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Detailinformationen |
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| Molekülgewicht: | 101,96 | Schicht-Stärke: | 1-5um |
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| Eigener Widerstand: | 1E16 Ω-cm | Polstern: | DSP, SSP |
| Brechungsindex: | Typischerweise etwa 1,76 (bei 589 Nm) | Chemische Stabilität: | Ausgezeichnet. |
| Oberflächenrauheit: | Ra < 0,5 Nm | Durchmesser-Toleranz: | ≤3% |
| Hervorheben: | LED Saphir-Wafer,6inch Sapphire Wafer,High Purity Saphir Wafer |
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Produkt-Beschreibung
Sapphire Wafer 6 Zoll DSP SSP C-Plane (0001) 99,999% Hochreine Monokristalline Al2O3 LED
Produktbeschreibung für 6 Zoll Saphirwafer:
Saphirwafers sind eine Art von Mineral mit Eigenschaften wie hoher Härte (9,0 Mohs), guter Transparenz und chemischer Stabilität.Natursafir und synthetischer Safir. Synthetische Saphirwafer werden durch chemische Reaktionen unter hohen Temperaturen und hohen Druckbedingungen hergestellt.Sie werden in der Industrie weit verbreitet.Bei unterschiedlichen Synthesemethoden und -bedingungen können Saphirwafer in verschiedenen Farben und Formen wie goldengelb, rosa usw. hergestellt werden.
Das 6-Zoll-Substrat (ca. 150 mm) hat in der Regel eine standardisierte Dicke und eignet sich für das epitaxiale Wachstum.Anbau durch Schmelzverfahren (z. B. Verneuil-Methode) oder Lösungsverfahren (z. B. Czochralski-Methode)Es bietet eine gute Kristallqualität und trägt zur Verbesserung der Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit des Geräts bei.Es eignet sich für den Einsatz bei hohen Temperaturen und in wechselnden Umgebungen, um die langfristige Stabilität des Geräts zu gewährleisten.. Weit verbreitet im epitaxialen Wachstum von blauen und weißen LEDs, die ein gutes GaN-Substrat liefern. Weit verbreitet im epitaxialen Wachstum von blauen und weißen LEDs, die ein gutes GaN-Substrat liefern.Es spielt auch eine wichtige Rolle in Hochfrequenz- und Hochleistungsgeräten.
Der Charakter von 6 Zoll Sapphire Wafer:
1. chemische Stabilität
Korrosionsbeständigkeit: Saphir ist sehr chemisch stabil und kann der Korrosion verschiedener chemischer Stoffe widerstehen.
2. Optische Eigenschaften
Transparenz: Es hat eine gute Durchlässigkeit im sichtbaren Licht und im ultravioletten Licht, geeignet für photoelektrische Geräte.
Niedriger Lichtverlust: Bei Anwendungen mit hoher Leistung kann Saphirsubstrat den Lichtverlust wirksam reduzieren.
3. Mechanische Eigenschaften
Hohe Härte: Die Härte des Saphirs ist extrem hoch, hat eine hohe Verschleißfestigkeit und kann in rauen Umgebungen stabil bleiben.
Zähigkeit: Obwohl der Saphir sehr hart ist, ist er auch relativ stark und kann einem gewissen Aufprall standhalten.
4. Thermische Eigenschaften
Wärmeleitfähigkeit: hat eine gute Wärmeleitfähigkeit, kann Wärme effektiv abführen und eignet sich für Anwendungen bei hohen Temperaturen.
Thermische Stabilität: Es kann eine stabile Leistung bei hohen Temperaturen aufrechterhalten und eignet sich für Hochleistungsgeräte.
5. Elektrische Eigenschaften
Isolierung: Saphir ist ein ausgezeichneter elektrischer Isolator für Hochspannungsanwendungen.
6. Wachstumsprozess
Hochwertige Kristalle: Mit fortschrittlichen Verfahren wie der Schmelzmethode oder der Czochralski-Methode kann ein hochwertiges Einzelkristallsubstrat gewonnen werden.
7. Größenstandardisierung
6-Zoll-Spezifikation: Standardgröße von 6 Zoll (ca. 150 mm), was sie kompatibler und während der Herstellung wiederholbar macht.
Die Parametertabelle für die 6 Zoll große Saphirwafer:
| Artikel | 6-Zoll-C-Fläche ((0001) 1300μm Saphir-Wafer | |
| Kristallstoffe | 99,999%, hohe Reinheit, monokristalline Al2O3 | |
| Zulassung | Primär, Epi-Ready | |
| Oberflächenorientierung | C-Ebene ((0001) | |
| C-Ebene außerhalb des Winkels zur M-Achse 0,2 +/- 0,1° | ||
| Durchmesser | 150.0 mm +/- 0,2 mm | |
| Stärke | 1300 μm +/- 25 μm | |
| Primäre flache Ausrichtung | A-Ebene ((11-20) +/- 0,2° | |
| Primärflächige Länge | 47.0 mm +/- 1,0 mm | |
| Einseitig poliert | Vorderfläche | Epipoliert, Ra < 0,2 nm (durch AFM) |
| (SSP) | Rückenoberfläche | Fein gemahlen, Ra = 0,8 bis 1,2 μm |
| Doppelseitig poliert | Vorderfläche | Epipoliert, Ra < 0,2 nm (durch AFM) |
| (DSP) | Rückenoberfläche | Epipoliert, Ra < 0,2 nm (durch AFM) |
| TTV | < 25 μm | |
| Bogen | < 25 μm | |
| WARP | < 25 μm | |
| Reinigung / Verpackung | Klasse 100 Reinraumreinigung und Vakuumverpackung, | |
| 25 Stück in einer Kassettenverpackung oder in einer Einzelverpackung. | ||
Ein Foto von 6 Zoll Sapphire Wafer:
Anwendungen von 6 Zoll Sapphire Wafer:
1.Anwendung von C-Ebene-Saphir-Wafern
Verglichen mit Saphir-Substraten mit anderen Kristallorientierungen,C-Ebene (<0001> Ausrichtung) Saphirwafer weisen eine relativ kleinere Gitterkonstante Mismatch mit III-V und II-VI Gruppe Materialien (wie GaN)Darüber hinaus ist die Gitterkonstante zwischen beiden und dem AlN-Dünnfilm, der als Pufferschicht dienen kann, noch kleiner.Diese Eigenschaft macht C-Ebene-Saphir-Wafer zu einem häufig verwendeten Substratmaterial in GaN-Wachstumsprozessen.
Aufgrund ihrer Fähigkeit, den hohen Temperaturanforderungen bei GaN-Epitaxiprozessen gerecht zu werden, eignen sich C-Ebene-Saphirwafer ideal für die Herstellung von weißen/blauen/grünen Leuchtdioden (LED),Laserdioden, Infrarotdetektoren und andere Geräte.
2Die Anwendung von A-Flächen-Saphirwafern
Aufgrund seiner hervorragenden Gesamtleistung, insbesondere seiner hervorragenden Transparenz, die das Durchdringen von Infrarotlicht verbessert,Saphirmonokristalle sind zum idealen Mittelfrabrotfenstermaterial geworden und werden in militärischen elektrooptischen Geräten weit verbreitet.In diesem Zusammenhang stellt der A-Ebene-Saphir ein nichtpolares Gesicht dar, das senkrecht zur Polaroberfläche (C-Ebene) ist.Saphirkristalle, die in der A-Richtung angebaut werden, weisen eine überlegene Qualität auf im Vergleich zu denen, die in der C-Richtung angebaut werden., die weniger Defekte, weniger Zwillingsstrukturen und eine vollständigere Kristallstruktur aufweisen.
Darüber hinaus weist der a-richtungs-Saphir aufgrund der atomaren Bindungsordnung von Al-O-Al-O auf der A-Ebene eine deutlich höhere Härte und Verschleißfestigkeit auf als der c-richtungs-Saphir.FolglichA-Flächenwafer werden hauptsächlich als Fenstermaterialien verwendet.mit einer Breite von mehr als 20 mm,Es kann auch in Hochtemperatur-Supraleiter-Wachstumsprozessen eingesetzt werden.wie das Wachstum von heteroepitaxialen supraleitenden Filmen mit Materialien wie TlBaCaCuO (TbBaCaCuO) auf zusammengesetzten Substraten aus Saphir und Ceriumoxid (CeO2).
3Die Anwendung von R- und M-Ebene-Saphirwafern
Die R-Ebene von Saphir ist ein nicht-polares Gesicht, und daher führen Variationen in der Position der R-Ebene in Saphirgeräten zu unterschiedlichen mechanischen, thermischen, elektrischen und optischen Eigenschaften.Generell, R-Ebene Saphir Substrate sind bevorzugt für die Heteroepitaxial Ablagerung mit Silizium und werden hauptsächlich bei der Herstellung von Halbleitern verwendet,Mikrowellen- und mikroelektronische integrierte Schaltkreis-AnwendungenR-Ebene Saphir Substrate werden auch bei der Herstellung von Rubinkugeln, anderen supraleitenden Komponenten, Hochwiderstandswiderständen und Galliumarsenid verwendet.
Mit dem weit verbreiteten Einsatz von Smartphones, Tablet-Systemen und anderen Geräten,R-Flächen-Saphir-Substrate haben bestehende zusammengesetzte Oberflächenakustische Wellen (SAW) -Geräte ersetzt, die in Smartphones und Tablets verwendet werdenSie dienen als Substrate für Geräte, die die Leistung verbessern und eine verbesserte Basis für verschiedene Anwendungen bieten.
Das Anwendungsbild von 6 Zoll Sapphire Wafer:
Anpassung:
ZMSH kann Saphirwafer mit jeder Kristallorientierung liefern, wie z. B. C-Ebene, A-Ebene, R-Ebene, M-Ebene und mehr.
A-Fläche Saphirwafer:Diese Wafer weisen gleichmäßige dielektrische Konstanten und hohe Dämmungseigenschaften auf, was sie im Bereich der gemischten Mikroelektronik weit verbreitet.
M-Ebene Saphirwafer:Die Anwendungsperspektiven von Saphir in der Nahe-Ultraviolet-Detektion haben zu einem zunehmenden Interesse an breitbandreichen Halbleiterfolien aus MgZnO-Legierung geführt.
R-Ebene Saphirwafer:R-Ebene (1-102) Saphirwaffen sind bevorzugte Materialien für die epitaxielle Ablagerung von Silizium in mikroelektronischen IC-Anwendungen.
Zusätzlich zu Standardgrößen und Kristallorientierungen,Auch für Kunden in Forschungs- oder Geschäftsanwendungen wird eine maximale Flexibilität angeboten.Alle Saphir-Wafer werden in Class 100-Cleanrooms gereinigt und verpackt und sind direkt für das epitaxiale Wachstum (Epi-ready-Grade) anwendbar, um den strengen Anforderungen der Kunden an das epitaxiale Wachstum gerecht zu werden.mit einer Breite von mehr als 30 mm, jedoch nicht mehr als 30 mm, mit oder ohne Orientierungsflächen, können wir die Produktion an Ihre spezifischen Bedürfnisse anpassen, um den verschiedenen Anforderungen in Ihrem Forschungsbereich gerecht zu werden.
6 Zoll Sapphire Wafer's angepasstes Bild:
Häufige Fragen:
1F: Welche Größe haben Saphirwafer?
A: Unsere Standardwafer-Durchmesser reichen von 25,4 mm (1 Zoll) bis 300 mm (11,8 Zoll) in der Größe;Wafer können in verschiedenen Dicken und Ausrichtungen mit polierten oder ungepolierten Seiten hergestellt werden und können Dopantien enthalten.
2F: Warum Saphir-Substrat?
A:Saphir weist eine außergewöhnliche elektrische Isolierung, Transparenz, gute Wärmeleitfähigkeit und hohe Steifigkeit auf.Daher ist es ein ideales Material für Substrate und wird in LED- und mikroelektronischen Schaltkreisen verwendet, Ultra-Hochgeschwindigkeits-Integrierten Schaltungen.
3F: Warum sind größere Waffeln besser?
A: Eine größere Wafergröße bedeutet eine größere Fläche für jede Solarzelle, wodurch mehr Sonnenlicht aufgenommen und in Strom umgewandelt werden kann.die zu einer höheren Leistung pro Zelle und Modul führtGrößere Wafer können die gesamte Energieerzeugung von Solaranlagen erheblich steigern.
Produktempfehlung:
1. 8 Zoll 6 Zoll Saphir Substrat
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2. 4 Zoll Saphir Wafer
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3. 10*10*0.1mmt 100um Doppelseitig poliertes Led-Safir-Substrat 2 Zoll
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