12-Zoll-Waffe aus Siliziumkarbid (SiC)

Produktübersicht

Die 12-Zoll-Siliziumkarbid-Wafer (SiC) stellt die nächste Generation von breitbandreichen Halbleiter-Substraten dar,mit einer Leistung von mehr als 50 W und einer Leistung von mehr als 100 W,Im Vergleich zu herkömmlichen 6- und 8-Zoll-SiC-Wafern erhöht das 12-Zoll-Format die nutzbare Chipfläche pro Wafer erheblich, verbessert die Fertigungseffizienz,und bietet ein starkes Potenzial zur langfristigen Kostensenkung.

Siliziumcarbid ist ein breitbandreiches Halbleitermaterial mit hoher Abbauelektrfeldstärke, hervorragender Wärmeleitfähigkeit, hoher Sättigungselektronen-Driftgeschwindigkeit,und hervorragende thermische StabilitätDiese Eigenschaften machen 12-Zoll-SiC-Wafer zu einer idealen Plattform für Hochspannungs-, Hochleistungs- und Hochtemperaturanwendungen.

Material- und Kristallspezifikationen

• Material: Einkristallisches Siliziumkarbid (SiC)

• Polytyp: 4H-SiC (Standard für Kraftgeräte)

• Leitungstyp:

  • N-Typ (Stickstoff-Doppiert)

  • Halbdämmstoffe (anpassbar)

Das Wachstum von 12-Zoll-SiC-Einzelkristallen erfordert eine fortgeschrittene Kontrolle der Temperaturgradienten, der Spannungsverteilung und der Einbeziehung von Verunreinigungen.Die verbesserte PVT- (Physical Vapor Transport) Kristallwachstumstechnologie wird typischerweise verwendet, um einen großen Durchmesser zu erreichen, SiC-Kugeln mit geringen Defekten.

Herstellungsprozess

Die Herstellung von 12-Zoll-SiC-Wafern umfasst eine Reihe von hochpräzisen Verfahren:

1. Einkristallwachstum mit großem Durchmesser

2. Kristallorientierung und Ingotschnitt

3. Präzisionsschleifen und Waferverdünnen

4. Einseitige oder zweiseitige Polierung

5. Weiterführende Reinigung und umfassende Inspektion

Jeder Schritt wird streng kontrolliert, um eine hervorragende Flachheit, Gleichmäßigkeit der Dicke und Oberflächenqualität zu gewährleisten.

Wichtige Vorteile

• Höhere Geräteleistung pro Wafer: Größere Wafergröße ermöglicht mehr Chips pro Lauf

• Verbesserte Produktionseffizienz: Optimiert für Fabriken der nächsten Generation

• Kostensenkungspotenzial: Niedrigere Kosten pro Gerät bei der Produktion in großen Mengen

• Überlegene thermische und elektrische Leistung: Ideal für harte Betriebsbedingungen

• Starke Prozesskompatibilität: geeignet für die Herstellung von SiC-Leistungseinrichtungen

Typische Anwendungen

• Elektrofahrzeuge (SiC-MOSFETs, SiC-Schottky-Dioden)

• An Bord befindliche Ladegeräte (OBC) und Traktionsumrichter

• Infrastruktur für schnelles Laden und Strommodule

• Solarumrichter und Energiespeichersysteme

• Industrielle Antriebe und Eisenbahnsysteme

• Hochleistungselektronik und Verteidigungsanwendungen

Typische Spezifikationen (anpassen)

Häufig gestellte Fragen (FAQ)

F1: Sind 12-Zoll-SiC-Wafer bereit für die Massenproduktion?
A: 12-Zoll-SiC-Wafer befinden sich derzeit in der Anfangsphase der Industrialisierung und werden von führenden Herstellern weltweit aktiv für die Pilot- und Volumenproduktion ausgewertet.

F2: Was sind die Vorteile von 12-Zoll-SiC-Wafern im Vergleich zu 8-Zoll-Wafern?
A: Das 12-Zoll-Format erhöht die Chipleistung pro Wafer erheblich, verbessert den Fab-Durchsatz und bietet langfristige Kostenvorteile.

F3: Können die Spezifikationen der Wafer angepasst werden?
A: Ja, Parameter wie Leitfähigkeitstyp, Dicke, Poliermethode und Prüfgrad können angepasst werden.