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6H Siliziumkarbid (SiC) Quadrat Substrat Wafer für Hochfrequenz-Leistung

Silikon-Karbid-Oblate
2025-12-05
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#Silikonkarbidsubstrat #sic Oblate #Silikon auf Saphiroblaten
Hochleistungs- 6H-SiC-Quadratwafer für Leistungs- und Hochfrequenzanwendungen 1. Produktübersicht Die...6H Siliziumkarbid (SiC) Quadrat Substratist aus hochreinem Material hergestellt6H-SiC-Einkristal... Ansicht mehr
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