Epi - bereites DSP SSP Sapphire Substrates Wafers 4inch 6inch 8inch 12inch
Produktdetails:
Herkunftsort: | China |
Markenname: | ZMKJ |
Zertifizierung: | rohs |
Modellnummer: | Oblaten des Saphirs 2-12inch |
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: | 10PCS |
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Preis: | by size |
Verpackung Informationen: | cassettle 25pcs Oblatenkasten in der Reinigungstasche mit 100 Graden |
Lieferzeit: | 2-4 Wochen |
Zahlungsbedingungen: | T/T, Western Union, MoneyGram |
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 1000pcs pro Monat |
Detailinformationen |
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Material: | Einzelner Kristall Al2O3 des Saphirs 99,999% | Orientierung: | C-AXIS/A-AXIS/M-AXIS/M-AXIS |
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Stärke: | 100 bis 3000 mm | Oberfläche: | DSP/SSP/AS-CUT |
TTV: | <10um (anderes TTV ist okay) | Verbeugen: | <10um (anderer BOGEN ist okay) |
Warpgeschwindigkeit: | <10um ((andere Warp ist ok) | Paket: | Reinigungsraum mit 100 Graden durch Vakuumverpackung |
Anpassen: | akzeptabel | ||
Hervorheben: | DSP SSP Sapphire Substrates,12inch Sapphire Wafers,Einzelner Crystal Sapphire Substrate Wafers |
Produkt-Beschreibung
4 Zoll, 6 Zoll, 8 Zoll, 12 Zoll Saphirwafer, Epi-Ready-Prime-Grade-DSP-SSP-Saphir-Substrat.
8 Zoll 200 mm Ultra dünne Saphirwafer 0,1 mm-50 mm Dicke C-Fläche DSP Saphirwafer
Material Saphir ((Al2O3)
Dichte ((20°C) Kg/M3 3,98×103
Kristallstruktur sechsseitig
Kristallgitterkonstante A=4,785Å C=12,991 Å
Mohs-Härte 9
Schmelzpunkt 2045°C
Siedepunkt 3000°C
Koeffizient der thermischen Ausdehnung Α=5,8 × 10 -6 /K
Spezifische Wärme 0,418 W.S/G/K
Wärmeleitung 25,12 W/M/K ((@100°C)
Refraktionsindex (Nd) Nr=1.768Ne=1.76
Dn/Dt 13×10-6/K ((@633Nm)
Übertragung T≈85% ((0,3~5Um)
Durchlässigkeit 11,5 C, 9,3 C
Saphirwaschmaschinen, Saphirfenster, Saphirlager, Saphirstangen, Saphirröhrchen, Rubin
Saphir-Wafer, Kuppel-Saphir, Saphir-Dämmfilm, Saphir-Kugel-Objektiv, Saphir-/Ruby-Kugel
Synthetischer Saphir (manchmal auch Saphirglas genannt) wird üblicherweise als Fenstermaterial verwendet.weil es sowohl für Wellenlängen von 150 nm (UV) als auch für 5500 nm (IR) hochtransparent ist (das sichtbare Spektrum erstreckt sich etwa von 380 nm bis 750 nm), und außerordentlich kratzfest.
Die wichtigsten Vorteile von Saphirfenstern sind:
Sehr breites optisches Übertragungsband von UV bis nahe Infrarot (0,15·5,5 μm)
Wesentlich stärker als andere optische Materialien oder Standardglasfenster
Hohe Reiz- und Abriebfestigkeit
Sehr hohe Schmelztemperatur (2030 °C)
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LED-Fertigung
- Blaue und UV-LED:Saphirwafer dienen als Hauptsubstrat für das Wachstum von Galliumnitrid (GaN) -Schichten, die bei der Herstellung von blauen und UV-LEDs verwendet werden.Ihre hohe Wärmeleitfähigkeit und breite Bandbreite machen sie ideal für eine effiziente Lichtemission.
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HF-Geräte
- Hochfrequenzkomponenten:Saphirwafer werden in der Herstellung von HF-Geräten, einschließlich Verstärker und Oszillatoren, verwendet.
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Optische Geräte:
- Laserdioden:Saphirwafer werden als Substrate für Laserdioden eingesetzt, insbesondere in Anwendungen, die eine hohe Leistung und Effizienz erfordern, wie z. B. industrielle Lasersysteme.
- Optische Beschichtungen:Die Transparenz von Saphirwafern im sichtbaren und nahen Infrarotbereich ermöglicht verschiedene optische Beschichtungen, die die Leistung von Linsen und Fenstern verbessern.
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Mikroelektronische Anwendungen
- integrierte Schaltungen:Saphirwafer werden als Substrate für das Wachstum verschiedener Halbleitermaterialien verwendet und bieten eine stabile Plattform für die Herstellung von Integrierten Schaltungen (ICs) in Hochleistungselektronik.
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Anwendungen bei hohen Temperaturen und in rauen Umgebungen
- Luftfahrt und Verteidigung:Die Robustheit der Saphirwafer macht sie für Geräte geeignet, die unter extremen Bedingungen arbeiten, wie zum Beispiel in der Luft- und Raumfahrt und in militärischen Anwendungen.
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Sensoren:
- Druck- und Temperatursensoren:Saphirwafern werden aufgrund ihrer hervorragenden mechanischen Eigenschaften und Stabilität unter unterschiedlichen Bedingungen bei der Entwicklung leistungsstarker Sensoren eingesetzt.
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Forschung und Entwicklung:
- Materialwissenschaften:Saphirwafer werden in der Forschung und Entwicklung zur Untersuchung von Kristallwachstum, Materialeigenschaften und zur Entwicklung neuer Halbleitertechnologien eingesetzt.
- Herstellung von Prototypen:Forscher verwenden Saphirwafer, um Prototypen neuer Geräte herzustellen, was Innovationen in verschiedenen technischen Bereichen ermöglicht.
2- Sapphire produziert Schritt:
Kristallkörper ---> groben Ingot inangepasste Achse ---> Schwanz und Oberteil abgeschnitten --->Reparaturdurchmesserform----> Schleifen der Oberfläche--->(Reißröhrchen -->) Drahtschnitt--->Reißröhrchen--->Reißröhrchen--->geschliffen---poliert---Infektion
Standardwafer (auf maß) 2 Zoll C-Ebene Saphirwafer SSP/DSP
3 Zoll C-Ebene Saphirwafer SSP/DSP 4 Zoll C-Ebene Saphirwafer SSP/DSP 6 Zoll C-Ebene Saphirwafer SSP/DSP 8 Zoll C-Ebene Saphirwafer SSP/DSP
12 Zoll C-Ebene Saphirwafer SSP/DSP
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Spezialgeschnitten A-Ebene (1120) Saphirwafer 430um/500um R-Fläche (1102) Saphir-WafEr430um/500um M-Ebene (1010) Saphirwafer430um/500um N-Ebene (1123) Saphirwafer430um/500um C-Achse mit einem Abbruch von 0,5° bis 4° in Richtung A- oder M-Achse Sonstige individuell angepasste Ausrichtung |
Maß angepasst 10*10mm Saphirwafer 20*20mm Saphirwafer Ultra dünne (100um) Saphirwafer 8 Zoll Saphirwafer |
Stempel-Safir-Substrat (PSS) 2 Zoll C-Fläche PSS 4 Zoll C-Fläche PSS |
2 Zoll Wafer auf Lager |
DSP C-AXIS 0,1 mm/0,175 mm/0,2 mm/0,3 mm/0,4 mm /0,5 mm/ 1,0 mmt SSP-C-Achse 0,2/0,43 mm (DSP&SSP) A-Achse/M-Achse/R-Achse 0,43 mm
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3 Zoll in Lager; |
DSP/SSP C-Achse 0,43 mm/0,5 mm
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4 Zentimeter in Lager |
C-Ebene dsp c-Achse 0,4 mm/0,5 mm/1,0 mm ssp c-Achse 0,5 mm/0,65 mm/1,0 mmt
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6 Zoll Wafer auf Lager |
C-Ebene ssp c-Achse 1,0 mm/1,3 mm
dsp c-Achse 0.65mm/0,8 mm/1,0 mmt
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8 Zoll Saphir-Wafer auf Lager |
C-Ebene ssp c-Achse 1,15 mm/1,6 mm
DSP-C-Achse 0,725 mm/1,6 mm/1,8 mmt
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12 Zoll Wafer auf Lager |
C-Ebene
DSP-C-Achse 0,725 mm/1,5 mm/1,0 mmt |
1. 8 Zoll Saphir Spezifikation zur Referenz
Material: Einkristall Al2O3 99,999%
Durchmesser 200 ± 0,2 mm
Dicke: 725 ± 25 mm
Primärflächig: rund oder in V-Zahl
OF Orientierungsfläche: a±0,2°A-Ebene ((0001)
Ausrichtung: C ((0001) ± 0,3°
Oberflächenrauheit an der Vorderseite:Ra<0,3 nm
Rückseite Oberflächenrauheit: Ra<0,3 nm
oder SSP-Seite poliert;Rückseite Oberflächenrauheit: Ra<1,0 nm
TTV:<15um BOW:-20~0um WARP:<30um
Lasermarkierungsserie Nr. nach Bedarf
Packung:Vakuumverschlossene Behälter mit Stickstoffrückfüllung in einer Umgebung der Klasse 100
Reinheit: frei von sichtbarer Kontamination
Lieferungsanweisung:
Sonstige verwandte Erzeugnisse
GaN-Substrate/farbige Saphirkristalle/SiC-Wafer/GaAs-Wafer/Ge-Wafer/LiNbO3/LiTaO3-Wafer/Quarz-Wafer.
angepasste Saphirlinsen/ LiTaO3-Ingots/ SiC-Substrate/ LaAlO3-Substrate
F: Was ist Ihr MOQ?
A: (1) Für Lagerbestände beträgt die MOQ 10 Stück.
(2) Für maßgeschneiderte Produkte beträgt die MOQ 25 Stück.
F: Wie ist der Versand und die Kosten?
A:(1) Wir akzeptieren DHL, Fedex, EMS usw.
(2) Wenn Sie ein eigenes Expresskonto haben, ist das toll. Wenn nicht, können wir Ihnen helfen, sie zu versenden.
Die Fracht entspricht der tatsächlichen Rechnung.
Für weitere Fragen wenden Sie sich bitte an eric-wang@sapphire-substrate.com;
F: Wie ist die Lieferzeit?
Für Bestände: Die Lieferung erfolgt 5 Werktage nach Bestellung.
Für maßgeschneiderte Produkte: Die Lieferung erfolgt 2 oder 3 Wochen nach Bestellung.
F: Haben Sie Standardprodukte?
A: Unsere Standardprodukte sind auf Lager.0.5mm polierte Wafer.
F: Wie zahlen?
A: 50% Anzahlung, vor Lieferung T/T,
F: Kann ich die Produkte anhand meiner Bedürfnisse anpassen?
A: Ja, wir können das Material, die Spezifikationen und die optische Beschichtung für Ihre optische
Komponenten, die auf Ihren Bedürfnissen basieren.