Produktübersicht vonHalbisolierende SiC-Wafer

SiC-Wafern mit hoher Reinheit zur Halbdämmungsind für Leistungselektronik der nächsten Generation, HF/Mikrowellengeräte und Optoelektronik entwickelt.Unsere Wafer werden aus 4H- oder 6H-SiC-Einzelkristallen hergestellt, wobei ein optimierter Physischer Dampftransport (PVT) -Wachstumsprozess kombiniert mit tiefgehender Kompensationsbrennung verwendet wirdDas Ergebnis ist ein Wafer mit:

• Ultra-hohe Widerstandsfähigkeit: ≥ 1 × 1012 Ω·cm, zur Unterdrückung von Leckströmen in Hochspannungsschaltern

• Breite Bandbreite (~ 3,2 eV): Bei hohen Temperaturen, hohem Feld und hoher Strahlungsbelastung eine überlegene elektrische Leistung aufweist

• Außergewöhnliche Wärmeleitfähigkeit: > 4,9 W/cm·K, zur schnellen Wärmeentfernung in Hochleistungsmodulen

• Außergewöhnliche mechanische Festigkeit: Mohs-Härte von 9,0 (nach dem Diamanten), geringe thermische Expansion und ausgezeichnete chemische Stabilität

• Atomisch glatte Oberfläche: Ra < 0,4 nm mit Defektdichte < 1/cm2, ideal für MOCVD/HVPE-Epitaxie und Mikronanofertigung

Verfügbare Größen:50, 75, 100, 150, 200 mm (2′′ ′′ 8′′) Standard; auf Anfrage kundenspezifische Durchmesser bis zu 250 mm.
Ausmaß der Dicke:200-1000 μm mit einer Toleranz von ± 5 μm.

Herstellungsprinzipien und Prozessfluss vonHalbisolierende SiC-Wafer

SiC-Pulver mit hoher Reinheit

• Ausgangsmaterial: SiC-Pulver in 6N-Klasse, gereinigt durch mehrstufige Vakuumsublimation und Wärmebehandlung zur Reduzierung von Metallverunreinigungen (Fe, Cr, Ni < 10 ppb) und zur Beseitigung von polykristallinen Einschlüssen.

Modifizierte PVT-Einkristallwachstum

• Umwelt:10−3−10−2 Torr nahe Vakuum

• Temperatur:Graphit-Kiegel auf ~ 2500 °C erhitzt; geregelter thermischer Gradient ΔT ≈ 10°C/cm

• Gasfluss und SchmelztiegelkonstruktionPoröse Graphit-Separatoren und maßgeschneiderte Schmelztiegel-Geometrie sorgen für eine gleichmäßige Dampfverteilung und hemmen unerwünschte Nukleation

• Dynamische Zufuhr und Rotation:Periodische SiC-Pulverauffüllung und Kristallstab-Rotation ergeben niedrige Verlagerungsdichten (< 3 000 cm−2) und eine gleichbleibende 4H/6H-Orientierung

- Ich weiß.

Vergütungsschmelze

• Wasserstoff-Anneal:600 ‰ 1 400 °C in einer H2-Atmosphäre für mehrere Stunden zur Aktivierung von Tiefenfängern und zur Kompensation intrinsischer Träger

• N/Al Co-Doping (fakultativ):Präzise Einbeziehung von Al- (Akzeptor-) und N- (Spender-) Dopanten während des Wachstums oder nach dem Wachstum von CVD zur Schaffung stabiler Spender-Akzeptorpaare, die Resistivitätsspitzen anregen

- Ich weiß.

Präzisionsschneiden und mehrstufiges Lapping

• mit einer Breite von mehr als 20 mm,Scheiben von Wafern bis zu einer Dicke von 200-1000 μm mit einer minimalen Beschädigungsschicht; Dicke Toleranz ±5 μm

• Grob bis feine Verkleidung:Sequentielle Verwendung von Diamantschleifstoffen zur Entfernung von Sägeverletzungen und Vorbereitung auf das Polieren

Chemische mechanische Polierung (CMP)

• Poliermittel:Nano-Oxid (SiO2 oder CeO2) Schlamm in einer leichten alkalischen Suspension

• Prozesssteuerung:Niedrigspannungspolierparameter liefern eine RMS-Rohheit von 0,2 ‰ 0,4 nm und beseitigen Mikro-Kratzer

- Ich weiß.

Endreinigung und Verpackung der Klasse-100

• Mehrstufige Ultraschallreinigung:Organische Lösungsmittel → Säure-/Basenbehandlungen → Deionisiertes Wasser spülen, alles in einem Reinraum der Klasse 100

• Trocknen und Abdichten:Stickstoffeinschließtrocknung, versiegelt in mit Stickstoff gefüllten Schutzbeuteln und in antistatischen, schwingungsdämpfenden Außenkästen

Spezifikation derHalbisolierende SiC-Wafer

Schlüsselbereiche der Anwendung vonHalbisolierende SiC-Wafer

• Hochleistungselektronik

  • SiC-MOSFETs, Schottky-Dioden, Hochspannungs-Wechselrichter und schnellladende EV-Leistungsmodule nutzen SiCs Low-on-Resistance- und High-Breakdown-Feld.

• HF- und Mikrowellensysteme

  • 5G/6G-Basisstations-Leistungsverstärker, Millimeterwellen-Radarmodule und Satellitenkommunikations-Frontends verlangen SiC-Hochfrequenzleistung und Strahlungshärte.

• Optoelektronik und Photonik

  • UV-LEDs, blaue Laserdioden und Breitband-Fotodetektoren profitieren von einem atomar glatten und defektfreien Substrat für eine einheitliche Epitaxie.

• Extreme Umgebungssensoren

  • Hochtemperaturdruck-/Temperatursensoren, Gasturbinenüberwachungselemente und Detektoren für Kernenergie nutzen die Stabilität von SiC ̊ über 600 °C und bei hohem Strahlungsfluss.

• Luft- und Raumfahrt

  • Satelliten-Leistungselektronik, Raketenradare und Flugzeugsysteme erfordern die Robustheit von SiC in Vakuum, Temperaturzyklus und Hoch-G-Umgebungen.

• Fortgeschrittene Forschung und individuelle Lösungen

  • Quantenrechner Isolationssubstrate, Mikro-Hohlraumoptik und maßgeschneiderte Fensterformen (kugelförmig, V-Rohr, mehrseitig) für Spitzenforschung und Entwicklung.

Häufig gestellte Fragen (FAQ) vonHalbisolierende SiC-Wafer

1. Warum wählen Sie halbisolieren SiC über leitfähigen SiC?
   Halbisolierendes SiC weist über eine tiefe Kompensation einen sehr hohen Widerstand auf, wodurch Leckströme in Hochspannungs- und Hochfrequenzgeräten erheblich reduziert werden.Dabei eignet sich leitfähiges SiC für Anwendungen in MOSFET-Kanälen mit niedrigerer Spannung oder Leistung..

2. Können diese Wafer direkt in das epitaxiale Wachstum gehen?
   Ja, wir bieten "epi-ready" Halbisolierwaffen an, die für MOCVD, HVPE oder MBE optimiert sind, komplett mit Oberflächenbehandlung und Defektkontrolle, um eine hervorragende Qualität der epitaxialen Schicht zu gewährleisten.

3. Wie wird die Sauberkeit der Wafer gewährleistet?
   Ein Reinigungsprozess der Klasse 100, mehrstufige Ultraschall- und chemische Reinigung sowie eine stickstoffdichte Verpackung sorgen für praktisch keine Partikel, organische Rückstände oder Mikro-Kratzer.

4. Wie lange dauert die typische Lieferzeit und die Mindestbestellung?
   Die Produktionsaufträge (MOQ = 5 Wafer) werden je nach Größe und kundenspezifischen Eigenschaften in 4-6 Wochen geliefert.

5. Bieten Sie maßgeschneiderte Formen oder Substrate an?
   Zusätzlich zu standardmäßigen kreisförmigen Wafern fertigen wir ebenen Fenstern, V-Groove-Teilen, kugelförmigen Linsen und anderen maßgeschneiderten Geometrien.

Über uns

ZMSH ist auf die Entwicklung, Produktion und den Verkauf von Spezialglas und neuen Kristallmaterialien spezialisiert.Wir bieten Sapphire optische Komponenten an.Wir sind ein führendes Unternehmen in der Verarbeitung von Produkten, die in der Verarbeitung nicht standardisierter Produkte ausgezeichnet sind.,Ziel ist es, ein führendes Hightech-Unternehmen für optoelektronische Materialien zu sein.