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3Inch R-Achse 76.2mm Al2O3 Sapphire Crystal Wafers Custom Sapphire Glass SSP 0.43mm
Produktdetails:
| Herkunftsort: | China |
| Markenname: | zmkj |
| Modellnummer: | 3inch |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 10pcs |
|---|---|
| Preis: | by case |
| Verpackung Informationen: | im Oblatenkasten der Kassette 25pcs unter Raum der Reinigung 100grade |
| Lieferzeit: | 3-5weeks |
| Zahlungsbedingungen: | T / T, Western Union, MoneyGram |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 1000pcs pro Monat |
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Detailinformationen |
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| Material: | einzelner Kristall des Saphirs | Orientierung: | Cachse |
|---|---|---|---|
| Oberfläche: | ssp oder dsp | Stärke: | 0.325mm oder besonders angefertigt |
| Anwendung: | geführtes oder optisches Glas | Wachstumsmethode: | KY |
| Markieren: | Saphir-Oblate,Silikonsubstrat |
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Produkt-Beschreibung
Machsen6"/6inch dia150mm C-Fläche Saphirs SSP/DSP 2inch /3inch 4inch /5inch C-axis/a-axis/r-axis/Oblaten mit Stärke 650um/1000um
Ungefähr synthetischer Saphirkristall
Sapphire Properties
| GENERAL | |||||
| Chemische Formel | Al2O3 | ||||
| Crystal Stucture | Sechseckiges System ((HK O 1) | ||||
| Einheits-Zellmaß | a=4.758 Å, Å c=12.991 Å, c: a=2.730 | ||||
| SYSTEMTEST | |||||
| Metrisch | Englisch (Kaiser) | ||||
| Dichte | 3,98 g/cc | 0,144 lb/in3 | |||
| Härte | 1525 - 2000 Knoop, 9 Mhos | 3700° F | |||
| Schmelzpunkt | 2310 K (2040° C) | ||||
| STRUKTURELL | |||||
| Dehnfestigkeit | MPa 275 zu MPa 400 | 40.000 bis 58.000 P/in | |||
| an 20° | MPa 400 | 58.000 P/in (Entwurf Min.) | |||
| an 500° C | MPa 275 | 40.000 P/in (Entwurf Min.) | |||
| an 1000° C | MPa 355 | 52.000 P/in (Entwurf Min.) | |||
| Flexural Stength | MPa 480 zu MPa 895 | 70.000 bis 130.000 P/in | |||
| Kompressions-Stärke | 2,0 GPa (entscheidend) | 300.000 P/in (entscheidend) |
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Der Kyropoulos-Prozess (KY-Prozess) für Kristallwachstum des Saphirs wird z.Z. von vielen Firmen in China verwendet, um Saphir für die Elektronik- und Optikindustrien zu produzieren.
, Aluminiumoxyd von hohem Reinheitsgrad wird in einem Tiegel an über 2100 Grad Celsius geschmolzen. Gewöhnlich wird der Tiegel vom Wolfram oder vom Molybdän hergestellt. Ein genau orientiertes Impfkristall wird in die flüssige Tonerde eingetaucht. Das Impfkristall wird langsam aufwärts gezogen und wird gedreht möglicherweise gleichzeitig. Indem man genau die Temperaturgradienten, Rate des Ziehens und Rate der Temperaturabnahme steuert, ist es möglich, ein großes, Einzelkristall, ungefähr Stab zu produzieren von der Schmelze.
Nach einzelnem Kristallsaphir werden Boules gewachsen, werden sie in zylinderförmige Stangen Kern-gebohrt, werden die Stangen oben in die gewünschte Fensterstärke geschnitten und poliert schließlich zum gewünschten Oberflächenende.
Gebrauch als Substrat für Halbleiterstromkreise
Dünne Saphiroblaten waren der erste erfolgreiche Gebrauch eines isolierenden Substrates, nach dem, Silikon niederzulegen, um die integrierten Schaltungen bekannt als Silikon auf Saphir oder „PAS“, außer seinen ausgezeichneten elektrischen isolierenden Eigenschaften herzustellen, Saphir hohe Wärmeleitfähigkeit hat. Cmos-Chips auf Saphir sind für starke Anwendungen der Hochfrequenz (Rf) wie die besonders nützlich, die in den Mobiltelefonen, in den Bandradios der öffentlichen Sicherheit und in den Verbindung- über Satellitsystemen gefunden werden.
Oblaten des Einzelkristallsaphirs werden auch in der Halbleiterindustrie als Substrate für das Wachstum von den Geräten benutzt, die auf Galliumnitrid (GaN) basieren. Der Gebrauch des Saphirs verringert erheblich die Kosten, weil er ungefähr ein siebtel die Kosten des Germaniums hat. Galliumnitrid auf Saphir ist in den blauen Leuchtdioden (LED) allgemein verwendet.
Verwendet als Fenstermaterial
Der synthetische Saphir (manchmal gekennzeichnet als Saphirglas) ist als Fenstermaterial, weil er zu den Wellenlängen des Lichtes zwischen 150 Nanometer (UV) und 5500 Nanometer (IR) in hohem Grade transparent ist (das sichtbare Spektrum, verlängert ungefähr 380 Nanometer bis 750 Nanometer und außerordentlich Kratzer-beständiges allgemein verwendet. Der Schlüsselnutzen von Saphirfenstern ist:
* sehr breites Lichtwellenleiterübertragungsband von UV zu fast-Infrarot
* erheblich stärker als andere optische Materialien oder Glasfenster
* in hohem Grade beständig gegen das Verkratzen und Abnutzung (9 auf der Mohs-Skala der Mineralhärteskala, die 3. härteste natürliche Substanz nahe bei moissanite und die Diamanten)
* extrem hochschmelzende Temperatur (°C) 2030
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Standardoblate 2-Zoll-C-Flächensaphirwafer SSP/DSP
3-Zoll-C-Flächensaphirwafer SSP/DSP 4-Zoll-C-Flächensaphirwafer SSP/DSP 6-Zoll-C-Flächensaphirwafer SSP/DSP |
Spezieller Schnitt
(1120) Saphiroblate der Ein-Fläche (1102) Saphiroblate der R-Fläche (1010) Saphiroblate der M-Fläche (1123) Saphiroblate der N-Fläche C-Achse mit einem Offcut 0.5°~ 4°, in Richtung zur Ein-Achse oder zur M-Achse Andere kundengebundene Orientierung |
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Kundengebundene Größe
10*10mm Saphiroblate 20*20mm Saphiroblate Ultra dünne Oblate des Saphirs (100um) 8-Zoll-Saphirwafer |
Kopierte Sapphire Substrate (PSS)
2-Zoll-C-Fläche PSS 4-Zoll-C-Fläche PSS |
| 2inch |
DSP C-AXIS 0.1mm/0.175mm/0.2mm/0.3mm/0.4mm/0.5mm/1.0mmt SSP-C-Achse 0.2/0.43mm (DSP&SSP) A-axis/M-axis/R-axis 0.43mm
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| 3inch |
C-Achse 0.43mm/0.5mm DSP/SSP
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| 4Inch |
dsp Cachse 0.4mm/0.5mm/1.0mm ssp Cachse 0.5mm/0.65mm/1.0mmt
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| 6inch |
ssp Cachse 1.0mm/1.3mmm
dsp Cachse 0.65mm/0.8mm/1.0mmt
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Spezifikation für Substrate
| Einzelteil | Parameter | Spezifikt. | Einheit | ||
| 1 | Produkt-Name | Sapphire Wafer (Al2O3) | |||
| 2 | Durchmesser | 2" | 4" | 6" | Millimeter |
| 3 | Stärke | 430± 25 | 650± 25 | ± 1000 25 | μm |
| 4 | Oberflächenorientierung | C-Fläche (0001) kippte M-Achse 0.2°/0.35°± 0.1° | Grad | ||
| 5 | Primärebene | Ein-Achse (11-20) ± 0.2° | Grad | ||
| Orientierungs-Länge | 16 ± 0,5 | 31 ± 1,0 | 47,5 ± 2,0 | Millimeter | |
| 6 | TTV | < 10=""> | < 10=""> | < 25=""> | μm |
| 7 | Bogen | -10 | 0 | -15 | 0 | -30 | 0 | μm |
| 8 | Verzerrung | 10 | 20 | 30 | μm |
| 9 | Rauheit Front Side | 0,5 | 0,5 | 0,5 | Nanometer |
| 10 | Rauheits-Rückseite | 1,0 ± 0,3 | μm | ||
| 11 | Oblaten-Rand | R-artig oder T-artig | |||
| 12 | Laser-Kennzeichen | Fertigen Sie besonders an | |||
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