Silizium auf Isolator SOI Wafer 6", 2,5 "m (P-doped) + 1,0 SiO2 + 625um Si (P-Typ / Bor-doped)

Silikon-on-Insulator-SOI-Wafer 6", 2,5 "m (P-doped) + 1,0 SiO2 + 625um Si (P-Typ /Bor-doped)

Abstract für Wafer aus Silizium auf Isolator (SOI)

Diese Silicon-on-Insulator (SOI) -Wafer ist ein spezialisiertes Halbleiter-Substrat, das für fortschrittliche elektronische und mikroelektromechanische Systeme (MEMS) entwickelt wurde.Der Wafer ist durch eine mehrschichtige Struktur gekennzeichnet, die die Leistung des Geräts verbessert, verringert die parasitäre Kapazität und verbessert die Wärmeisolierung, was es zu einer idealen Wahl für eine Vielzahl von Hochleistungs- und Hochpräzisionsanwendungen macht.

Eigenschaften von Waferprodukten aus Silizium-on-Isolator (SOI)

Spezifikationen der Wafer:

• Waferdurchmesser: 150 mm
  • Der 6-Zoll-Durchmesser bietet eine große Fläche für die Herstellung von Geräten, verbessert die Produktionseffizienz und senkt die Produktionskosten.

Geräteschicht:

• Stärke: 2,5 Mikrometer
  • Die dünne Geräteschicht ermöglicht eine präzise Steuerung der elektronischen Eigenschaften, die für Hochgeschwindigkeits- und Hochleistungsanwendungen unerlässlich sind.
• Doping: P-Typ (Phosphor-doped)
  • Phosphor-Doping erhöht die elektrische Leitfähigkeit der Geräteschicht und macht sie für verschiedene Halbleitergeräte des P-Typs geeignet.

Vergrabene Oxid-Schicht (BOX):

• Stärke: 1,0 Mikrometer
  • Die 1,0 μm dicke SiO2-Schicht bietet eine hervorragende elektrische Isolation zwischen der Geräteschicht und dem Griffwafer, wodurch die parasitäre Kapazität reduziert und die Signalintegrität verbessert wird.

Händel Wafer:

• Stärke: 625 Mikrometer
  • Der dicke Griffwafer sorgt für mechanische Stabilität während der Herstellung und des Betriebs und verhindert Verformungen oder Bruch.
• Typ: P-Typ (Bor-doped)
  • Bor-Doping verbessert die mechanische Festigkeit und Wärmeleitfähigkeit der Handfläche, hilft bei der Wärmeableitung und verbessert die allgemeine Zuverlässigkeit des Geräts.

Schlüsselprodukteigenschaften:

1. Hochwertige Geräteschicht:

   • Mobilität der Träger: Die hohe Trägermobilität in der mit Phosphor dopierten Schicht sorgt für eine schnelle elektronische Reaktion und einen schnellen Betrieb.
   • Niedrige Defektdichte: Der hochwertige Herstellungsprozess sorgt für minimale Mängel, was zu besseren Leistungen und höheren Erträgen führt.

2. Effiziente elektrische Isolierung:

   • Niedrige Parasitenkapazität: Die BOX-Schicht isoliert die Geräteschicht effektiv vom Substrat und reduziert die parasitäre Kapazität und den Überschall, was für Hochfrequenz- und Niedrigleistungsanwendungen entscheidend ist.
   • Signalintegrität: Verbesserte elektrische Isolierung trägt zur Aufrechterhaltung der Signalintegrität bei, was für hochpräzise analoge und digitale Schaltungen unerlässlich ist.

3. Wärmebewirtschaftung:

   • Wärmeleitfähigkeit: Die mit Bor doppierte Handfläche bietet eine gute Wärmeleitfähigkeit und trägt zur Ableitung der während des Betriebs des Geräts erzeugten Wärme bei, wodurch eine Überhitzung verhindert und eine stabile Leistung gewährleistet wird.
   • Wärmebeständigkeit: Die Struktur und die Materialien des Wafers sorgen dafür, daß er bei hohen Temperaturen während der Verarbeitung und des Betriebs beständig ist.

4. Mechanische Stabilität:

   • Robustheit: Der dicke Griff bietet eine mechanische Stütze, die sicherstellt, dass der Wafer während des Herstellungsprozesses und unter Betriebsbelastungen stabil bleibt.
   • Haltbarkeit: Die mechanische Stabilität des Griffwafers verhindert Beschädigungen, verringert das Risiko eines Waferbruchs und verbessert die Gesamtlebensdauer des Geräts.

5. Vielseitigkeit der Anwendungen:

   • Hochleistungsrechner: Geeignet für Prozessoren und andere schnelle digitale Logikkreise, dank ihrer hohen Trägermobilität und ihrer geringen parasitären Kapazität.
   • 5G Kommunikation: Ideal für HF-Komponenten und Hochfrequenz-Signalverarbeitung, die von den hervorragenden Eigenschaften der elektrischen Isolierung und des thermischen Managements profitieren.
   • MEMS-Geräte: Perfekt für die Herstellung von MEMS und bietet die mechanische Stabilität und Präzision, die für mikrofabrizierte Strukturen erforderlich sind.
   • Analog- und Mischsignalkreise: Die geringe Geräuschmenge und der geringe Überspannung machen sie für hochpräzise analoge Schaltungen geeignet.
   • Elektroelektronik: Durch die robusten thermischen und mechanischen Eigenschaften eignet es sich für Anwendungen im Energiebereich, die eine hohe Effizienz und Zuverlässigkeit erfordern.

Schlussfolgerung

Diese Silicon-on-Insulator (SOI) Wafer bietet eine einzigartige Kombination aus hochwertigen Materialien und fortschrittlichen Fertigungstechniken, was zu einem Substrat führt, das in der elektrischen Leistung hervorstecht,thermische BewirtschaftungDiese Eigenschaften machen es zu einer idealen Wahl für eine Vielzahl von Hochleistungs-elektronischen und MEMS-Anwendungen,zur Unterstützung der Entwicklung von Halbleitergeräten der nächsten Generation.

Silizium-on-Isolator (SOI) Wafer Produktfotos

Fragen und Antworten

Was sind SOI-Wafer (Silicon-on-Isolator-Wafer)?

Silizium-On-Insulator (SOI) -Wafer sind eine Art Halbleiter-Substrat, das aus mehreren Schichten besteht, einschließlich einer dünnen Silizium-Geräteschicht, einer isolierenden Oxidschicht,mit einer Breite von mehr als 20 mm,Diese Struktur verbessert die Leistung von Halbleitergeräten, indem sie eine bessere elektrische Isolierung, eine geringere parasitäre Kapazität und ein besseres thermisches Management bietet.