6H Siliziumkarbid (SiC) Quadrat Substrat Wafer für Hochfrequenz-Leistung

Hochleistungs-6H-SiC-Quadratwafer für Leistungs- und Hochfrequenzanwendungen

1. Produktübersicht

Der 6H-Siliziumkarbid (SiC)-Quadrat-Substrat wird aus hochreinem 6H-SiC-Einkristallmaterial hergestellt und präzise in eine quadratische Form für fortschrittliche Halbleiter- und Elektronikanwendungen verarbeitet. Als repräsentatives Material der Halbleiter der dritten Generation mit großer Bandlücke bietet 6H-SiC hervorragende Leistung unter Hochtemperatur-, Hochspannungs-, Hochfrequenz- und Hochleistungsbedingungen.

Mit ausgezeichneter Wärmeleitfähigkeit, mechanischer Festigkeit, chemischer Beständigkeit und elektrischen Eigenschaften werden 6H-SiC-Quadrat-Substrate häufig in Leistungsbauelementen, HF-Bauelementen, Optoelektronik, Lasersystemen und F&E-Laboren eingesetzt. Die Substrate können in polierten, halbpolierten oder unpolierten Oberflächenausführungen mit kundenspezifischen Größen und Dicken.

2. Materialvorteile von 6H-SiC

• Ultrahohe Härte (Mohs-Härte ≈ 9,2)

• Hohe Wärmeleitfähigkeit (~490 W/m·K) für effiziente Wärmeableitung

• Große Bandlücke (3,0 eV), geeignet für extreme Umgebungen

• Hohe Durchbruchfeldstärke

• Hervorragende chemische Beständigkeit und Oxidationsbeständigkeit

• Hohe Elektronenmobilität für Hochfrequenzleistung

• Stabile Kristallstruktur und lange Lebensdauer

3. Typische Spezifikationen (anpassbar)

4. Herstellungsprozess

1. PVT (Physical Vapor Transport) Einkristallwachstum

2. Orientierung und quadratisches Schneiden

3. Hochpräzises Schleifen und Dickenkontrolle

4. Ein- oder beidseitiges Polieren

5. Ultraschallreinigung und Reinraumverpackung

Dieser Prozess gewährleistet hohe Ebenheit, geringe Oberflächenfehler und ausgezeichnete elektrische Konsistenz.

5. Schlüsselanwendungen

• Leistungshalbleiterbauelemente (MOSFET, SBD, IGBT)

• HF- und Mikrowellen-Elektronikbauelemente

• Hochtemperatur-Elektronikkomponenten

• Laserdioden und optische Detektoren

• Chip-Forschung und Prototypenentwicklung

• Universitätslabore und Halbleiterforschungsinstitute

• Mikrofabrikation und MEMS-Verarbeitung

6. Produktvorteile

• Echtes 6H-SiC-Einkristallmaterial

• Quadratische Form für einfache Handhabung und Bauelementherstellung

• Hohe Oberflächenqualität mit geringer Defektdichte

• Großer Anpassungsbereich für Größe, Dicke und spezifischen Widerstand

• Stabile Leistung in extremen Umgebungen

• Unterstützung für Kleinserien-Prototyping und Massenproduktion

• 100% Inspektion vor Auslieferung

8. Häufig gestellte Fragen (FAQ)

Q1: Was ist der Unterschied zwischen 6H-SiC und 4H-SiC?
A: 4H-SiC wird heute aufgrund der höheren Elektronenmobilität häufiger in kommerziellen Leistungsbauelementen verwendet, während 6H-SiC in bestimmten HF-, Mikrowellen- und speziellen optoelektronischen Anwendungen bevorzugt wird.

Q2: Können Sie unpolierte 6H-SiC-Quadrat-Substrate liefern?
A: Ja, wir bieten polierte, geläppte und unpolierte Oberflächen basierend auf den Kundenanforderungen an.

Q3: Unterstützen Sie quadratische Substrate mit kleinen Abmessungen?
A: Ja, quadratische Größen bis zu 2×2 mm können angepasst werden.

Q4: Sind Inspektions- und Testberichte verfügbar?
A: Ja, wir können Dimensionsprüfberichte, Daten zur spezifischen Widerstandsmessung und Berichte zur Oberflächenrauheit bereitstellen.

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