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4 Zoll Forschungsgrad 0,4 mm frei stehende GaN-Wafer für Halbleiter
Produktdetails:
| Herkunftsort: | China |
| Markenname: | zmkj |
| Modellnummer: | Grad der Forschung 2inch |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 2pcs |
|---|---|
| Preis: | 1000~2500usd/pc |
| Verpackung Informationen: | einzelner Oblatenkasten durch Vakuumverpackung |
| Lieferzeit: | 1-5weeks |
| Zahlungsbedingungen: | T/T, Western Union |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 50pcs pro Monat |
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Detailinformationen |
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| Material: | Einzelner Kristall GaN | Größe: | 2 Zoll |
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| Stärke: | 0.35 bis 0,5 mm | Typ: | Si-Typ/nicht-doppiert, Fe-doppiert, |
| Anwendung: | Laserprojektionsbildschirm, Stromgerät | Wachstum: | HVPE |
| Oberfläche: | ssp oder dsp | Orientierung: | 0001 |
| Paket: | einzelner Oblatenbehälter | ||
| Hervorheben: | Freie stehende gan Oblate,0.4mm gan Oblate,Halbleiter gan auf Siliziumscheibe |
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Produkt-Beschreibung
2 Zoll GaN-Substratvorlage,GaN-Wafer für LeD, Halbleiter Galliumnitrid-Wafer für ld, GaN-Vorlage, mocvd GaN-Wafer, Freistehende GaN-Substrate nach individueller Größe,kleine GaN-Wafer für LED, mocvd Galliumnitrid-Wafer 10x10mm, 5x5mm, 10x5mm GaN-Wafer, nichtpolare freistehende GaN-Substrate ((a-Plattform und m-Plattform)
Eigenschaften der GaN-Wafer
- III-Nitrid ((GaN,AlN,InN)
Galliumnitrid ist eine Art von breitsprachigen Verbindungshalbleitern.
Ein hochwertiges Einzelkristall-Substrat, hergestellt mit Original-HVPE-Methode und Wafer-Verarbeitungstechnologie, die ursprünglich seit mehr als 10 Jahren in China entwickelt wurde.Die Merkmale sind hochkristalline., gute Einheitlichkeit und überlegene Oberflächenqualität. GaN-Substrate werden für viele Arten von Anwendungen verwendet, für weiße LED und LD ((violett, blau und grün)Die Entwicklung von Anwendungen für Leistungs- und Hochfrequenz-elektronische Geräte hat Fortschritte gemacht..
Die verbotene Bandbreite (Lichtemission und -absorption) umfasst ultraviolettes, sichtbares und Infrarotlicht.
Anwendungen
GaN kann in vielen Bereichen eingesetzt werden, wie beispielsweise bei LED-Displays, hochenergetischer Detektion und Bildgebung,
Laserprojektionsbildschirm, Stromgerät usw.
- Hochfrequente Mikrowellengeräte Hochenergie-Erkennung und Vorstellung
- Neue Energien Solarwasserstofftechnologie Umwelt Detektion und Biomedizin
- Terahertzband der Lichtquelle
- Laserprojektionsbildschirm, Stromgerät usw. Datenspeicherung
- Energieeffiziente Beleuchtung Vollfarb-FLA-Display
- Laserprojektionen Hochleistungsgeräte
2 Zoll Freistehende GaN-Substrate Spezifikation
Unsere Vision für Factroy Enterprise
Wir werden mit unserer Fabrik hochwertiges GaN-Substrat und Anwendungstechnologie für die Industrie bereitstellen.
Ein hochwertiges GaN-Material ist der Einschränkungsfaktor für die Anwendung von III-Nitrid, z. B. lange Lebensdauer
und hohe Stabilität LDs, hohe Leistung und hohe Zuverlässigkeit Mikrowellengeräte, hohe Helligkeit
und hocheffiziente, energiesparende LEDs.
Details zur Lieferung
- Häufig gestellte Fragen
F: Was können Sie für Logistik und Kosten liefern?
(1) Wir akzeptieren DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF usw.
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Wenn nicht, können wir Ihnen bei der Lieferung helfen.
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(1) Für die Standardprodukte wie z. B. 2 Zoll 0,35 mm Wafer.
Für Lagerbestände: Lieferung ist 5 Werktage nach Bestellung.
Für maßgeschneiderte Produkte: Lieferung ist 2 bis 4 Werkwochen nach Bestellung.
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100% T/T, Paypal, West Union, MoneyGram, sichere Zahlung und Handelssicherung.
F: Was ist die MOQ?
(1) Für Lagerbestände beträgt die MOQ 1 Stück.
(2) Für kundenspezifische Produkte beträgt die MOQ 5-10 Stück.
Es hängt von der Quantität und der Technik ab.
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Wir können ROHS-Bericht liefern und Berichte für unsere Produkte erreichen.