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4H-SiC-Epitaxialwafer für Ultra-Hochspannungs-MOSFETs (100 ‰ 500 μm, 6 Zoll)

Silikon-Karbid-Oblate
2025-09-02
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Produktübersicht von 4H-SiC-Epitaxialwafern Die rasante Entwicklung von Elektrofahrzeugen, intelligenten Netzen, erneuerbaren Energien und leistungsstarken Industrieanlagen treibt die Nachfrage nach ... Ansicht mehr
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4H-SiC-Epitaxialwafer für Ultra-Hochspannungs-MOSFETs (100 ‰ 500 μm, 6 Zoll)
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