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Detailinformationen |
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| Abmessung: | "Durchmesser oder 25,4 +/- 0,5 mm | Stärke: | 350 +/- 50 mm |
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| Primäre Wohnung: | 12 +/- 1 mm | Sekundäre Wohnung:: | 8 +/- 1 mm |
| Orientierung: | (0001) C-Ebene | Gesamtdickenvariation: | ≤ 40 μm |
| Bogen: | 0 +/- 10 um | Widerstandskraft: | ~ 10-3 Ohm-cm |
| Ladungsträgerdichte: | ~ 1019 cm-3 | Mobilität der Träger: | ~ 150 cm2/V*s |
| Dichte der Örtung: | < 5 x 104 cm2 | Polstern: | Vorderfläche: RMS < 0,5 nm, Epi bereit, Rückfläche geerdet. |
| Markieren: | Optoelektronik Galliumnitrid Wafer,LEDs GaN Wafer,HF-Geräte Galliumnitrid Wafer |
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Produkt-Beschreibung
GaN Galliumnitrid Wafer Hochelektronenmobilität HF-Geräte Optoelektronik und LEDs
Abstrakt der GaN-Galliumnitrid-Wafer
Galliumnitrid (GaN) -Wafer sind aufgrund ihrer einzigartigen Materialeigenschaften in verschiedenen Branchen zu einer zentralen Technologie geworden.und außergewöhnliche thermische StabilitätDiese Zusammenfassung erforscht die vielseitigen Anwendungen von GaN-Wafern, insbesondere in der Leistungselektronik, HF-Geräten, Optoelektronik und mehr.von der Versorgung mit 5G-Kommunikation über die Beleuchtung von LEDs bis hin zur Weiterentwicklung von SolaranlagenDie hohen Leistungsmerkmale von GaN machen es zu einem Eckpfeiler bei der Entwicklung kompakter und effizienter elektronischer Geräte, die Branchen wie Automobilelektronik, Luft- und Raumfahrt,und erneuerbare EnergienAls treibende Kraft in der technologischen Innovation definieren GaN-Wafer weiterhin die Möglichkeiten verschiedener Branchen neu und prägen die Landschaft moderner Elektronik- und Kommunikationssysteme.
Schaufenster der GaN-Galliumnitrid-Wafer
Anwendung von GaN-Galliumnitrid-Wafer
Galliumnitrid (GaN) -Wafer finden eine breite Palette von Anwendungen in mehreren Branchen,Nutzung ihrer einzigartigen Materialeigenschaften zur Verbesserung der Leistung elektronischer und optoelektronischer GeräteHier sind einige wichtige Anwendungen von GaN-Wafern:
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Leistungselektronik:
- GaN-Wafer werden häufig in Leistungselektronikgeräten wie Transistoren und Dioden verwendet.Umwandler, und Wechselrichter in Industriezweigen von Telekommunikation bis hin zu erneuerbaren Energiesystemen.
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HF-Geräte (Radiofrequenz):
- GaN-Wafer werden in der Entwicklung von Hochfrequenz-HF-Geräten eingesetzt, einschließlich Verstärker und Schalter.so dass es in Anwendungen wie Radarsystemen wertvoll ist, drahtlose und Satellitenkommunikation.
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Optoelektronik und LED:
- LEDs auf GaN-Basis (Light-Emitting Diodes) werden in Beleuchtungsanwendungen, Anzeigen und Indikatoren weit verbreitet.Die Fähigkeit von GaN, Licht im blauen und ultravioletten Spektrum zu emittieren, trägt zur Produktion von weißem Licht in LEDs bei, so dass sie für energieeffiziente Beleuchtungslösungen von entscheidender Bedeutung sind.
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UV- (Ultraviolett-) optoelektronische Geräte:
- Die Transparenz von GaN gegenüber ultraviolettem Licht macht es für UV-optoelektronische Anwendungen geeignet.und andere Geräte, bei denen die Empfindlichkeit gegenüber UV-Strahlung unerlässlich ist.
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mit einer Leistung von mehr als 10 W und einer Leistung von mehr als 100 W,
- GaN-Wafer dienen als Schlüsselmaterial für die Entwicklung von HEMTs, die Hochleistungstransistoren sind, die in Hochfrequenz- und Hochleistungsanwendungen verwendet werden.HEMT auf Basis der GaN-Technologie werden in der Satellitenkommunikation eingesetzt, Radarsysteme und drahtlose Infrastruktur.
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Funkkommunikation (5G):
- Die Hochfrequenzfähigkeiten von GaN machen es zu einem bevorzugten Material für die Entwicklung von HF-Komponenten in 5G-Kommunikationssystemen.Auf GaN basierende Verstärker und Sender spielen eine entscheidende Rolle bei der Ermöglichung der hohen Datenraten und der geringen Latenzzeit, die für 5G-Netzwerke erforderlich sind.
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Stromversorgung und Umrichter:
- GaN-Wafer werden bei der Herstellung von Stromversorgungen und Konvertern eingesetzt, wo hocheffiziente und kompakte Konstruktionen unerlässlich sind.Auf GaN basierende Leistungseinrichtungen tragen zur Verringerung von Stromverlusten und zur Verbesserung der Gesamtleistung elektronischer Systeme bei.
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Automobil-Elektronik
- Die GaN-Technologie findet zunehmend Anwendung in der Automobilelektronik, insbesondere in Elektrofahrzeugen (EV) und Hybrid-Elektrofahrzeugen (HEV).Die auf GaN basierende Leistungselektronik verbessert die Effizienz elektrischer Antriebe, die zur Förderung eines nachhaltigen Verkehrs beitragen.
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Solarstromumrichter:
- GaN-Wafer werden bei der Entwicklung von Leistungsumrichtern für Solarenergiesysteme verwendet.Die hohe Effizienz und die Leistungsfähigkeit von GaN-Geräten tragen zur Optimierung der Umwandlung von Solarenergie in nutzbaren Strom bei..
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Erweiterte Radarsysteme:
- Die Fähigkeit von GaN, bei hohen Frequenzen zu arbeiten und hohen Leistungsniveaus standzuhalten, macht es ideal für fortschrittliche Radarsysteme.Luft- und Raumfahrt, und Wetterüberwachung.
Die vielfältigen Anwendungen von GaN-Wafern unterstreichen ihre Bedeutung bei der Weiterentwicklung der Technologie in mehreren Bereichen.und andere nützliche Eigenschaften positioniert GaN als einen wichtigen Faktor für die Entwicklung fortschrittlicher elektronischer und optoelektronischer Geräte.
Datendiagramm der GaN-Galliumnitrid-Wafer