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Detailinformationen |
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| Reinheit: | ≥ 99,9999% (6N) | Particle Size: | 0.5 µm - 10 µm |
|---|---|---|---|
| Bandbreite: | ~ 3,26 eV | Mohs Hardness: | 9.5 |
| Hervorheben: | SiC-Pulver für Kristallwachstum,Silikonpulver mit hoher Reinheit,Halbisolierendes SiC-Pulver |
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Produkt-Beschreibung
Produkteinführung
HPSI SiC-Pulver (High Purity Semi-Isolating Silicon Carbide) ist ein leistungsstarkes Material, das in der Leistungselektronik, optoelektronischen Geräten und bei hohen Temperaturen weit verbreitet ist.HochfrequenzanwendungenHPSI SiC-Pulver ist bekannt für seine außergewöhnliche Reinheit, seine Halbdämmungseigenschaften und seine thermische Stabilität und ist ein wichtiges Material für Halbleitergeräte der nächsten Generation.
Arbeitsprinzip
Kristallwachstumsprozess in einem PVT-Siliziumkarbid (SiC) -Einkristallöfen:
- Das hochreine Siliziumkarbid (SiC) Pulver wird auf den Boden des Graphit-Kiegels innerhalb des Ofen platziert und ein Siliziumkarbid-Samenkristall an die innere Oberfläche des Kiegelsdeckels gebunden.
- Der Tiegel wird mit elektromagnetischer Induktionsheizung oder Widerstandsheizung auf eine Temperatur von mehr als 2000 °C erhitzt.Beibehalten der Temperatur am Samenkristall etwas niedriger als bei der Pulverquelle.
- Das SiC-Pulver zerfällt in gasförmige Komponenten, darunter Siliziumatome, SiC2-Moleküle und Si2C-Moleküle.Diese Stoffe in der Dampfphase werden von der Hochtemperaturzone (Pulver) in die Niedertemperaturzone (Samenkristall) transportiertAuf der Kohlenstofffläche des Samenkristalls ordnen sich diese Komponenten in einer geordneten Atomstruktur nach der Kristallorientierung des Samenkristalls.Der Kristall verdickt sich allmählich und entwickelt sich schließlich zu einem Siliziumkarbid-Balt.
Spezifikationen
| Parameter | Wertbereich |
|---|---|
| Reinheit | ≥ 99,9999% (6N) |
| Partikelgröße | 0.5 μm - 10 μm |
| Widerstand | 105 - 107 Ω·cm |
| Wärmeleitfähigkeit | ~490 W/m·K |
| Bandbreite | ~ 3,26 eV |
| Mohs-Härte | 9.5 |
Anwendungen
SiC-Einzelkristallwachstum
- HPSI SiC-Pulver wird hauptsächlich als Rohstoff für die Herstellung hochreiner Einzelkristalle aus Siliziumcarbid durch physikalischen Dampftransport (PVT) oder Sublimationsverfahren verwendet.- Ich weiß.
- Ich weiß.
Körperliche Struktur
HPSI SiC-Pulver weist eine hochkristalline Struktur auf, typischerweise in hexagonaler (4H-SiC) oder kubischer Form (3C-SiC) Polytypen, je nach Herstellungsmethode. Seine hohe Reinheit wird durch Minimierung von Metallverunreinigungen und Kontrolle der Einbeziehung von Dopanten wie Aluminium oder Stickstoff erreicht,die ihre elektrischen und isolierenden Eigenschaften beeinflussenDie feine Partikelgröße sorgt für Einheitlichkeit und Kompatibilität mit verschiedenen Herstellungsprozessen.
Fragen und Antworten
F1:Wofür wird HPSI-Silikonkarbid ((SiC) Pulver verwendet?
SiC-Mikronpulveranwendungen sind z. B. Sandstrahl-Injektoren, Wasserpumpendichtungen für Automobile, Lager, Pumpenkomponenten und Extrusionsdüssen mit hoher Härte, Abriebsbeständigkeit,und Korrosionsbeständigkeit von Siliziumcarbid.
F2: Was ist HPSI Siliziumkarbid (SiC) Pulver?
HPSI (High Purity Sintered) Silicon Carbide Pulver ist ein hochreines, dichtes SiC-Material, das durch fortschrittliche Sinterverfahren hergestellt wird.
F3: Kann HPSI SiC-Pulver für spezifische Anwendungen angepasst werden?
Ja, HPSI SiC-Pulver kann in Bezug auf Partikelgröße, Reinheitsgrad und Dopingkonzentration angepasst werden, um spezifische industrielle oder Forschungsbedürfnisse zu erfüllen.
F4: Wie wirkt sich HPSI SiC-Pulver direkt auf die Qualität der Halbleiterwafer aus?
Seine Reinheit, Partikelgröße und Kristallphase bestimmen direkt.
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