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Detailinformationen |
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| Unterseite: | PSS oder planarer Saphir | Wachstums-Methode: | MOCVD |
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| MQW: | 0.5m MQW | Durchmesser: | 2 Zentimeter 4 Zentimeter |
| Polstert: | DSP SSP | Orientierung des Saphirsubstrats: | CM0,2°±0,1° |
| Hervorheben: | Blau-Grüne LED mit 4 Zoll GaN-Basis,Blau-Grüne LED auf Basis von MOCVD GaN,Blau-Grüne LED auf Basis von 2 Zoll GaN |
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Produkt-Beschreibung
2 Zoll 4 Zoll GaN-on-Sapphire Blau/Grün LED-Wafer Flat oder PPS Sapphire MOCVD DSP SSP
Beschreibung der GaN-on-Sapphire Blau/Grün LED-Wafer:
GaN auf Saphir (GaN/Sapphire) -Wafer bezieht sich auf ein Substratmaterial, das aus einem Saphirsubstrat mit einer Schicht aus Galliumnitrid (GaN) besteht.GaN ist ein Halbleitermaterial, das zur Herstellung von Hochleistungs- und Hochfrequenzgeräten verwendet wirdSaphir ist ein hartes und langlebiges Material, das mechanischer und thermischer Belastung standhält.Damit ist es ein geeignetes Substrat für das Wachstum von GaN. GaN auf Saphir-Wafer werden in der Herstellung von optoelektronischen Geräten, Mikrowellen- und Millimeterwellengeräten sowie Hochleistungsgeräten weit verbreitet.
Struktur von GaN-on-Sapphire Blau/Grün LED-Wafer:
Struktur und Zusammensetzung:
Galliumnitrid (GaN) Epitaxialschicht:
Einzelkristall dünne Folie: Die GaN-Schicht ist eine einzelkristalldünne Folie, die eine hohe Reinheit und eine hervorragende kristalline Qualität gewährleistet.Damit die Leistung der auf diesen Vorlagen hergestellten Geräte verbessert wird.
Materialeigenschaften: GaN ist bekannt für seine breite Bandbreite (3,4 eV), hohe Elektronenmobilität und hohe Wärmeleitfähigkeit.Diese Eigenschaften machen es sehr geeignet für Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen, sowie Geräte, die in rauen Umgebungen arbeiten.
mit einer Breite von mehr als 20 mm,
Mechanische Festigkeit: Saphir (Al2O3) ist ein robustes Material mit außergewöhnlicher mechanischer Festigkeit, das eine stabile und langlebige Grundlage für die GaN-Schicht bietet.
Wärmestabilität: Saphir weist hervorragende thermische Eigenschaften auf, einschließlich hoher Wärmeleitfähigkeit und thermischer Stabilität,bei der Ableitung der während des Betriebs des Geräts erzeugten Wärme und bei der Aufrechterhaltung der Integrität des Geräts bei hohen Temperaturen.
Optische Transparenz: Durch die Transparenz von Saphir im ultravioletten bis infraroten Bereich eignet es sich für optoelektronische Anwendungen,mit einer Breite von mehr als 20 mm,.
Typen von GaN-Vorlagen für Sapphire:
n-Typ Galliumnitrid
P-Typ
Halbdämmstofftyp
Form von GaN-on-Sapphire Blau/Grün LED-Wafer:
Anwendungsbild von GaN-on-Sapphire Blau/Grün LED-Wafer:
Anpassung:
Mikro-LEDs gelten als eine Schlüsseltechnologie für die Metaverse-Plattform, um Displays der nächsten Generation für Augmented Reality (AR), Virtual Reality (VR), Mobiltelefone und Smart Watches zu ermöglichen.
Wir können GaN-basierte Rot-, Grün-, Blau- oder UV-LED-Epitaxial-Wafer sowie andere anbieten. Das Substrat könnte Saphir, SiC, Silizium und Bulk GaN-Substrat sein. die Größe ist von 2 Zoll bis 4 Zoll verfügbar
Verpackung und Versand:
Häufige Fragen:
1.F: Warum ist GaN auf Saphir?
A: Die Verwendung von Saphirsubstraten ermöglicht aufgrund des höherwertigen Wachstums durch dünnere GaN-Puffer und einfachere Epitaxiestrukturen im Vergleich zu Material, das auf Silizium angebaut wird.Das Saphir-Substrat ist auch elektrisch isolierender als Silizium, die eine Kilovolt-Blockfähigkeit ermöglichen sollte.
2.F: Was sind die Vorteile von GaN-LED?
A: Eine erhebliche Einsparung der Energiekosten.Traditionelle Beleuchtungssysteme wie Glühlampen oder Leuchtstofflampen sind oft energiesüchtig und können zu einem erhöhten Energieverbrauch beitragen.LED-Beleuchtung auf GaN-Basis ist sehr effizient und verbraucht viel weniger Strom, während sie eine überlegene Beleuchtung bietet.
Produktempfehlung:
1. 8 Zoll GaN-on-Si Epitaxy Si Substrat RF
2.2 Zoll 4 Zoll GaN Galliumnitrid Wafer