Produktübersicht von 4H-SiC-Epitaxialwafern

Die rasante Entwicklung von Elektrofahrzeugen, intelligenten Netzen, erneuerbaren Energien und leistungsstarken Industrieanlagen treibt die Nachfrage nach Halbleitergeräten, die höhere Spannungen bewältigen können, voran.größere LeistungsdichtenUnter breitbandfähigen Halbleitern hat sich Siliziumcarbid (SiC) aufgrund seiner breiten Bandbreite, hohen Wärmeleitfähigkeit,und überlegene kritische elektrische Feldstärke.

Unsere 4H-SiC-Epitaxialwafer sind speziell für Hochspannungs-MOSFET-Anwendungen entwickelt.Diese Wafer liefern die für Leistungsanlagen der Klasse kV erforderlichen langen Driftregionen.Sie sind in Standardspezifikationen von 100 μm, 200 μm und 300 μm erhältlich und auf Substraten mit einer Größe von 6 Zoll (150 mm) gebaut.Sie sind die ideale Grundlage für die nächste Generation von Leistungselektronik..

Epitaxialschicht Dicke von 4H-SiC-Epitaxialschiffen

Die epitaxiale Schicht ist ein entscheidender Faktor bei der Bestimmung der Leistung von MOSFET-Geräten, insbesondere ihrerAusgleich von Ausfallspannung und Widerstand.

• 100 ‰ 200 μmDie Schichten eignen sich gut für MOSFETs mit mittlerer bis hoher Spannung, um die Leitungseffizienz und die Blockierfähigkeit auszugleichen.

• 200 ‰ 500 μmSchichten ermöglichenmit einer Leistung von mehr als 50 W und, so dass erweiterte Driftregionen, die höhere Abbaufelder aufrechterhalten, entstehen.

• Über den gesamten Dickenbereich hinweg wird die Einheitlichkeit sorgfältig kontrolliert.± 2%, um die Konsistenz von Wafer zu Wafer und von Charge zu Charge zu gewährleisten.

Diese Flexibilität ermöglicht es den Geräteentwicklern, die für ihre Zielspannungsklasse am besten geeignete Dicke auszuwählen und gleichzeitig die Reproduzierbarkeit in der Massenproduktion zu gewährleisten.

Herstellungsprozess von 4H-SiC-Epitaxialwafern

Unsere Waffeln werden mit modernster Technologie hergestellt.Chemische Dampfdeposition (CVD)Diese Methode ermöglicht eine präzise Kontrolle der Schichtdicke, der Dopingkonzentration und derKristalline Qualität auch bei großer Dicke.

• CVD-Epitaxie
  Hochreine Gase und optimierte Wachstumsbedingungen sorgen für eine ausgezeichnete Oberflächenmorphologie und eine geringe Defektdichte.

• Kontrolle der dicken Schicht
  Eigentümliche Prozessrezepte ermöglichen eine Epitaxialdäcke von bis zu500 μmmit gleichmäßigen Doping- und glatten Oberflächen, die hochspannungsfähige MOSFET-Konstruktionen unterstützen.

• Doping-Einheitlichkeit
  Die Konzentration kann im Bereich von1 × 1014 1 × 1016 cm−3Dies gewährleistet eine gleichbleibende elektrische Leistung über die Wafer.

• Oberflächenvorbereitung
  Wafer werdenChemische mechanische Polierung (CMP)Die polierten Oberflächen sind kompatibel mit fortschrittlichen Geräteverfahren wie Toroxidation, Photolithographie und Metallisierung.

Hauptvorteile von 4H-SiC-Epitaxialwafern

1. Ultrahohe Spannungskapazität

   • MOSFETs können mit dicken epitaxialen Schichten (100 ‰ 500 μm) Abbruchspannungen der Klasse kV erreichen.

2. Die hervorragende Kristallqualität

   • Niedrige Dichte an Verrutschungen und Defekten der Basalebene (BPD, TSD), die Leckströme minimieren und die Zuverlässigkeit des Geräts gewährleisten.

3. Substrate mit großem Durchmesser

   • 6-Zoll-Wafer unterstützen die Produktion in hohem Volumen, senken die Kosten pro Gerät und verbessern die Prozesskompatibilität mit bestehenden Halbleiterlinien.

4. Überlegene thermische Eigenschaften

   • Die hohe Wärmeleitfähigkeit und die breite Bandbreite von 4H-SiC® sorgen dafür, dass die Geräte unter hohen Leistungs- und Temperaturbedingungen effizient arbeiten.

5. Anpassbare Parameter

   • Die Dicke, die Dopingkonzentration, die Orientierung der Wafer und die Oberflächenbeschichtung können alle an spezifische Anforderungen an das MOSFET-Design angepasst werden.

Typische Spezifikationen für 4H-SiC-Epitaxialwafer

Anwendungsbereiche von 4H-SiC-Epitaxialwafern

Unsere 4H-SiC-Epitaxialwafer sind fürMOSFET-Geräte in Ultrahochdruckanwendungen, einschließlich:

• Traktionsumrichter für Elektrofahrzeuge und Hochspannungslademodule

• Intelligente Übertragungs- und Verteilnetzsysteme

• Umrichter für erneuerbare Energien (Solar-, Wind- und Energiespeicher)

• Hochleistungs-Industrie-Stromversorgungen und -schaltanlagen

Viele Fragen ️ 4H-SiC-Epitaxial-Wafer für Ultra-Hochspannungs-MOSFET

F1: Wie ist die Leitfähigkeit Ihrer SiC-Epitaxialwafer?
A1: Unsere Wafer sind N-Typ, mit Stickstoff bestückt, was die Standardwahl für MOSFET und andere Anwendungen von Stromgeräten ist.

F2: Welche Dicken sind für die Epitaxialschicht verfügbar?
A2: Wir bieten eine Epitaxialdäcke von 100 ∼ 500 μm, wobei Standardangeboten in 100 μm, 200 μm und 300 μm erhältlich sind. Auf Anfrage können auch kundenspezifische Dicken hergestellt werden.

F3: Wie ist die Kristallorientierung und der Winkel außerhalb der Achse?
A3: Die Wafer orientieren sich an der Si-Fläche (0001) mit einem Winkel außerhalb der Achse von 4° ± 0,5°, typischerweise in Richtung [11-20].