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Detailinformationen |
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| Molekülgewicht (g/mol): | 100.697 | Farbe/Auftritt: | Helle orange Feste |
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| Reinheit: | ≥ 99,999%, 5N | Schmelzpunkt (°C): | 1,457 |
| Bandlücke (eV) ent: | 2.24 | Elektronenmobilität (cm2/(V·s)): | 300 |
| Magnetische Empfindlichkeit (χ) (cgs): | -13,8 × 10 −6 | Wärmeleitfähigkeit (W/(cm·K)): | 0.752 |
| Hervorheben: | GaP-Wafer des Typs N,2 Zoll GaP-Wafer,Hochreine GaP-Wafer |
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Produkt-Beschreibung
GaP Wafer 2 Zoll N Typ Nicht-Doped S Doped 100 DSP SSP CZ Hohe Reinheit 5N 99,999%
Beschreibung der GaP-Wafer:
In Halbleitern ist Galliumphosphid ein Typ III-V-verbundener Halbleiter, der eine breite indirekte Band-Galliumphosphid (Gap) Wafersgap hat.Die Kristallstruktur dieser Verbindung ist dieselbe wie bei Silizium.Die Gitterkonstante beträgt 0,545 nm und die Elektronen- und Lochmobilität beträgt etwa 100 cm2/V bzw. 75 cm2/V-s. Dieses Material ist geruchlos und unlöslich in Wasser.Es wurde bei der Herstellung vieler elektronischer Geräte verwendet, einschließlich CMOS- und RF/V/A-Schalter.
Das wichtigste Substratmaterial für LEDs ist Galliumphosphid, das für rotes, gelbes und orangees Licht durchsichtig ist.Diese Dioden sind für das meiste Licht durchsichtig.Das Material ist sehr leistungsfähig, aber es ist auch sehr leicht zu verarbeiten.Es gibt nicht genügend Licht ab, um als Beleuchtungsquelle nützlich zu sein.
Der Charakter von GaP-Wafer:
1. Bandgap: GaP hat bei Raumtemperatur eine direkte Bandgap von etwa 2,26 eV. Diese Bandgap-Energie macht GaP für optoelektronische Anwendungen geeignet, einschließlich LEDs und Photodetektoren.
2Optische Eigenschaften: GaP-Wafer weisen hervorragende optische Eigenschaften auf, wie beispielsweise eine hohe Transparenz im sichtbaren Spektrum.Diese Transparenz ist für optoelektronische Geräte von Vorteil, die im sichtbaren Lichtbereich arbeiten..
3- elektrische Eigenschaften: GaP weist gute elektrische Eigenschaften auf, einschließlich hoher Elektronenmobilität und geringer dunkler Strom,mit einer Breite von mehr als 20 mm,.
4. Thermische Eigenschaften: GaP-Wafer haben eine relativ gute Wärmeleitfähigkeit und helfen bei der Wärmeableitung elektronischer Geräte.Diese Eigenschaft ist wichtig für die Aufrechterhaltung der Leistung und Zuverlässigkeit des Geräts.
5. Kristallstruktur: GaP hat eine Zinkblende-Kristallstruktur, die seine elektronischen und optischen Eigenschaften beeinflusst.Die Kristallstruktur beeinflusst auch das Wachstum und die Herstellung von Geräten auf GaP-Basis.
6. Doping: GaP-Wafer können mit verschiedenen Verunreinigungen doppiert werden, um ihre elektrische Leitfähigkeit und optische Eigenschaften zu verändern.Diese Dopantkontrolle ist für die Anpassung von GaP-Geräten an spezifische Anwendungen unerlässlich..
7- Kompatibilität mit III-V-Verbindungen: GaP ist mit anderen III-V-verbundenen Halbleitern kompatibel,Erlaubt das Wachstum von Heterostrukturen und die Integration verschiedener Materialien zur Herstellung fortschrittlicher Geräte.
Die Form der GaP-Wafer:
| Kristallstruktur | - Das ist nicht der Fall. | |
| Wachstumsmethode | CZ (LEC) | |
| Dichte | 4.13 g/cm3 | |
| Schmelzpunkt | 1480 oC | |
| Thermische Ausdehnung | 5.3 x10-6 / oC | |
| Dopant | S doped | nicht doppelt |
| Wachstumsachse der Kristalle | <111> oder <100> | < 100> oder < 111> |
| Leitungstyp | N | N |
| Trägerkonzentration | 2 ~ 8 x1017 /cm3 | 4 ~ 6 x1016 /cm3 |
| Widerstand | ~ 0,03 W-cm | ~ 0,3 W-cm |
| EPD | < 3x105 | < 3x105 |
Das physische Foto von GaP Wafer:
Anwendungen von GaP-Wafer:
1. Lichtdioden (LED):
GaP-Wafer werden häufig bei der Herstellung von LEDs für verschiedene Beleuchtungsanwendungen verwendet, einschließlich Anzeigeleuchten, Displays und Automobilbeleuchtung.
2. Laserdioden:
GaP-Wafer werden bei der Herstellung von Laserdioden für Anwendungen wie optische Datenspeicherung, Telekommunikation und medizinische Geräte verwendet.
3- Fotodetektoren:
GaP-Wafer werden in Photodetektoren für Lichtempfindungsanwendungen eingesetzt, einschließlich optischer Kommunikation, Bildgebungssystemen und Umweltüberwachung.
4- Solarzellen:
GaP-Wafer werden bei der Entwicklung hocheffizienter Solarzellen eingesetzt, insbesondere in Multijunction-Solarzellenstrukturen für Raumfahrtanwendungen und terrestrische Konzentrator-Photovoltaik.
5. Optoelektronische Geräte:
GaP-Wafer sind integraler Bestandteil verschiedener optoelektronischer Geräte wie photonische integrierte Schaltungen, optische Sensoren und optoelektronische Modulatoren.
6Hochgeschwindigkeitselektronik:
GaP-Wafer werden in schnellen elektronischen Geräten verwendet, einschließlich Hochfrequenztransistoren, Mikrowellen-Integrierten Schaltungen und HF-Leistungsverstärkern.
7Halbleiterlaser:
GaP-Wafer werden bei der Herstellung von Halbleiterlasern eingesetzt, die in Anwendungen wie optischen Kommunikationen, Barcode-Scannern und medizinischer Ausrüstung verwendet werden.
8- Photonik:
GaP-Wafer spielen eine entscheidende Rolle in Photonik-Anwendungen, einschließlich Wellenleitungen, optischen Schalter und photonischen Kristallen zur Manipulation von Licht im Nanoskala.
9Sensorik:
GaP-Wafer werden bei der Entwicklung von Sensoren für verschiedene Anwendungen verwendet, z. B. Gaserkennung, Umweltüberwachung und biomedizinische Diagnostik.
10.Heterogruppen:
GaP-Wafer werden mit anderen III-V-verbundenen Halbleitern integriert, um Heterojunction-Geräte zu erzeugen, die fortschrittliche Funktionalitäten in elektronischen und optoelektronischen Systemen ermöglichen.
Anwendungsbilder von GaP-Wafer:
Häufige Fragen:
1. F: Wofür wird Galliumphosphid verwendet?
A: Galliumphosphid wird seit den 1960er Jahren bei der Herstellung von kostengünstigen roten, orangefarbenen und grünen Leuchtdioden (LED) mit geringer bis mittlerer Helligkeit verwendet.Es wird allein oder zusammen mit Galliumarsenid verwendet
Produktempfehlung:
1.SOI Wafer Silizium auf Isolator Wafer Dopant P BOX Schicht 0,4-3 Substrat Orientierung 100 111