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Hoher Reinheitsgrad HPSI SiC-Pulver zur Halbisolierung / 99,9999% Reinheitsgrad Kristallwachstum

Silikon-Karbid-Oblate
2025-04-29
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#Silikonkarbidsubstrat #sic Oblate #Silikon auf Saphiroblaten
Produkteinführung HPSI SiC-Pulver (High Purity Semi-Isolating Silicon Carbide) ist ein leistungsstarkes Material, das in der Leistungselektronik, optoelektronischen Geräten und bei hohen Temperaturen ... Ansicht mehr
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