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Detailinformationen |
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| Molekülgewicht: | 101,96 | Polstern: | DSP, SSP |
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| Durchmesser-Toleranz: | ≤3% | Anpassen: | Akzeptabel |
| Länge: | 30 m | Oberflächenrauheit: | Ra < 0,5 Nm |
| Eigener Widerstand: | 1E16 Ω-cm | Wachstums-Methode: | KY |
| Hervorheben: | 4inch Sapphire Wafer,C-Fläche Sapphire Wafer,Monokristalline Saphirwafer |
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Produkt-Beschreibung
Saphirwafer 4 Zoll DSP SSP (0001) C Fläche Akzeptieren kundenspezifische Achse Monocrystal Al2O3
Beschreibung des Produkts:
Die Saphirwafer besteht aus Aluminium-Oxid (Al2O3), bei dem sich drei Sauerstoffatome in einer kovalenten Struktur mit zwei Aluminiumatomen binden.Es weist eine hexagonale Gitterkristallstruktur auf und weist häufig Schneidflächen wie die A-Fläche aufAufgrund seines breiten optischen Transparenzbereichs ermöglicht die Saphirwafer die Lichtübertragung von nahe-ultraviolettem (190 nm) bis mittlere Infrarotwellenlängen.so dass es ideal für optische KomponentenDie Saphirwafer ist bekannt für ihre hohe Schallgeschwindigkeit, hohe Temperaturbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit, hohe Härte,hervorragende TransparenzEs ist ein schwieriges zu verarbeitendes Material, wird jedoch häufig in optoelektronischen Geräten verwendet.
Die Qualität von ultrahellen weißen/blauen LEDs hängt von der Qualität der epitaxialen Schichten aus Galliumnitrid (GaN) ab, die wiederumist eng mit der Oberflächenbearbeitungsqualität der verwendeten Saphirwafern verbunden- Die Gitterkonstantenunterschiede zwischen der C-Ebene der Saphirwafer (einkristallene Al2O3) und den dünnen Filmen der Gruppen IIIV und IIVI sind minimal,gut an die hochtemperaturbedingten Anforderungen von GaN-Epitaxiprozessen angepasstDies macht Saphirwafer zu entscheidenden Materialien für die Herstellung von weißen/blauen/grünen LEDs.
Charakter
1. Struktur und Zusammensetzung von Saphirwaffen
Saphirwafer hat eine sechseckige Kristallstruktur mit der Raumgruppe R-3c, und seine grundlegende Struktureinheit ist das AlO6-Oktaeder.,Sie bilden ein hoch symmetrisches und stabiles dreidimensionales Netzwerk.
2Optische und elektronische Eigenschaften von Saphirwafer
Saphirwafer hat hervorragende optische Eigenschaften, die es zu einem idealen Material für optische Komponenten machen.vor allem im Bereich von ultraviolettem bis nahen Infrarot (150 nm bis 5500 nm), mit einem Brechungsindex von etwa 1.76Diese weit verbreitete Transparenz ermöglicht es, Saphir in hochpräzisen optischen Instrumenten weit verbreitet zu verwenden.
In Bezug auf elektronische Eigenschaften ist Saphirwafer ein Isolator mit einer breiten Bandlücke von etwa 9,9 eV, was ihn in Hochspannungs- und Hochfrequenz-elektronischen Geräten hervorragend macht.Aufgrund seiner hohen Isolierung und geringen Dielektrieverlusten, Saphir wird häufig als Substratmaterial für Halbleitergeräte, insbesondere in Transistoren mit hoher Elektronenmobilität (HEMT) und Geräten auf Galliumnitridbasis (GaN) verwendet.
3. Mechanische und thermodynamische Eigenschaften
Saphir-Wafer hat eine Mohs-Härte von 9, die nur nach Diamanten an zweiter Stelle steht, was ihm eine hervorragende Abnutzungs- und Kratzfestigkeit verleiht.mit einer Breite von mehr als 20 mm,Saphirwafer weist auch eine sehr hohe Wärmeleitfähigkeit von ca. 25 W/m·K auf und behält in hochtemperaturartigen Umgebungen stabile physikalische und chemische Eigenschaften.Mit einem hohen Schmelzpunkt von 2054°C und einem geringen Wärmeausdehnungskoeffizienten (8.4 x 10^-6/K), kann Saphirwafer bei hohen Temperaturen eine dimensionale Stabilität aufrechterhalten.
| Durchmesser | 4 Zoll 100 ± 0,3 mm |
| Stärke | 650 ± 20 μm |
| Orientierung | C-Ebene (0001) bis M-Ebene (1-100) oder A-Ebene ((1 1-2 0) 0.2±0.1° /0.3±0.1°, R-Ebene (1-1 0 2), A-Ebene (1 1-2 0 ), M-Ebene ((1-1 0 0) |
| Primärflächenlänge | 32.5±1,5 mm |
| Primärflächige Ausrichtung | A-Ebene (1 1-2 0) ± 0,2° |
| TTV | ≤ 20 μm |
| LTV | ≤ 20 μm |
| TIR | ≤ 20 μm |
| Bogen | ≤ 20 μm |
| Warpgeschwindigkeit | ≤ 20 μm |
| Vorderfläche | Epipoliert (Ra< 0,2 nm) |
| Rückenoberfläche | Fein gemahlen (Ra=0,5 bis 1,2 μm), Epipoliert (Ra< 0,2 nm) |
| Anmerkung | Kann nach den spezifischen Anforderungen der Kunden hochwertige Saphir-Substrat-Wafer liefern |
Anwendungen:
Saphirwafer sind hervorragende multifunktionale Materialien, die für ihre hohe Temperaturbeständigkeit, gute Wärmeleitfähigkeit, hohe Härte, Infrarottransparenz und chemische Stabilität bekannt sind.Sie werden in verschiedenen Industriezweigen weit verbreitet.In den Bereichen Energie, Verteidigung und Forschung, z. B. für Hochtemperatur-Infrarotfenster.Saphirwaffen dienen als vielseitige Einzelkristallsubstrate und sind die bevorzugten Substrate in der Blau- und Weißfarbenindustrie., violette und weiße Leuchtdioden (LEDs) und blaue Laserdioden (LDs) (für die auf Saphirsubstraten epitaxiale Galliumnitridfolien erforderlich sind).Sie sind auch für supraleitende Dünnschichtsubstrate von entscheidender Bedeutung..
Verfahren zur Verarbeitung von Saphirsubstraten:
1. Kristallwachstum: Verwenden Sie einen Kristallwachstumsöfen, um großen und hochwertigen Einzelkristallsafir anzubauen.
2Orientierung: Stellen Sie sicher, dass der Saphirkristall für die anschließende Verarbeitung richtig auf der Sägemaschine positioniert ist.
3Sägen: Aus dem Kristall extrahieren Saphirstangen auf bestimmte Weise.
4. Schleifen: Verwenden Sie eine externe zylindrische Schleifmaschine, um den Außendurchmesser der Saphirstange genau zu schleifen.
5Qualitätsprüfung: Überprüfen Sie die Qualität der Saphirstange und prüfen Sie, ob die Abmessungen und die Ausrichtung nach der Gewinnung den Anforderungen des Kunden entsprechen.
6. Orientierung (wieder): Richtige Position der Saphirstange auf der Schneidmaschine für ein präzises Schneiden.
7- Schneiden: Schneiden Sie den Saphirstang in dünne Wafer.
8• Polieren: Schnittschäden beseitigen und die Plattheit der Wafer verbessern.
9. Schamfering: Die Waferkante in eine abgerundete Form schneiden, um die mechanische Festigkeit zu erhöhen und Stresskonzentration verursachte Defekte zu verhindern.
10. Polieren: Verbesserung der Oberflächenrauheit der Wafer, um eine epitaxielle Präzision zu erzielen.
11Reinigung: Entfernen von Schadstoffen von der Oberfläche der Wafer (z. B. Staubpartikel, Metalle, organische Rückstände).
12Qualitätsprüfung (wieder): Verwenden Sie hochpräzise Prüfgeräte, um die Waferqualität (Flachheit, Oberflächenreinheit usw.) zu bewerten, um den Anforderungen der Kunden gerecht zu werden.
Produktempfehlung:
1.8 Zoll 0,725 Dia100mm C Fläche Einzelkristall Saphir Wafer 1300mm 1500mm Dicke
2.6 Zoll Saphir Wafer Orientierung 0001 Al2O3 Einkristall optische Transparenz
Häufige Fragen:
F: Was ist Saphirwafer?
A: Saphirwafer von Vritra Technologies
Synthetischer Saphir ist eine Einzelkristallform von Aluminium-Oxid (Al2O3). Er weist einzigartige physikalische und chemische Eigenschaften auf, wie hohe Temperaturbeständigkeit, Wärmeschockbeständigkeit, hohe Festigkeit,Kratzfestigkeit, geringer dielektrischer Verlust und gute elektrische Isolierung.
F: Was ist der Unterschied zwischen Saphir- und Siliziumwafern?
A: LEDs sind die beliebtesten Anwendungen für Saphir.Silizium ist undurchsichtig und ermöglicht keine effiziente LichtentnahmeDas Halbleitermaterial ist jedoch ideal für LEDs, da es sowohl billig als auch transparent ist.
F: Was ist Saphir in Halbleitern?
A: Saphirwafer werden zur Epitaxie von Halbleiterfilmen wie Si, Galliumnitrid (GaN) und AlGaN und zur Herstellung von integrierten Schaltungen verwendet.Bei der Herstellung von LEDs und für IR-Detektoranwendungen werden C-Flächen-Saphirsubstrate für das Wachstum von GaN und anderen III-V- und II-VI-Verbindungen verwendet.