Flache Quarz-Wafers BF33 12 Zoll-Saphirwafersaphirfenster Substrat-Durchmessers 300mm C

1. Saphir hat eine hohe optische Beförderung, also ist er als dielektrisches Material des Mikroelektronischen Rohrs, Ultraschallleitungselement, Wellenleiterlaser-Hohlraum und andere optische Elemente, als Fenstermaterialien für Infrarotmilitärgeräte, Raumfahrzeug, Intensitätslaser und optische Nachrichtenübertragungen weitverbreitet.

2. Saphir hat hohe Starrheit, hochfeste, hohe Betriebstemperatur, Abnutzungswiderstand, Korrosionsbeständigkeitseigenschaften, so Saphirsubstrat ist häufig benutzt in der rauen Umwelt, wie Kesselwassermessgerät (Hochtemperaturwiderstand), WarenStrichkodescanner, Lager und andere Präzisionsfertigung (Verschleißfestigkeit), die Kohle, Gas, wohle Entdeckungs-Sensoren und die Detektorfenster (rostfest).

3. Saphir hat die Eigenschaften der elektrischen Isolierung, der Transparenz, der guten Wärmeleitfähigkeit und der hohen Starrheit, also kann er als das Substratmaterial von integrierten Schaltungen, wie LED und Mikroschaltungen benutzt werden, Ultra-hochgeschwindigkeitsintegrierte schaltung.

• AUSGEZEICHNETE SAPHIR-OBLATEN

  • 99.999% hoher Reinheitsgrad einzelnes Kristallal2O3Material.

  • Spezielle Technologie CMP (chemisches mechanisches Polnisch), zum der Leistung des Substrates Al2O3 zu niedrigen Kosten sicherzustellen.

  • Ausgezeichnete Oberflächenbeschaffenheit in allen Orientierungen (weniger als 0,2 Nanometer für C-Fläche, weniger als 0,5 Nanometer für Ein-Fläche, M-Fläche, R-Fläche, N-Fläche, V-Fläche, 10-14, etc.)

  • Gesäubert in Klasse 100 Cleanroom durch Reinstwasser mit Qualität über *cm 18MΩ.

  • 25 PC ein Satz oder einzelner Satz ist verfügbar, Kundenflexibilität in ihrer Forschung zu maximieren.

  • Nachweisbare Produktseriennummer.

  • Kompakter Karton, der für sichereres Verschiffen und Kosteneinsparung verpackt.

  • Standardoblaten sind im Allgemeinen das auf Lager, zum einer schnellen Lieferung sicherzustellen.

   

  Saphiranwendung

   

  • 1. Industrie des Halbleiters LED (Epitaxial- GaN Substrat MOCVD)
  • Im allgemeinen ist C-Flächensaphir in diesem Bereich erforderlich. R-Fläche oder M-Fläche verwendeten hauptsächlich, um die Epitaxial- Schichten der apolaren/halb-polaren Fläche zu wachsen, zum der Lumineszenz-Leistungsfähigkeit zu verbessern.
  • 2. Das Wachstum von III-V oder II-VI Verbindungshalbleitern.
  • 3. Mikroelektronische IC-Anwendungen besonders sehr Hochgeschwindigkeitsintegrierte schaltung, PAS
  • Im Allgemeinen ist es eine heteroepitaxial Absetzung des Silikons auf R-Flächensaphir.
  • 4. Hybride Mikroelektronik
  • Hybride Mikroelektronikprodukte sind hauptsächlich HIC und MCM. Sie hat hohe Anforderungen an das Substrat, während die Eigenschaften der Saphirsubstrate wie stabiler Dielektrizitätskonstante und niedriger dielektrischer Verlust Saphiroblate das allgemein verwendetste Substrat für HIC und das Hauptsubstrat für MCM machen. Im Allgemeinen ist die Ein-Flächensaphiroblate erforderlich.