3 Zoll InP Indiumphosphat Substrat N-Typ Halbleiter VGF Wachstumsmethode 000 001 Ausrichtung

Produktabstrakt

Unsere Produkte aus InP (Indiumphosphat) bieten leistungsstarke Lösungen für eine Vielzahl von Anwendungen in der Telekommunikations-, Optoelektronik- und Halbleiterindustrie.mit einer Leistung von mehr als 10 W und einer Leistung von mehr als 10 W, ermöglichen unsere InP-Materialien die Entwicklung fortschrittlicher photonischer Geräte, darunter Laser, Photodetektoren und optische Verstärker.oder maßgeschneiderte Bauteile, bieten unsere InP-Produkte Zuverlässigkeit, Effizienz und Präzision für Ihre anspruchsvollen Photonikprojekte.

Produktvitrine

Eigenschaften des Erzeugnisses

1. Hohe optische Transparenz: InP weist eine ausgezeichnete optische Transparenz im Infrarotbereich auf und eignet sich somit für verschiedene optoelektronische Anwendungen.

2. Direkte Bandbreite: Die direkte Bandbreite von InP ermöglicht eine effiziente Lichtemission und -absorption und ist somit ideal für Halbleiterlaser und Photodetektoren geeignet.

3. Hohe Elektronenmobilität: InP bietet hohe Elektronenmobilität, ermöglicht schnellen Ladungsträgertransport und erleichtert schnelle elektronische Geräte.

4. Niedrige Wärmeleitfähigkeit: Die geringe Wärmeleitfähigkeit von InP trägt zur effizienten Wärmeableitung bei und eignet sich daher für optoelektronische Geräte mit hoher Leistung.

5. Chemische Stabilität: InP weist eine gute chemische Stabilität auf und gewährleistet die langfristige Zuverlässigkeit der Geräte auch in rauen Betriebsumgebungen.

6. Kompatibilität mit III-V-verbundenen Halbleitern: InP kann nahtlos mit anderen III-V-verbundenen Halbleitern integriert werden.die Entwicklung komplexer Heterostrukturen und multifunktionaler Geräte ermöglicht.

7. Tailorable Bandgap: Die Bandgap von InP kann durch Anpassung der Phosphorzusammensetzung konstruiert werden, so dass Geräte mit spezifischen optischen und elektronischen Eigenschaften entworfen werden können.

8. Hohe Ausfallspannung: InP weist eine hohe Ausfallspannung auf, die die Robustheit und Zuverlässigkeit der Geräte in Hochspannungsanwendungen gewährleistet.

9. Niedrige Defektdichte: InP-Substrate und Epitaxialschichten haben in der Regel eine geringe Defektdichte, was zu hoher Geräteleistung und Ausbeute beiträgt.

10. Umweltverträglichkeit: InP ist umweltfreundlich und birgt während der Herstellung und des Betriebs minimale Risiken für Gesundheit und Umwelt.

11. Parameter	2S-doppierte InP-Wafer	2 Fe-doppierte InP-Wafer
    Material	VGF InP Einkristallwafer	VGF InP Einkristallwafer
    Zulassung	Epi-Ready	Epi-Ready
    Dopant	S	Fe
    Leitungsart	S-C-N	Ich...
    Waferdurchmesser (mm)	500,8 ± 0.4	500,8 ± 0.4
    Orientierung	(100) o±0,5o	(100) ± 0,5 °C
    ORGANISATION / Länge	EJ [0-1-1] / 17±1	EJ [0-1-1] /17±1
    IF Standort / Länge	EJ [0-1 1] / 7±1	EJ [0-1 1] / 7±1
    Trägerkonzentration (cm-3)	(1~6) E 18	1.0E7 - 5.0E8
    Widerstandsfähigkeit (Wcm)	8 bis 15 E-4	≥1,0E7
    Mobilität (cm2/Vs)	1300 ~ 1800	≥ 2000
    Durchschnittliche EPD (cm-2)	≤ 500	≤ 3000
    Stärke (μm)	475 ± 15	475 ± 15
    TTV/TIR (μm)	≤ 15	≤ 15
    Bogen (μm)	≤ 15	≤ 15
    Verpackung (μm)	≤ 15	≤ 15
    Partikelzahl	N/A	N/A
    Oberfläche	Vorderseite: poliert, Schwarze Seite: geätzt	Vorderseite: poliert, Schwarze Seite: geätzt
    Waferverpackungen	Die Wafer wird von einer Spinne in einem individuellen Tablett befestigt und mit N2 in einem statisch abschirmenden Beutel versiegelt.	Wafer, das von einer Spinne in einem individuellen Tablett befestigt und mit N2 in einem statisch abschirmenden Beutel versiegelt wird.

12. Anwendungen von Produkten

13. Telekommunikation: InP-basierte Geräte werden in Telekommunikationsnetzen für die Hochgeschwindigkeitsdatenübertragung weit verbreitet.einschließlich Glasfaserkommunikationssysteme und hochfrequente drahtlose Kommunikation.

14. Photonik: InP-Materialien sind für die Entwicklung verschiedener photonischer Geräte, wie z. B. Halbleiterlaser, Photodetektoren, Modulatoren und optische Verstärker, die in der Telekommunikation eingesetzt werden, unerlässlich.Beobachtung, und Bildgebung.

15. Optoelektronik: Optoelektronische Geräte auf InP-Basis, wie Lichtdioden (LED), Laserdioden und Solarzellen, finden Anwendungen in Anzeigen, Beleuchtung, medizinischer Ausrüstung,und erneuerbare Energiesysteme.

16. Halbleiterelektronik: InP-Substrate und epitaxalen Schichten dienen als Plattformen für die Herstellung von Hochleistungstransistoren, integrierten Schaltungen und Mikrowellengeräten für Radarsysteme,Satellitenkommunikation, und militärische Anwendungen.

17. Sensing und Bildgebung: InP-basierte Photodetektoren und Bildgebungssensoren werden in verschiedenen Anwendungen verwendet, einschließlich Spektroskopie, Lidar, Überwachung und medizinischer Bildgebung,aufgrund ihrer hohen Empfindlichkeit und schnellen Reaktionszeit.

18. Quantentechnologie: InP-Quantenpunkte und Quantenbrunnen werden auf ihre möglichen Anwendungen in Quantenrechen, Quantenkommunikation und Quantenkryptographie untersucht.Vorteile in Bezug auf Kohärenz und Skalierbarkeit bieten.

19. Verteidigung und Luft- und Raumfahrt: InP-Geräte werden in Verteidigungs- und Luft- und Raumfahrtsystemen eingesetzt, da sie zuverlässig, schnell und strahlungsdicht sind und Anwendungen wie Radarsysteme unterstützen.Raketenführung, und Satellitenkommunikation.

20. Biomedizinisches Ingenieurwesen: In-P-basierte optische Sensoren und Bildgebungssysteme werden in der biomedizinischen Forschung und der klinischen Diagnostik für nicht-invasive Überwachung, Bildgebung,und spektroskopische Analyse biologischer Proben.

21. Umweltüberwachung: InP-basierte Sensoren werden für Umweltüberwachungsanwendungen eingesetzt, einschließlich der Erfassung von Umweltverschmutzungen, der Gaserkennung und der Fernerkennung atmosphärischer Parameter,Beitrag zur Nachhaltigkeit der Umwelt.

22. Aufstrebende Technologien: InP findet weiterhin Anwendungen in aufstrebenden Technologien wie Quanteninformationsverarbeitung, Siliziumphotonikintegration und Terahertz-Elektronik,Antrieb für Fortschritte in der Informatik, Kommunikation und Empfindung.

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