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6H Siliziumkarbid (SiC) Quadrat Substrat Wafer für Hochfrequenz-Leistung

Silikon-Karbid-Oblate
2025-12-12
2337 Ansichten
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#Silikonkarbidsubstrat #sic Oblate #Silikon auf Saphiroblaten
Hochleistungs-6H-SiC-Quadratwafer für Leistungs- und Hochfrequenzanwendungen 1. Produktübersicht Der 6H-Siliziumkarbid (SiC)-Quadrat-Substrat wird aus hochreinem 6H-SiC-Einkristallmaterial hergestellt ... Ansicht mehr
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6H Siliziumkarbid (SiC) Quadrat Substrat Wafer für Hochfrequenz-Leistung
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