4 Zoll Siliziumkarbid Wafer 4H-N Typ 350um Dicke SiC Substrat

4 Zoll Siliziumkarbid-Wafer 4H-N Typ 350um Dicke SiC-Substrat

Einführung von 4-Zoll-Siliziumkarbid-Wafern:

   Der Markt für 4-Zoll-SiC-Wafer (Siliziumkarbid) ist ein aufstrebendes Segment in der Halbleiterindustrie, das durch die wachsende Nachfrage nach Hochleistungsmaterialien in verschiedenen Anwendungen angetrieben wird. SiC-Wafer sind bekannt für ihre ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit, hohe elektrische Feldstärke und hervorragende Energieeffizienz. Diese Eigenschaften machen sie ideal für den Einsatz in Leistungselektronik, Automobilanwendungen und Technologien für erneuerbare Energien. Der 4-Zoll-SiC-Wafer vom Typ 4H-N ist ein hochwertiges, leitfähiges Siliziumkarbid-Substrat, das auf der 4H-Polytyp-Kristallstruktur basiert. Mit einer großen Bandlücke, einem hohen elektrischen Durchbruchfeld, ausgezeichneter Wärmeleitfähigkeit und hoher Elektronen   Mobilität ist es ideal für die Herstellung von Hochspannungs-, Hochfrequenz- und Hochtemperatur-Leistungsbauelementen wie MOSFETs, Schottky-Dioden, JFETs und IGBTs. Es wird häufig in neuen Energiesystemen, Elektrofahrzeugen, intelligenten Stromnetzen, 5G-Kommunikation und Luft- und Raumfahrtanwendungen eingesetzt.

Wesentliche Vorteile von 4-Zoll-Siliziumkarbid-Wafern:

Hohe Durchbruchspannung – Bis zum 10-fachen von Silizium, ideal für Hochspannungsbauelemente.

Geringer Einschaltwiderstand – Hohe Elektronenmobilität ermöglicht schnelleres Schalten und geringere Verluste.

Ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit – Etwa 3× höher als Silizium, was die Zuverlässigkeit der Bauelemente unter hoher Belastung gewährleistet.

Hochtemperaturbetrieb – Stabile Leistung über 600°C.

Überlegene Kristallqualität – Geringe Mikropipen- und Versetzungsdichte, ausgezeichnete Oberfläche für Epitaxie.

Anpassbare Optionen – Erhältlich mit maßgeschneiderter Dotierung, Dicke und Oberflächenbeschaffenheit für spezifische Bauelementprozesse.

Parameter von ZMSH SiC-Wafern und Produktempfehlung:

6-Zoll-Siliziumkarbid (SiC)-Wafer für AR-Brillen MOS SBD als Referenz

Anwendungen von Siliziumkarbid-Wafern:

   Siliziumkarbid (SiC)  Wafer ist eines der Halbleitermaterialien der dritten Generation, gekennzeichnet durch hohe Leistungsfähigkeit, geringe Energieverluste, hohe Zuverlässigkeit und geringe Wärmeentwicklung. Es kann in Hochspannungs- und rauen Umgebungen über 1200 Volt eingesetzt werden und wird häufig in Windkraftanlagen, Eisenbahn- und Großtransportgeräten sowie in Solarwechselrichtern, unterbrechungsfreien Stromversorgungen (USV), intelligenten Stromnetzen und anderen Hochleistungs-Elektronikanwendungen eingesetzt.

Elektrofahrzeuge (EVs): Für Traktionswechselrichter, Onboard-Ladegeräte und DC-DC-Wandler.

Erneuerbare Energien: Wechselrichter für Solarmodule und Windturbinen.

Industriesysteme: Motorantriebe und Hochleistungsgeräte.

Luft- und Raumfahrt und Verteidigung: Hocheffiziente Stromversorgungssysteme in rauen Umgebungen.

Fragen und Antworten:

F: Was ist der Unterschied zwischen Si- und SiC-Wafern?

A: Silizium (Si) und Siliziumkarbid (SiC) Wafer werden beide in der Halbleiterherstellung verwendet, aber sie haben sehr unterschiedliche physikalische, elektrische und thermische Eigenschaften, die sie für verschiedene Arten von Bauelementen geeignet machen. Siliziumwafer sind ideal für Standard-Elektronik mit geringer Leistung wie integrierte Schaltungen und Sensoren.

Siliziumkarbid-Wafer werden für Hochspannungs-, Hochtemperatur- und Hocheffizienz-Leistungsbauelemente verwendet, wie z. B. in Elektrofahrzeugen, Solarwechselrichtern und industriellen Stromversorgungssystemen.

F: Was ist besser, SiC oder GaN?

A: SiC ist am besten für Hochspannungs-, Hochleistungs- und Hochtemperaturanwendungen wie EVs, erneuerbare Energien und Industriesysteme geeignet. GaN ist am besten für Hochfrequenzanwendungen mit niedriger bis mittlerer Spannung wie Schnellladegeräte, HF-Verstärker und Kommunikationsgeräte geeignet. Tatsächlich kombiniert die GaN-on-SiC-Technologie die Stärken beider — GaNs Geschwindigkeit + SiCs thermische Leistung — und wird häufig in 5G- und Radarsystemen eingesetzt.

F: Ist SiC eine Keramik?

A: Ja, Siliziumkarbid (SiC) ist eine Keramik — aber es ist auch ein Halbleiter.