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Detailinformationen |
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| Parameter: | N-TYPE | Polytype: | 4H |
|---|---|---|---|
| Stärke: | 500.0μm±25.0μm | Grade: | Prime, Dummy, Recherche |
| Durchmesser: | 200.0 mm +0 mm/-0,5 mm | Kerbenorientierung: | <1-100>±1° |
| Oberflächenrauheit ((10μm × 10μm): | Si Gesichtsradius ≤ 0,2 nm;C Gesichtsradius ≤ 0,5 nm | Oberflächenmetallkontamination: | (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, Mn) ≤1E11cm-2 |
| Hervorheben: | 8 Zoll Durchmesser SiC Wafer,LTV TTV BOW Warp SiC Wafer,SiC-Wafer der Klasse P |
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Produkt-Beschreibung
SiC-Wafer 4H N Typ 8 Zoll Produktion Qualität Dummy-Qualität kundenspezifisch Doppelseitig polierte Siliziumkarbid-Wafer
Beschreibung der SiC-Wafer:
SiC-Wafer ist ein Halbleitermaterial mit hervorragenden elektrischen und thermischen Eigenschaften.Zusätzlich zu seiner hohen WärmebeständigkeitIm Vergleich zu anderen Halbleitern eignet sich eine Siliziumkarbidwafer für eine Vielzahl von Leistungs- und Spannungsanwendungen.Dies bedeutet, dass es für eine Vielzahl von elektrischen und optischen Geräten geeignet ist.SiC-Wafer ist das beliebteste verfügbare Halbleitermaterial. Es ist ein hochwertiges Halbleitermaterial, das für viele Anwendungen perfekt ist.Die Siliziumkarbidwafer ist ein sehr nützliches Material für verschiedene Arten von elektronischen GerätenWir bieten eine Vielzahl von hochwertigen SiC-Wafern und -Substraten an, die sowohl in N-Typ- als auch in Halbisolierform erhältlich sind.
Der Charakter von SiC-Wafer:
1. hohe Bandgap Energie
2. Hohe Wärmeleitfähigkeit
3. Hohe Härte
4Gute chemische Stabilität
Die Form der SiC-Wafer:
| Eigentum | P-Klasse | D-Klasse | |
| Kristallform | 4H | ||
| Polytyp | Keiner erlaubt | Fläche ≤ 5% | |
| (MPD) a | ≤ 1/cm2 | ≤ 5 / cm2 | |
| Hex-Platten | Keiner erlaubt | Fläche ≤ 5% | |
| Einbeziehungen a | Fläche ≤ 0,05% | N/A | |
| Widerstand | 0.015Ω•cm·0.028Ω•cm | 0.014Ω·cm·0.028Ω·cm | |
| (EPD) a | ≤ 8000/cm2 | N/A | |
| (TED) a | ≤ 6 000/cm2 | N/A | |
| (BPD) a | ≤ 2000/cm2 | N/A | |
| (STEP) a | ≤ 1000/cm2 | N/A | |
| Fehler beim Stapeln | ≤ 1% Fläche | N/A | |
| Notch-Orientierung | < 1-100>±1° | ||
| Notchwinkel | 90° +5°/-1° | ||
| Notch Tiefe | 1.00mm+0.25mm/-0mm | ||
| Orthogonale Fehlorientierung | ± 5,0° | ||
| Oberflächenbearbeitung | C-Gesicht: Optisches Polish, Si-Gesicht: CMP | ||
| Waferrand | Bebeln | ||
| Oberflächenrauheit ((10μm × 10μm) | Si Gesichtsradius ≤ 0,2 nm;C Gesichtsradius ≤ 0,5 nm | ||
| LTV ((10 mm × 10 mm) a | ≤ 3 μm | ≤ 5 μm | |
| (TTV) a | ≤ 10 μm | ≤ 10 μm | |
| (BOW) a | ≤ 25 μm | ≤ 40 μm | |
| (Warp) a | ≤ 40 μm | ≤ 80 μm | |
Das physische Foto von SiC Wafer:
Anwendung von SiC-Wafer:
1. Stromgeräte:
SiC-Wafer werden in der Herstellung von Leistungselektronikgeräten wie Leistungs-MOSFETs (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldwirkungstransistoren), Schottky-Dioden und Leistungsintegrierten Modulen eingesetzt.Aufgrund der Vorteile der hohen Wärmeleitfähigkeit, hohe Abbruchspannung und hohe Elektronenmobilität von SiC, können diese Geräte eine effiziente und leistungsstarke Leistungsumwandlung bei hoher Temperatur, hoher Spannung,und Hochfrequenzumgebungen.
2. Optoelektronische Geräte:
SiC-Wafer spielen eine entscheidende Rolle in optoelektronischen Geräten und werden unter anderem zur Herstellung von Photodetektoren, Laserdioden, UV-Quellen verwendet.Die überlegenen optischen und elektronischen Eigenschaften von Siliziumkarbid machen es zu einem bevorzugten Material, besonders für Anwendungen, die hohe Temperaturen, Frequenzen und Leistungsniveaus erfordern.
3. Funkfrequenzgeräte:
SiC-Wafer werden auch bei der Herstellung von HF-Geräten wie HF-Leistungsverstärkern, Hochfrequenzschaltern, HF-Sensoren usw. verwendet.und niedrigere Verluste von SiC machen es zu einer idealen Wahl für HF-Anwendungen wie drahtlose Kommunikation und Radarsysteme.
4. Hochtemperaturelektronik:
Aufgrund ihrer hohen thermischen Stabilität und Temperaturbeständigkeit werden SiC-Wafer bei der Herstellung von Elektronik verwendet, die für den Betrieb in hohtemperaturen Umgebungen entwickelt wurde.einschließlich Hochtemperaturleistungselektronik, Sensoren und Steuerungen.
Anwendungsbild von SiC-Wafer:
Fragen und Antworten:
1F:Was ist das?Bedeutungvon hochwertigen Siliziumkarbidwafern?
A: Dies ist ein entscheidender Schritt, um die Produktion von Siliziumkarbidgeräten in großem Umfang zu ermöglichen und die Nachfrage der Halbleiterindustrie nach leistungsstarken und sehr zuverlässigen Geräten zu befriedigen.
2F: Wie werden Siliziumkarbidwafer in spezifischen Halbleiteranwendungen wie Leistungselektronik und Optoelektronik eingesetzt?
A: Siliziumkarbid-Wafer werden in der Leistungselektronik für Geräte wie Leistungs-MOSFETs, Schottky-Dioden,und Leistungsmodule aufgrund ihrer hohen Wärmeleitfähigkeit und SpannungsbehandlungsfähigkeitIn der Optoelektronik werden SiC-Wafer wegen ihrer breiten Bandbreite und hohen Temperaturstabilität für Photodetektoren, Laserdioden und UV-Quellen verwendet.mit einer Leistung von mehr als 50 W.
3F: Welche Vorteile bietet Siliziumkarbid (SiC) gegenüber herkömmlichen Siliziumwafern in Halbleiteranwendungen?
A: Siliziumkarbid bietet mehrere Vorteile gegenüber herkömmlichen Siliziumwafern, darunter höhere Abbruchspannung, höhere Wärmeleitfähigkeit, breitere Bandbreite und verbesserte Temperaturstabilität.Diese Eigenschaften machen SiC-Wafer ideal für hohe Leistung, Hochfrequenz- und Hochtemperaturanwendungen, bei denen herkömmliche Siliziumwafer möglicherweise nicht optimal funktionieren.
Produktempfehlung:
4H-Semi-Hochreine SIC-Wafer Halbleiter EPI-Substrat