neue Energien Solarwasserstofftechnologie Umwelt Detektion und Biomedizin
• Terahertzband der Lichtquelle
• Laserprojektionsbildschirm, Stromgerät usw. Datenspeicherung
• Energieeffiziente Beleuchtung Vollfarb-FLA-Display
• Laserprojektionen Hochleistungsgeräte

Unsere Vision für Factroy Enterprise
Wir werden mit unserer Fabrik hochwertiges GaN-Substrat und Anwendungstechnologie für die Industrie bereitstellen.
Ein hochwertiges GaN-Material ist der Einschränkungsfaktor für die Anwendung von III-Nitrid, z. B. lange Lebensdauer
und hohe Stabilität LDs, hohe Leistung und hohe Zuverlässigkeit Mikrowellengeräte, hohe Helligkeit
und hocheffiziente, energiesparende LEDs.

- Häufig gestellte Fragen
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